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高性能全數字式正弦波逆變電源設計全解析

作者: 時間:2013-11-29 來源:網絡 收藏
耦隔離型IGBT/MOSFET驅動芯片TLP250。TLP250具有隔離電壓高、驅動能力強、開關速度快等特點。驅動電路的原理圖如圖3所示。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/227745.htm

高性能全數字式正弦波逆變電源設計全解析

在推挽升壓驅動(U1、U2)中,TLP250負責驅動信號幅值與電流的匹配,而對于全橋逆變驅動(U3、U4、U5、U6),不但要考慮驅動電平和驅動能力,還要考慮好上下管驅動信號的隔離問題。為簡化設計,全橋逆變的上管驅動(U3、U5)采用了自舉供電的方式,減少隔離電源的使用數目。

對逆變橋的驅動電路,為避免上下管直通,設計中需要考慮死區(qū)問題。STM32單片機的PWM模塊具有死區(qū)功能,本設計采取了軟件死區(qū)方法。這樣做的另一個好處是,對不同的功率管只需改變軟件設計即可獲得最佳的死區(qū)參數。

5)采樣電路

輸出電壓采樣用于反饋穩(wěn)壓,輸出電流采樣用于過載保護,母線電流采樣用于短路保護,母線電壓采樣用于限制母線電壓虛高,輸入電壓采樣用于輸入過壓/欠壓保護。輸出采樣中使用了電流互感器與電壓互感器,大大減小了系統(tǒng)干擾,提高了系統(tǒng)的可靠性。取樣電路的原理圖如圖4所示。

高性能全數字式正弦波逆變電源設計全解析

對于輸出電流取樣,本設計中使用了5 A/5 mA電流互感器。由于電流互感器的輸出為毫伏級的交流信號,為了能夠被單片機內部AD模塊采集到,必須將其整流成直流信號并加以放大。而普通二極管整流電路對毫伏級電壓是無效的,因此,此處采用了由運算放大器(U11,LM3 58)構成的小電壓整流電路。實際測試表明,該電路有效解決了毫伏級信號的采樣問題。系統(tǒng)軟件設計

為了提高系統(tǒng)的可讀性以及代碼效率,軟件采用狀態(tài)機思想設計,圖5所示為系統(tǒng)的狀態(tài)轉換圖。系統(tǒng)上電復位后進入SAMPLE采樣狀態(tài),若檢測到采樣完成標志FINISH則進入JUDGE狀態(tài)進行判斷,如果FAULT不為0即有故障信號 (過壓/欠壓、過載、短路),則進入PROTECT狀態(tài)關閉輸出,并跳轉到WAIT狀態(tài)等待故障信號消除。當故障信號消除后,系統(tǒng)軟重啟,開始新的采樣及檢測。JUDGE狀態(tài)后如果未檢測到故障信號,則進入NORMAL正常狀態(tài),進行電壓調整。

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系統(tǒng)上電后,首先完成各個外設的初始化,主要包括系統(tǒng)時鐘、定時器、GPIO口、ADC、DMA、中斷及SPI的初始化。在此,定時器和中斷一旦初始化完成,PWM及SPWM波就會生成。考慮到過流、短路保護及反饋穩(wěn)壓的實時性要求較高,故在中斷內完成。欠壓、過壓對實時性要求低,放在主程序內。為提升系統(tǒng)的性能,ADC采樣使用DMA方式傳輸數據,傳輸完成后,發(fā)出中斷申請,對采集到的數據進行簡單濾波處理,其他功能函數調用此數據完成相應的保護及穩(wěn)壓功能。主程序的流程圖如圖6所示。

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調試與實驗

根據以上思想試制一臺400 W的樣機,采用IRF3205作為推挽升壓的功率管,HER307作為整流二極管,全橋逆變功率管則采用IRF840。前級升壓的PWM波頻率設置為20kHz,后級SPWM波的頻率設置為18kHz,輸出濾波電感L為1 mH,輸出濾波電容C為4.7μF。實際測試正弦交流輸出電壓精度為220 V±1%,頻率精度為50 Hz±0.1%,THD小于1.5%,逆變效率大于87%,其滿負載時的試驗波形如圖7所示(輸出經20 kΩ/100 kΩ電阻分壓測到)。

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結束語

文中完整地討論了以STM32單片機為主控制器的數控的設計,并對其中涉及關鍵問題進行了詳細的討論。針對高端電子設備對的更高要求,提出了一種有效的解決途徑。使用該設計方案在簡化的硬件設計的同時,大大提升了電



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