詳解：超高輝度4元紅光LED特性

　　發(fā)光二極管(LED)可以將電氣轉(zhuǎn)換成直接光，因此發(fā)光二極管被歸類成半導(dǎo)體固態(tài)組件。

　　發(fā)光二極管充分發(fā)揮不需使用彩色濾光膜片，可以直接取出特定顏色的光線與低電壓驅(qū)動的優(yōu)點，目前已經(jīng)廣泛被當(dāng)作各種電子機器的顯示用光源，應(yīng)用在各式各樣的領(lǐng)域。

　　最近幾年發(fā)光二極管的發(fā)光效率提升，加上藍光與綠光發(fā)光二極管的實用化，如圖1所示，發(fā)光二極管已經(jīng)成為交通號志燈、汽車尾部組合燈(Rear combination lamp)、液晶顯示器用背光照明模塊，各種顯示與照明的主要光源，持續(xù)拓展應(yīng)用范圍。

　　 接著本文要介紹可以減低發(fā)光二極管基板的光損失，設(shè)有金屬反射膜層、高輝度、發(fā)光效率是傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的4倍、48 lm/W的AlGaInP 4元紅光發(fā)光二極管的發(fā)光效率提升手法，以及金屬反射膜發(fā)光二極管(MR-LED)的電氣光學(xué)等各種特性。

　　發(fā)展歷程

　　傳統(tǒng)紅光發(fā)光二極管用半導(dǎo)體晶圓，除了AlGaAs磊晶硅晶圓 (Epitaxial wafer) 之外，AlGaInP磊晶硅晶圓已經(jīng)商品化。

　　若在AlGaInP磊晶硅晶圓表面，制作電極再切割成晶粒狀(Die)，就可以制成發(fā)光二極管芯片，不過傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管受到底部基板的影響，光吸收損失非常大，一般認(rèn)為12 lm/W得發(fā)光效率是紅光發(fā)光二極管的最大極限。

　　有鑒于此研究人員在發(fā)光二極管組件內(nèi)部設(shè)置金屬反射膜(MR: Metal Reflector)，開發(fā)全新結(jié)構(gòu)的紅光發(fā)光二極管，達成發(fā)光效率48 lm/W，比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)提高4倍的高效率化宿愿。

　　金屬反射膜LED的發(fā)光效率提升手法

　　如圖2(a)所示傳統(tǒng)發(fā)光二極管光源，利用注入半導(dǎo)體固態(tài)組件發(fā)光材料(發(fā)光層)的電子與正孔再結(jié)合獲得的能量產(chǎn)生光線，該電氣光線轉(zhuǎn)換效率，以低缺陷AlGaInP結(jié)晶而言，大約可以達成70%以上的效率，材料上的特性提升可算是相當(dāng)充分。

　　如圖2(a)所示，芯片產(chǎn)生的光線會在半導(dǎo)體內(nèi)部傳遞，接著透過發(fā)光二極管組件表面取至組件外部領(lǐng)域，該取光效率單純的紅光發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，大約只有10%左右，為有效提高紅光發(fā)光二極管的發(fā)光效率，必需透過發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)設(shè)計與制程改善，提升表面穿透率與接口反射率。

　　紅光發(fā)光二極管是在GaAs單結(jié)晶基板上，使用格子整合3元混晶AlGaAs或是AlGaInP4元混晶發(fā)光層，將GaAs單結(jié)晶基板當(dāng)作發(fā)光組件，底部支撐基板使用的發(fā)光二極管。由于GaAs具備吸收紅光物性，因此又稱作受質(zhì)基板型(AS Type: Absorbing Substrate Type)。

　　如圖3(a)所示當(dāng)初開發(fā)受質(zhì)基板 (AS Type) 時，在GaAs基板上方制作發(fā)光層，由于該結(jié)構(gòu)的組件表面，反射的光線與朝基板側(cè)的光線全部被基板吸收，因此只能達成8 lm/W低電氣光線轉(zhuǎn)換效率。

　　雖然受質(zhì)基板的開發(fā)，主要目的是提升發(fā)光效率，如圖3(b)所示，受質(zhì)基板型基本上屬于半導(dǎo)體多層反射膜（DBR: Distributed Bragg Reflector）插入型，該結(jié)構(gòu)利用半導(dǎo)體多層反射膜，使朝基板側(cè)的光線反射，達成12 lm/W的電氣光線轉(zhuǎn)換效率。

　　然而半導(dǎo)體多層反射膜 (DBR)，具有斜方向光線不易反射的結(jié)構(gòu)性缺陷，因此朝各方向放射的發(fā)光二極管光線，不會朝基板側(cè)傳遞，結(jié)構(gòu)上受到很大的限制。

　　為提高紅光發(fā)光二極管的發(fā)光效率，研究人員深入檢討可以使斜向入射至基板的光線完全反射的結(jié)構(gòu)，開發(fā)圖3(c)所示，使用金屬薄膜的反射結(jié)構(gòu)除了垂直方向之外，對斜向入射的光線，同樣具備高反射特性的金屬反射膜發(fā)光二極管 (MR-LED)。

　　金屬反射膜發(fā)光二極管 (MR-LED)，不易同時具備發(fā)光層、金屬反射膜反射率與低電氣阻抗特性，而且無法在金屬反射膜上制作低缺陷的發(fā)光層，因此研究人員針對同時具備反射率與低電氣阻抗問題，透過組件結(jié)構(gòu)的設(shè)計進行對策，發(fā)光層的缺陷問題則透過基板貼換技術(shù)，使用與GaAs單結(jié)晶基板上結(jié)晶同等級的低缺陷AlGaInP發(fā)光層。

　　基板貼換技術(shù)如如圖4所示，(1)首先準(zhǔn)備低缺陷AlGaInP磊晶硅晶圓，(2)接著將發(fā)光層黏貼至底部支撐基板，(3)最后從已經(jīng)貼合的晶圓去除GaAs基板，就可以在底部支撐基板上面形成具備發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。

　　初期特性

　　有關(guān)金屬反射膜型發(fā)光二極管(MR Type LED)與受質(zhì)基板型發(fā)光二極管(AS Type LED)的特性，兩芯片的外形都是300×300μm角柱形。

　　圖5是這兩種發(fā)光二極管實際發(fā)光的照片，由照片可知，金屬反射膜型發(fā)光二極管的發(fā)光比受質(zhì)基板型發(fā)光二極管亮。

　　如表1的金屬反射膜型發(fā)光二極管(MR Type LED)與受質(zhì)基板型發(fā)光二極管(AS Type LED)初期特性比較一覽所示，順向電流20mA通電時的光束為1.92 lm，可以實現(xiàn)48 lm/W的發(fā)光效率，金屬反射膜型發(fā)光二極管(MR Type)比受質(zhì)基板型發(fā)光二極管(AS Type)，發(fā)光效率提高4倍以上。

　　圖6是上述兩種紅光LED的順向電流－光束特性，由圖可知，光線強度亦即光束對電流呈直線增加，即使受到發(fā)熱的影響，光輸出并未降低。

　　圖7是上述兩種紅光LED的順向電流－順向電壓特性，由圖可知，雖然金屬反射膜型發(fā)光二極管(MR Type)的順向電壓比受質(zhì)基板型發(fā)光二極管 (AS Type)高，不過卻可以達成實用上要求的2.2V以下順向電壓(IF=20mA)，證實即使是金屬反射膜結(jié)構(gòu)，串聯(lián)阻抗同樣可以被充分削減。

　　晶圓面內(nèi)的分布

　　發(fā)光二極管當(dāng)作顯示用途并排使用的場合，如果光強度有分布不均，會引發(fā)輝度不均。

　　此外定電壓驅(qū)動時要求相同的順向電壓，因此研究人員調(diào)查3英吋金屬反射膜型發(fā)光二極管 (MR Type)晶圓的光束，與順向電壓的面內(nèi)分布特性。

　　光束的面內(nèi)分布特性如圖8所示，面內(nèi)平均為1.86 lm(σ=0.05 lm)，面內(nèi)分布在±10%范圍內(nèi)，證實新型紅光發(fā)光二極管，可以實現(xiàn)高輸出、高均勻性的要求。

　　順向電壓的分布圖9所示，面內(nèi)平均為1.98 lm(σ=0.02V)，面內(nèi)分布在±5%范圍內(nèi)，證實新型紅光發(fā)光二極管，同樣可以實現(xiàn)低電壓、高均勻性的要求。

　　根據(jù)上述面內(nèi)分布特性，與受質(zhì)基板型發(fā)光二極管 (AS Type) 的晶圓分布幾乎完全相同，證實分布特性不會受到金屬反射膜結(jié)構(gòu)的制程影響大幅改變。

　　續(xù)通電特性

　　金屬反射膜型發(fā)光二極管 (MR Type) 若與受質(zhì)基板型發(fā)光二極管 (AS Type) 比較，制作基板貼換等金屬反射膜結(jié)構(gòu)時，容易受到熱與壓力造成的負(fù)載，對組件的可靠性可能產(chǎn)生不良影響，必需進行可靠性試驗才能夠確認(rèn)。

　　圖10是以IF=50mA，進行一周室溫連續(xù)通電特性變化試驗的光束、順向電壓、逆向電壓測試結(jié)果。

　　根據(jù)測試結(jié)果可知上述2種新型紅光發(fā)光二極管特性完全沒有改變，證實即使制作金屬反射膜型結(jié)構(gòu)，同樣可以獲得充分的可靠性。

　　結(jié)語

以上介紹使用金屬反射膜(MR)結(jié)構(gòu)，新型高發(fā)光效率AlGaInP 4元紅光發(fā)光二極管。

為提高取光效率，研究人員開發(fā)金屬反射膜型發(fā)光二極管(MR-LED)的結(jié)構(gòu)設(shè)計與制作技術(shù)，達