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淺談借助靜電測(cè)試提高LED品質(zhì)

作者: 時(shí)間:2013-10-04 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
vetica, sans-serif; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-BREAK: normal; TEXT-INDENT: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); TEXT-ALIGN: center; orphans: 2; widows: 2; webkit-text-size-adjust: auto; webkit-text-stroke-width: 0px">圖4 高壓產(chǎn)生器完成電路模組

  結(jié)論

  本文對(duì)所開(kāi)發(fā)高速大動(dòng)態(tài)范圍晶圓靜電量測(cè)模組,使輸出電壓可涵蓋規(guī)范靜電分類之最小電壓250V至最大電壓8000V大動(dòng)態(tài)范圍;并縮短低電壓切換至高電壓上升時(shí)間至80ms以內(nèi),未來(lái)將進(jìn)行小型試量產(chǎn)與至客戶端進(jìn)行耐久測(cè)試,并視商品化需求進(jìn)行修改,以達(dá)高速與大動(dòng)態(tài)范圍晶粒線上檢測(cè)與分類目的。于應(yīng)用方面除可用于靜電測(cè)試外主,搭配探針點(diǎn)測(cè)技術(shù)可應(yīng)用于半導(dǎo)體BGA、CSP(Chip Scale Package)、FC(Flip Chip)微小元件晶圓靜電測(cè)試。進(jìn)一步應(yīng)用包括可用于X-ray Tubes、Photomultiplier Tubes、Electron Beam Focusing等。


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