日本新技術(shù)實現(xiàn)磁盤記錄密度和容量增長

山形富士通、富士通研究所、神奈川科學技術(shù)研究院（KAST）光科學重點研究所室益田研究小組共同努力，成功地以25nm間隔在氧化鋁上以一維方式排列出了納米孔（發(fā)布資料）。納米孔是通過陽極氧化形成的。不僅有望實現(xiàn)記錄密度達1Tbit/平米英寸的磁記錄，還能將硬盤磁記錄介質(zhì)的記錄容量提高到現(xiàn)有產(chǎn)品的5倍以上。
       在1月7日于美國巴爾的摩舉行的磁技術(shù)國際會議“JointMMM/Intermag Conference（MMM-Intermag 2007）”上對該技術(shù)進行了詳細發(fā)表。此次開發(fā)的技術(shù)是一項旨在實現(xiàn)Tbit級垂直磁記錄介質(zhì)的基礎(chǔ)性研究，是受日本科學技術(shù)振興機構(gòu)（JST）的委托作為創(chuàng)新技術(shù)開發(fā)研究項目而實施的。研究時間自2004年至2006年度，共歷時3年。
可增加硬盤記錄密度的垂直磁記錄的研發(fā)工作早已進入實用化階段。業(yè)內(nèi)認為今后為了實現(xiàn)密度更高的磁記錄，需要采用以人工方式對磁性材料進行規(guī)則排列、稱為“晶格介質(zhì)（Patterned Media）”的記錄介質(zhì)。眾所周知，由鋁經(jīng)過陽極氧化而成的氧化鋁存在大量納米級的納米孔。通過在這些納米孔中填充磁性金屬，就有望實現(xiàn)晶格介質(zhì)。
       不過，氧化鋁中的納米孔有一個特點，它會以自生方式形成蜂窩狀的六方形致密結(jié)構(gòu)，因此不適合沿圓周方向進行磁記錄的硬盤。因而該研究小組于2005年6月開發(fā)了先在鋁表面以直線狀形成凹凸圖案，再對氧化鋁納米孔進行一維排列的手法（發(fā)布資料）。但當時的一維排列間隔最小只有45nm。此次通過對陽極氧化條件進行優(yōu)化，在凹部內(nèi)形成雙列納米孔，從而縮小了間隔。即使是間隔接近電子束繪制極限的50nm間隔的凹凸線也能在寬25nm的凹部兩側(cè)形成納米孔列，從而實現(xiàn)了25nm間隔。
      除此之外，還在填充了磁性體的納米孔磁性層（納米孔為隨機排列）下方，形成了用于將磁束向記錄層集中的軟磁性底膜，并成功地利用垂直磁記錄頭進行了記錄和讀取。今后準備制作以25nm間隔沿圓周方向排列納米孔，并且含有軟磁性底膜的記錄介質(zhì)，力爭實現(xiàn)1Tbit/平米英寸級的記錄與讀取。