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日本新技術(shù)實現(xiàn)磁盤記錄密度和容量增長

  • 山形富士通、富士通研究所、神奈川科學(xué)技術(shù)研究院（KAST）光科學(xué)重點研究所室益田研究小組共同努力，成功地以25nm間隔在氧化鋁上以一維方式排列出了納米孔（發(fā)布資料）。納米孔是通過陽極氧化形成的。不僅有望實現(xiàn)記錄密度達1Tbit/平米英寸的磁記錄，還能將硬盤磁記錄介質(zhì)的記錄容量提高到現(xiàn)有產(chǎn)品的5倍以上。        在1月7日于美國巴爾的摩舉行的磁技術(shù)國際會議“JointMMM/Intermag Conference（MMM-
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磁盤記錄介紹

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