LTCC實(shí)現(xiàn)SIP的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

引言

　　LTCC技術(shù)是近年來(lái)興起的一種令人矚目的整合組件技術(shù)，由于LTCC材料優(yōu)異的電子、機(jī)械、熱力特性，廣泛用于基板、封裝及微波器件等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)封裝的重要途徑。現(xiàn)在已經(jīng)研制出了把不同功能整合在一個(gè)器件里的產(chǎn)品，成功地應(yīng)用在無(wú)線局域網(wǎng)、地面數(shù)字廣播、全球定位系統(tǒng)接收機(jī)、微波系統(tǒng)等，及其他電源子功能模塊、數(shù)字電路基板等方面。

　　本文主要討論基于LTCC技術(shù)實(shí)現(xiàn)SIP的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)，并結(jié)合開(kāi)發(fā)的射頻前端SIP給出了應(yīng)用實(shí)例。

　　1 LTCC技術(shù)實(shí)現(xiàn)SIP的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)

　　LTCC技術(shù)是將低溫?zé)Y(jié)陶瓷粉末制成厚度精確而且致密的生瓷帶，在生瓷帶上利用沖孔或激光打孔、微孔注漿、精密導(dǎo)體漿料印刷等工藝制作出所需要的電路圖形，并可將無(wú)源元件和功能電路埋人多層陶瓷基板中，然后疊壓在一起，在850～900℃下燒結(jié)，制成三維空間的高密度電路?；贚TCC的 SIP相比傳統(tǒng)的SIP具有顯著的優(yōu)勢(shì)，最大優(yōu)點(diǎn)就是具有良好的高速、微波性能和極高的集成度。具體表現(xiàn)在以下幾方面：

　　(1)IXCC技術(shù)采用多層互連技術(shù)，可以提高集成度，IBM實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到一百多層。NTT未來(lái)網(wǎng)絡(luò)研究所以LTCC模塊的形式制作出用于發(fā)送毫米波段60GHz頻帶的SIP產(chǎn)品，尺寸為12 mm×12 mm×1.2 mm，18層布線層由0.1 mm×6層和0.05 mm×12層組成，集成了帶反射鏡的天線、功率放大器、帶通濾波器和電壓控制振蕩器等元件。LTCC材料厚度目前已經(jīng)系列化，一般單層厚度為10～100 μm。

　　(2)LTCC可以制作多種結(jié)構(gòu)的空腔，并且內(nèi)埋置元器件、無(wú)源功能元件，通過(guò)減少連接芯片導(dǎo)體的長(zhǎng)度與接點(diǎn)數(shù)，能集成的元件種類多，易于實(shí)現(xiàn)多功能化和提高組裝密度。提高布線密度和元件集成度，減少了SIP外圍電路元器件數(shù)目，簡(jiǎn)化了與SIP連接的外圍電路設(shè)計(jì)和降低了電路組裝難度和成本。

　　(3)根據(jù)配料的不同，LTCC材料的介電常數(shù)可以在很大的范圍內(nèi)變動(dòng)，可根據(jù)應(yīng)用要求靈活配置不同材料特性的基板，提高了設(shè)計(jì)的靈活性。比如一個(gè)高性能的SIP可能包含微波線路、高速數(shù)字電路、低頻的模擬信號(hào)等，可以采用相對(duì)介電常數(shù)為3.8的基板來(lái)設(shè)計(jì)高速數(shù)字電路;相對(duì)介電常數(shù)為6～80 的基板完成高頻微波線路的設(shè)計(jì);介電常數(shù)更高的基板設(shè)計(jì)各種無(wú)源元件，最后把它們層疊在一起燒結(jié)完成整個(gè)SIP的設(shè)計(jì)。另外，由于共燒溫度低，可以采用 Au、Ag、cu等高電導(dǎo)率的材料作為互連材料，具有更小的互連導(dǎo)體損耗，特別適合高頻、高速電路的應(yīng)用。

　　(4)基于LTCC技術(shù)的SIP具有良好的散熱性?，F(xiàn)在的電子產(chǎn)品功能越來(lái)越多，在有限的空間內(nèi)集成大量的電子元器件，散熱性能是影響系統(tǒng)性能和可靠性的重要因素。LTCC材料具有良好的熱導(dǎo)率，據(jù)研究其熱導(dǎo)率是有機(jī)材料的20倍，并且由于LTCC的連接孔采用是填孔方式，能夠?qū)崿F(xiàn)較好的導(dǎo)熱特性。

　　(5)基于LTCC技術(shù)的SIP同半導(dǎo)體器件有良好的熱匹配性能。LTCC的TCE(熱膨脹系數(shù))與Si、GaAs、InP接近，可以直接在基板上進(jìn)行芯片的組裝，這對(duì)于采用不同芯片材料的SIP有著非同一般的意義。

　　高頻、高速、高性能、高可靠性是數(shù)字3C產(chǎn)品發(fā)展必然的趨勢(shì)。預(yù)計(jì)到2010年SIP的布線密度可達(dá)6 000 cm/cm2，熱密度達(dá)到100 W/cm2，元件密度達(dá)5 000/cm2，I/O密度達(dá)3 000/cm2。基于LTCC技術(shù)的SIP在這些高集成度、大功率應(yīng)用中，在材料，工藝等方面必將進(jìn)入一個(gè)全新的發(fā)展階段，在未來(lái)的應(yīng)用中占據(jù)著越來(lái)越重要的地位。

　　2 應(yīng)用實(shí)例

　　基于LTCC技術(shù)，本文研制了一個(gè)射頻接收前端SIP，并由十三所的IXCC工藝完成。文中采用的工藝最小線寬、線間距均為50 μm;孔直徑170 μm;同一通孔處最大可以通孔15層;電容值范圍為1.0～100 pF;電感值范圍為1.0～40 nH;電阻槳料方阻為10 Ω/□、100Ω/□和1 kΩ/□，寬度最小0.2 mm，長(zhǎng)度最小0.3 mm，電阻控制精度為內(nèi)部±20%，表面為±5%。