“簡潔至上”的晶體管甲類音頻功率放大器
功率放大器的輸出電路方式,可按有無輸出變壓器分為兩類。無輸出變壓器的功放電路為了使揚聲器中無直流電流通過,必須采用電容耦合(OTL電路)或者正負兩套電源(OCL電路)。本文介紹的晶體管甲類音頻放大器選用變壓器輸出的單管放大方式,每聲道只用兩只管子,而若采用互補推挽電路,則至少要用四五只管子。由于所用的輸出變壓器初級阻抗只有幾十歐姆,所以繞制起來很容易,性能也很容易達到要求。采用變壓器輸出的一個突出優(yōu)點就是可以避免燒揚聲器。另外,變壓器次級線圈極小的直流電阻,會改善揚聲器的阻尼,使瞬態(tài)失真減小。
電路結(jié)構(gòu)與特點
該晶體管甲類音頻功率放大器電路及電源電路如圖1所示。這一功放電路具有高達15W的有效值輸出功率,它只用兩只晶體管,并把它們直接相連,復(fù)合成一只高跨導(dǎo)的功率場效應(yīng)晶體管。這是筆者受到絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的啟發(fā)偶爾想到的。IGBT是一種新型半導(dǎo)體功率器件,已成功地應(yīng)用于高頻開關(guān)電源中,近幾年在高保真聲頻功率放大器中也常見到它的蹤影。它兼有雙極型晶體管(即普通PNP、NPN晶體管)和單極型晶體管(即場效應(yīng)管)兩者的優(yōu)點,但沒有兩者各自的缺點,所以應(yīng)用前景非常廣闊。普通晶體管的飽和壓降小,但開關(guān)速度慢,而且是正溫度系數(shù)。場效應(yīng)管不需要輸入電流,開關(guān)速度快,具有負的溫度系數(shù),但是導(dǎo)通電阻較大。IGBT的等效電路如圖2所示,圖中(a)示出了由P溝道場效應(yīng)管和NPN型晶體管復(fù)合而成的IGBT等效電路,(b)示出了由N溝道場效應(yīng)管和PNP型晶體管復(fù)合而成的IGBT等效電路。由于目前的IGBT主要設(shè)計目的是用于開關(guān)電路而不是線性放大電路,所以其輸出特性曲線的線性不太好。筆者采用了一只性能優(yōu)良的日立名管2SJ77與一只國產(chǎn)大功率晶體管3DD9按IGBT結(jié)構(gòu)復(fù)合成輸出管。2SJ77(互補管為2SK214)是專門設(shè)計用于線性放大的中功率MOSFET,在高保真功率放大器中常用作推動管,口碑頗好。其跨導(dǎo)高達40mA/V(或40mS),輸入電容CIS為90pF,還不到大功率場效應(yīng)管2SJ49(2SK134)輸入電容的六分之一。
這種復(fù)合方式有以下顯著優(yōu)點:(1)具有極高的跨導(dǎo),可產(chǎn)生足夠的電壓增益。2SJ77的跨導(dǎo)為40mA/V。因為VT1的漏極直接接到了VT2的基極,所以VT2的發(fā)射極電流就是VT1漏極電流的(β+1)倍。如果VT2的電流放大系數(shù)β為50,則這只復(fù)合管的跨導(dǎo)就是2000mS。這就是說,場效應(yīng)管VT1的跨導(dǎo)被VT2放大了大約β倍。在圖1所示電路中3DD9的β選為40。當R3短路、R4開路時的開環(huán)電壓放大倍數(shù)為60。負載為8Ω時最大輸出功率為15W,可計算出所需輸入電壓的有效值約為0.18V。當R3=51Ω,R4開路時的電壓放大倍數(shù)約為30,這就是說,R3產(chǎn)生了-6dB的負反饋。當R3=51Ω,R4=2kΩ時的總電壓放大倍數(shù)為15,總負反饋量為-12dB。其中R3產(chǎn)生的反饋為電流串聯(lián)負反饋,R4產(chǎn)生的反饋為電壓串聯(lián)負反饋,各為-6dB。(2)VT1對于VT2來說為電流驅(qū)動,VT2的基極電流就是VT1的漏極電流,因此可避免雙極型晶體管VT2產(chǎn)生奇次諧波失真。場效應(yīng)管的柵源電壓UGS與其漏極電流ID為平方關(guān)系,雖然不是線性關(guān)系,但理論上只會產(chǎn)生二次諧波失真。而雙極型晶體管的基射電壓UBE與其集電極電流IC為指數(shù)關(guān)系,如果采用電壓源激勵,就會同時產(chǎn)生奇次和偶次諧波失真。但是如果采用電流驅(qū)動,則集電極電流IC與基射電壓UBE無關(guān),就可避免奇次諧波失真的產(chǎn)生。該功率放大器的音色醇厚而溫暖,頗有膽機的味道,其原因可能就在于此。(3)復(fù)合管的輸出管VT2的集電極直接接地,因此與散熱器之間不必加絕緣墊,有利于減小熱阻,這對于產(chǎn)生熱量較大的甲類功放更顯得必要。實際安裝時,應(yīng)將2SJ77靠近3DD9,目的是產(chǎn)生熱耦合,利用MOS型場效應(yīng)管的負溫度系數(shù)改善整個放大電路的溫度特性。如果不加負反饋,則2SJ77也可以不加絕緣墊,因為它的源極(即中間的管腳)正好為外殼。(4)這種復(fù)合管比目前IGBT管線性好,并且價格低。
該功放大器電路的偏置電路利用發(fā)光二極管作為偏壓穩(wěn)定,在電源電壓發(fā)生波動時,可保持靜態(tài)電流基本不變。
電源電路采用扼流圈輸入式倒L型濾波電路,輸出直流電壓約為電源變器次級電壓有效值的0.9倍。濾波電感器要求電感量大于1H,電流大于1.5A。如果感到扼流圈不便于自制與安裝,也可以采用圖3所示的穩(wěn)壓電源供電。因為單端放大電路對電源紋波沒有抑制作用,所以如果不用扼流圈或穩(wěn)壓電源而僅靠電容濾波,則即使電容用到20000μF時,也仍有幾十毫伏的交流聲。
圖1所示電路中的VT1與VT2,如改用MJ29585與2SK214,則輸出功率為10W。需注意的是復(fù)合后管子屬于N溝道的IGBT,故電源與電路中有極性的元器件與組件的極性都要反過來。
安裝、調(diào)試與技術(shù)指標
1.元器件的選擇 輸出管VT2選用國產(chǎn)的3DD9(F-3型金屬封裝),也可使用2SC2922等大功率管,但要求左右聲道兩只管盡量做到特性一致。最好用晶體管特性圖示儀測試,挑選線性較好(即曲線間隔均勻)的管子,但應(yīng)該注意測試條件要盡量接近實際工作狀態(tài)。正宗的進口管線性較好,一致性也較佳。而國產(chǎn)管的離散性較大,需要耐心挑選。還要特別注意該晶體管基極開路時的集射極間最高反向擊穿電壓,這一電壓應(yīng)大于電源電壓的三倍以上(即不低于160V),并要留有一定的裕量。否則當揚聲器開路時,輸出變壓器產(chǎn)生的感應(yīng)電壓容易將管子擊穿。
當VT2的電流放大系數(shù)為40,集電極靜態(tài)電流為0.7A時,基極電流約為17.5mA,它等于VT1的漏極電流。為了使VT1的靜態(tài)工作電流不致于太小而進入非線性區(qū),VT2的電流放大系數(shù)就不能太大。例如,若選VT2的電流放大系數(shù)為100,則VT1的漏極電流僅為7mA就可以使VT2的集電極電流達到0.7A。常見進口大功率管(如三肯的2SC2922,東芝的2SC3281等)的β值一般都在90以上,故VT2選用國產(chǎn)的3DD9。國產(chǎn)的3DF10C采用F-4型金屬封裝,也很不錯。
推動管VT1選用2SJ77,也需要在接近實際工作狀態(tài)的條件下進行挑選配對。2SJ77的挑選配對工作可采用圖4所示的電路來進行。,圖中6V電源可采用4節(jié)1號干電池。調(diào)節(jié)1kΩ電位器使100Ω電阻上的電壓為1.75V,此時漏極電流即為17.5mA。再用數(shù)字萬用表測量并記錄此時柵極對源極的直流電壓UGS,挑選兩只UGS相近的管子即可。如果要測量2SK214,則別忘了把電源極性反過來。MOS型場效應(yīng)管比較嬌氣,所以用晶體管特性圖示儀測試時,要特別謹慎,以免接地不良將管子擊穿損壞。
電源變壓器的功率容量應(yīng)不小于150VA,次級額定電流不應(yīng)低于2A。
輸出變壓器的制作工藝比膽機要求簡單得多。要求初級阻抗為72Ω,如果次級負載阻抗為8Ω,則初次級的匝數(shù)比為3∶1。該功率放大器所用輸出變壓器是在定州飛達電子廠定做的,也可以參照有關(guān)資料自己制作。
穩(wěn)壓電源中的調(diào)整管采用了國產(chǎn)鍺晶體管3AD30C,要求其電流放大系數(shù)不低于70。穩(wěn)壓電路雖然為集電極輸出電路,但由于鍺管的穿透電流比較大,故可不必另外設(shè)置啟動電路。調(diào)整管的集電極也可以直接接地。穩(wěn)壓二極管采用μ574,是彩電中專門用于穩(wěn)定高頻頭調(diào)諧電壓的集成電路,效果很好。同時還要調(diào)整取樣電阻,使輸出電壓為+38V,電源變壓器的次
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