受控阻抗線跡可用于匹配傳輸介質(zhì)的差動(dòng)阻抗（例如：線纜）和端接電阻。差動(dòng)阻抗由信號(hào)對(duì)線跡的物理幾何、它們同鄰近接地層的關(guān)系以及 PCB 電介質(zhì)決定。這些幾何形狀必須在整個(gè)線跡長(zhǎng)度上保持一致。

圖 5 描述了微波傳輸帶 (Microtrip) 線跡（外層線跡）及帶狀線線跡（通常是被兩個(gè)接地層夾在中間的層堆棧內(nèi)線跡）阻抗計(jì)算相關(guān)的參數(shù)。

圖 5 差動(dòng)線跡的物理幾何

為了計(jì)算出圖 5 中 100Ω 差動(dòng)阻抗 TMDS 信號(hào)對(duì)的線跡幾何，可以使用閉式方程 1 " 6。

1、對(duì)于松散耦合帶狀線而言，s > 12 mils，數(shù)字 0.748 可能被 0.374 替換。
2、W 2h 時(shí)，最大誤差為 3%
3、為了獲得最佳精確度，使 b " t > 2W 及 b > 4t，其中，b 為接地層之間的電介質(zhì)厚度。

考慮到差動(dòng)信號(hào)對(duì)及其環(huán)境之間的距離，圖 5 顯示了一個(gè)線跡 X，其未與鄰近的“+”和“"”導(dǎo)體中的電流關(guān)聯(lián)。X 可以為另一信號(hào)對(duì)線跡、一個(gè)接地屏蔽線跡或一個(gè) TTL/CMOS 線跡。

對(duì)于鄰近信號(hào)對(duì)和屏蔽線跡而言，使距離 d 等于 3 s。在一側(cè)運(yùn)行屏蔽線跡（接地更為適宜），可能會(huì)創(chuàng)建一個(gè)增加 EMI 的失衡。接地線跡屏蔽應(yīng)該對(duì)下層接地層有一個(gè)過(guò)孔散射。

請(qǐng)注意！乍一看上面的方程式，其呈現(xiàn)出一種可獲得線跡幾何的比較便宜的方法。但是，這些函數(shù)均基于經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)，并代表最佳情況下的近似值。實(shí)際精確度可能會(huì)有非常大的不同，各種原因甚至?xí)鸶哌_(dá) 10% 的可能誤差。

從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，一種更精確、成本更低的方法是使用一個(gè) 2D 或更好的場(chǎng)求解器。它是一種可對(duì)麥克斯韋 (Maxwell) 方程式求解并計(jì)算出任意橫截面?zhèn)鬏斁€電場(chǎng)和磁場(chǎng)的軟件工具。它還可以由以上這些計(jì)算出電氣性能項(xiàng)，例如：特性阻抗、信號(hào)速度、串?dāng)_和差動(dòng)阻抗。一些場(chǎng)求解器還可以計(jì)算出導(dǎo)體內(nèi)的電流分布情況。相對(duì)于近似法而言，一個(gè) 2D 場(chǎng)求解器的優(yōu)勢(shì)在于其考慮了幾乎所有任意橫截面幾何的靈活性。除了第一階項(xiàng)（例如：線寬、電介質(zhì)厚度和電解介質(zhì)常量）以外，第二階項(xiàng)（例如：線跡厚度、阻焊和線跡蝕刻背面）均可以被考慮到。

非連續(xù)性

非連續(xù)性就是信號(hào)路徑中差動(dòng)線跡阻抗偏離于其規(guī)定值（100Ω，即 15% HDMI）的地方，并假定更高或更低的阻抗值。非連續(xù)性可以引起由阻抗不匹配帶來(lái)的信號(hào)反射，進(jìn)而破壞信號(hào)完整性。這些主要是有效線跡寬度或線間間距變化的結(jié)果，而這些變化又是由不可避免的沿信號(hào)路徑線跡幾何傳輸，或由較差的信號(hào)線跡布線引起的。