D類音頻功率放大器設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

作者：時(shí)間：2012-06-25 來源：網(wǎng)絡(luò)

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慢變化的穩(wěn)定電壓;而D類功放的參考信號(hào)是一個(gè)不斷變化的音頻信號(hào)。也就是說，同步降壓轉(zhuǎn)換器的占空比是相對穩(wěn)定的，而D類以圍繞50%占空比不斷地改變。其二、在同步降壓轉(zhuǎn)換器中負(fù)載電流的方向總是朝著負(fù)載，即電感電流為單向,見圖3左所示。但是在D類功放中電流是朝著兩個(gè)方向的，即電感電流為雙向，見圖3右所示。最后的不同是MOSFET的優(yōu)化方式。同步降壓轉(zhuǎn)換器對于高低端的晶體管有著不同的優(yōu)化，較長的周期需要較低的Rds(on)，而較短的周期需要低的Qg(柵極電荷)，即兩個(gè)開關(guān)作用不同。但D類功放對兩個(gè)MOSFET有著相同的優(yōu)化方式。高低端器件有相同的Ras(on),即兩個(gè)開關(guān)作用相同。

D類功放和同步降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)湓?src="http://editerupload.eepw.com.cn/fetch/20131227/207475_2_0.jpg"

　　4、 D類功放中MOSFET的選擇

　　在功放中要達(dá)到高性能的關(guān)鍵因素是功率橋電路中的開關(guān)。在開關(guān)過程中產(chǎn)生的功率損耗、死區(qū)時(shí)間和電壓、電流瞬時(shí)毛刺等都應(yīng)該盡可能的最小化來改善功放的性能。因此，在這種功放中開關(guān)要做到低的電壓降，快速的開關(guān)時(shí)間和低雜散電感。

　　由于MOSFET開關(guān)速度很快，對于這種功放它是你最好的選擇。它是一個(gè)多數(shù)載流子器件，相對于IGBT和BJT它的開關(guān)時(shí)間比較快，因而在功放中有比較好的效率和線性度。而MOSFET的選擇是基于功放規(guī)格而定。因而在選擇器件以前要知道輸出功率和負(fù)載阻抗(如100W 8Ω)，功率電路拓?fù)?如半橋梁或全橋)，調(diào)制度(如89%—90%)。

5、 MOSFET中的功率損耗

　　功率開關(guān)中的損失在AB線性功放和D類功放之間是截然不同的。首先看一下在線性AB功放中的損耗,其損耗可以定義如下：

D類音頻功率放大器設(shè)計(jì)基礎(chǔ)