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平衡電子設(shè)備靜電防護(hù)和信號(hào)完整性設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2012-09-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
。隨著保護(hù)電路阻抗的增加,其流經(jīng)被保護(hù)電路的電流量也相應(yīng)增加,也相應(yīng)地增加了對(duì)ASIC產(chǎn)生ESD損害的可能性。相反地,隨著ASIC的動(dòng)態(tài)阻抗增大,流經(jīng)ASIC的剩余電流將會(huì)增加。因?yàn)槭S嚯娏魇桥c系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)的,這一值不專門在ESD防護(hù)資料表中列出。遺憾地是,很少有ESD保護(hù)廠商會(huì)標(biāo)明他們生產(chǎn)產(chǎn)品的動(dòng)態(tài)阻抗,但是有近似估算剩余電流和動(dòng)態(tài)阻抗值的技術(shù)方法。

  大多數(shù)的二極管廠商提供電流與電壓的關(guān)系曲線圖。雖然這些曲線圖通常使用8/20 μs脈沖而非IEC 61000-4-2 準(zhǔn)規(guī)定的脈沖,但是他們可用作電路阻抗的一般指標(biāo)。對(duì)于8/20μs脈沖,電流和電壓關(guān)系曲線完全是線性的,而且直線的斜率就是動(dòng)態(tài)電阻值(Rdyn)。典型的ESD二極管動(dòng)態(tài)電阻值(Rdyn)的變化范圍從低于一個(gè)歐姆到三個(gè)歐姆。聚合體也有非常低的電阻。

  另一方面,用于高速輸入/輸出端口的低電容抑制器具有很高的動(dòng)態(tài)電阻,其變化范圍是20歐姆或者更高值,這導(dǎo)致了被保護(hù)的ASIC電流值相對(duì)較高。事實(shí)上抑制器和變阻器從“被保護(hù)”的ASIC分流了很少的電流。因此上大部份的電流實(shí)際上傳到了ASIC。顯然,這一個(gè)特性使得他們很少被選用作ESD防護(hù)。

  確保ESD防護(hù)的可靠性在傳統(tǒng)的ESD防護(hù)技術(shù)中,雖然半導(dǎo)體二極管提供了最好的ESD保護(hù),但它們不能夠保護(hù)當(dāng)前采用的亞微米幾何尺寸制造的最新ASICs。通過采用傳統(tǒng)手段進(jìn)一步的減少這些裝置的箝位電壓和動(dòng)態(tài)電阻則意味著增加電容量-這在高速應(yīng)用中是個(gè)無法接受的取舍。一種新的ESD防護(hù)基本方法是利用新型雙箝位結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)與電感、電阻一起集成了兩級(jí)低電容二極管連同電感和一個(gè)電阻器,通過這種方式能在保持的同時(shí),顯著地減少剩余電流、箝位電壓并提供有效地ESD保護(hù),如下圖:

  ESD防護(hù)電路圖

  ESD防護(hù)電路圖

  當(dāng)ESD沖擊發(fā)生時(shí),電路結(jié)構(gòu)中的第一級(jí)開始抑制,分流大部份的電流并減小電壓。剩余電流經(jīng)過一個(gè)電阻后,沖擊第二級(jí)電路,這將進(jìn)一步減小電壓,最終使流到ASIC的電流最小。

  這種電路結(jié)構(gòu)能為高速USB,高清多媒體和個(gè)人計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)提供ESD保護(hù)。通過片上匹配、減小偏差和EMI并改進(jìn)由于集總電感引起的TDR(時(shí)域反射計(jì)效應(yīng)),得到改進(jìn)。


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