EMI控制方法：屏蔽、濾波、接地三

　　濾波通常采用三種器件來(lái)實(shí)現(xiàn)：去耦電容、EMI濾波器和磁性元件。

　　2.1去耦電容

　　前面我們?cè)?jīng)分析過(guò)，當(dāng)電路在很快的器件高低電平變換的時(shí)候，就會(huì)產(chǎn)生一系列的正弦諧波分量，這些正弦諧波分量就是我們所說(shuō)的EMI成分，這些高頻諧波會(huì)通過(guò)和其他設(shè)備之間的耦合通道對(duì)其他設(shè)備造成電磁干擾。合理使用去耦電容就能起到很好的抑制電磁干擾的效果，實(shí)際的電容是可以等效圖3所示的模型：

　　圖3 電容的等效模型

　　其中等效串聯(lián)電阻我們稱之為ESR，等效串聯(lián)電感我們稱之為ESL，我們可以計(jì)算出這個(gè)等效電容的諧振頻率為：

　　Fr=1/2π√LC

　　電容的濾波原理就是通過(guò)這個(gè)頻率來(lái)確定。小于諧振頻率的時(shí)，電容體現(xiàn)為容性，而當(dāng)頻率大于諧振頻率的時(shí)，電容就體現(xiàn)為感性。所以，我們?cè)跒V除較為低頻的噪聲的時(shí)候，就應(yīng)當(dāng)選擇電容值比較高的電容，想濾去頻率較高的噪聲，比如我們前面所說(shuō)的EMI，則應(yīng)該選擇數(shù)值比較小的電容。所以，在實(shí)際中，我們通常放置一個(gè)1uf到10uf左右的去耦電容在每個(gè)電源輸出管腳處，來(lái)抑制低頻成分，而選取O.01uf到O.1uf左右的去耦電容來(lái)濾除高頻部分(對(duì)去耦電容的特性分析請(qǐng)參考第五章電源完整性分析)。 為了獲得最佳的EMI抑制效果，我們最好能在每組電源和地的引腳都能安裝一個(gè)電容，但是如果電源在流出引腳前在Ic內(nèi)部已經(jīng)放置去耦電容，那么在引腳處就不必在和每個(gè)地之間連接一個(gè)電容了.但是這樣對(duì)IC芯片的成本會(huì)相應(yīng)提高。

　　圖4是一個(gè)放置耦合電容和不放置耦合電容的EMI仿真比較：

　　圖4 去耦電容對(duì)抑制EMI的作用

　　2.2 EMI濾波器

　　EMI濾波一般是用在對(duì)電源線的濾波，它是用來(lái)隔離電路板或者系統(tǒng)內(nèi)外的電源，它的作用是雙向的，即可以作為輸出濾波，也可以作為輸入濾波.EMI濾波器是由電感和電容