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差分放大器的不匹配效應(yīng)及其消除

作者： 時間：2012-10-29 來源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
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公式

　　

由于寬度的增加而使長度不匹配減小

　　式中：△L0是寬為W0的晶體管長度變化的統(tǒng)計值。等式表明，對于給定的W0，隨著n的增加，Leq的變化減小，如圖4所示。

　　

寬的MOSFET被看成窄器件的關(guān)聯(lián)

　　上述結(jié)論也可以擴展到其他器件參數(shù)。例如，假定：器件面積增加，μCox與VTH有更小的失配。如圖5所示，理由是，大尺寸晶體管可以分解為寬長分別為W0和L0小單元晶體管的串并聯(lián)。其中，每個單元都呈現(xiàn)出(μCox)j與VTHj。對于給定的W0與L0，μCox與VTH經(jīng)歷更大的平均過程，致使大尺寸晶體管之間的失配更小。

　　

大尺寸MOSFET可看成小尺寸器件的組合

　　3 版圖方法減少失配

　　針對電路設(shè)計中，特別是全差動電路中的不對稱而產(chǎn)生的電路失調(diào)，盡管有些失配是不可避免的，但是在版圖設(shè)計中，可通過器件對稱設(shè)計，使晶體管方面優(yōu)化，對所關(guān)心的器件及周圍環(huán)境進(jìn)行對稱性設(shè)計，盡量減少因工藝制造原理而引起的失配。

　　如圖6(a)所示，如果兩個MOS管按圖6(b)那樣沿不同方法放置，由于在光刻及圓片加工的許多步驟中沿不同軸向的特性大不一樣，就會產(chǎn)生很大失配。因而圖6(c)和(d)的方案更合理一些。這兩者的選擇是由一種稱作“柵陰影”的細(xì)微效應(yīng)決定的。

　　

版圖上的對稱性設(shè)計

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