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BluGlass通過RPCVD技術(shù)減少GaN膜生長雜質(zhì)

作者: 時間:2013-05-11 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
澳大利亞的公司聲稱使用他們的低溫遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積(RPCVD)技術(shù)可以產(chǎn)生理想純度的氮化鎵(GaN)。該公司說,他們的可以產(chǎn)生低含量的碳、氫和氧雜質(zhì)的氮化鎵,其雜質(zhì)含量程度可以與金屬有機(jī)物氣相沉積的GaN層相媲美。

  知名且獨立的材料特性公司Evans Analytical Group采用了二次離子光譜學(xué)予以證明,的技術(shù)可以將碳、氫和氧雜質(zhì)的水平控制在每立方厘米為1*1017個原子以下。

  現(xiàn)在計劃對p-GaN層進(jìn)行優(yōu)化,并將RPCVD的優(yōu)點介紹給顧客,包括該技術(shù)跟傳統(tǒng)的MOCVD 相比所獲得的LED設(shè)備效率的提高。

  BluGlass的CEO Giles Bourne說:“這一成果對于我們公司來說是一個突破,也是給業(yè)界和未來顧客證明我們技術(shù)實力的關(guān)鍵一步。眾所周知,碳和氧抑制了的障礙,所以這兩種雜質(zhì)的降低將是一個重要的發(fā)現(xiàn)。



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