基于固態(tài)存儲器的ECC算法分析及實現(xiàn)
列校驗碼生成用數(shù)學(xué)表達式表示為本文引用地址:http://2s4d.com/article/202613.htm
行校驗碼生成用數(shù)學(xué)表達式表示為
這里xor表示異或操作。
因為發(fā)生錯誤的數(shù)據(jù)位在該數(shù)據(jù)塊中的字節(jié)的偏移量為
發(fā)生錯誤的數(shù)據(jù)位在所處的字節(jié)中的位偏移量為P4_1,P2_1,P1_1
所以根據(jù)字節(jié)的偏移量和字節(jié)中的位的偏移量即可確定該頁數(shù)據(jù)中哪一位發(fā)生了變化。
2.2 ECC校驗流程
當(dāng)向NAND Flash的頁中寫入數(shù)據(jù)的時候,每2 048 bit生成4 bit的ECC校驗碼,稱之為寫ECC校驗碼,保存到每一頁的空閑數(shù)據(jù)區(qū)中。
當(dāng)從NAND Flash中讀取數(shù)據(jù)的時候,每2 048 bit生成4 bit的ECC校驗碼,稱之為讀ECC校驗碼。校驗的時候,根據(jù)上述ECC生成原理不難推斷:將從頁空閑區(qū)中讀出的寫ECC校驗碼和讀ECC校驗碼按位異或,若結(jié)果為0,則表示不存在錯;若4 bit的異或結(jié)果中存在14 bit為1,表示存在1 bit錯誤,且可糾正;若4個bit的異或結(jié)果中只存在1 bit為1,表示空閑區(qū)中的校驗碼出錯;其他情況均表示出現(xiàn)了無法糾正的錯誤,校驗流程圖,如圖2所示。
3 ECC算法的實現(xiàn)
3.1 C語言實現(xiàn)ECC算法
以一頁數(shù)據(jù)2 048個字節(jié)作為測試數(shù)據(jù)產(chǎn)生ECC校驗碼,數(shù)據(jù)是0x00~0xFF,循環(huán)8次產(chǎn)生2048個數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)序列,如圖3所示。
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