RT10XX 降低喚醒時(shí)沖擊電流

近來(lái)有客戶反饋，當(dāng)使用RT1060從suspend mode喚醒時(shí)，會(huì)在VDD_HIGH_IN觀測(cè)到一個(gè)較大電流。與此同時(shí)，電壓也會(huì)產(chǎn)生一個(gè)較大的跌落，下降到RT1060的臨界數(shù)值3.0V附近。在一些極端情況下可能會(huì)引起MCU異常無(wú)法正常工作。

如下圖所示，VDD_HIGH_IN主要為芯片內(nèi)部的analog部分供電，主要包括各類PLL，晶振，fuse，以及LDO。

經(jīng)過(guò)查閱應(yīng)用筆記，Suspend模式下，芯片內(nèi)部的LDO_2P5和LDO_1P1會(huì)被關(guān)閉以降低功耗，當(dāng)喚醒時(shí)，這兩個(gè)LDO將會(huì)被啟動(dòng)為芯片內(nèi)部的電路供電。另外，這兩個(gè)LDO還外接了電容，在進(jìn)入Suspend的時(shí)候LDO關(guān)閉，電容放電；在喚醒時(shí)，LDO開(kāi)啟，電容充電。那么引起問(wèn)題的沖擊電流很可能就是來(lái)自于這個(gè)兩個(gè)外接電容。

為了驗(yàn)證這個(gè)猜想，在進(jìn)入Suspend之前不關(guān)閉這兩個(gè)LDO，然后喚醒MCU，問(wèn)題消失。但隨之而來(lái)的是帶來(lái)不必要的一些功耗。那么有沒(méi)有什么辦法既能在Suspend下關(guān)閉LDO節(jié)省功耗，又能在喚醒時(shí)減緩沖擊電流呢？答案必須有！

LDO有限流功能，以LDO_1P1為例，將bit2置1即可使能這個(gè)功能。在LDO_2P5的寄存器中也有相同功能，也是bit2寫1即可。我們同時(shí)將這兩個(gè)bit寫1，再進(jìn)行電流測(cè)試。

PMU->REG_2P5_SET |= 1<<2;

PMU->REG_1P1_SET |= 1<<2;

測(cè)試結(jié)果見(jiàn)下圖，峰值沖擊電流由原來(lái)高達(dá)2A減低到了400mA 。最低電壓由臨界值3.0V變成了3.25V左右。改善效果非常明顯。

如果你也遇到過(guò)類似情況，建議嘗試。