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北交大本科生探秘泰克先進半導體開放實驗室,親歷前沿高科技魅力

作者: 時間:2024-11-25 來源:EEPW 收藏

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本文引用地址:http://2s4d.com/article/202411/464909.htm

10月24日,北京交通大學電氣工程學院的“電力電子方向?qū)I(yè)綜合設計與實踐”本科大四學生在楊曉峰教授的帶領下,走進了先進半導體開放實驗室,開啟了一場科技探秘之旅。這次活動的目的,是為了讓學生們跳出課本,近距離感受行業(yè)脈搏,體驗產(chǎn)教結(jié)合的魅力。

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在實驗室里,的工程師們帶領同學們走近時下熱點的SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等新型功率器件的動態(tài)、靜態(tài)特性參數(shù)測試設備,同時還分享了行業(yè)內(nèi)的可靠性測試方案。工程師還為同學們詳細講解了靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)的構(gòu)造、工作原理和操作方法。這些測試可是功率器件測試的基本功。這次實踐課的主要內(nèi)容涉及器件的直流參數(shù),比如擊穿電壓、漏電流、閾值電壓以及在高偏置電壓下的寄生電容等關(guān)鍵數(shù)據(jù)。的工程師們現(xiàn)場演示了如何用這些設備進行精準測量,確保測試結(jié)果既準確又可靠。

此外,工程師們還結(jié)合了IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)與SiC(碳化硅)器件的實際測試案例,讓同學們對新型功率器件的特性和應用場景有了更直觀的認識,通過對測試結(jié)果的比對,讓同學們更加直觀的理解新一代功率器件在特性參數(shù)上的區(qū)別,以及為產(chǎn)品設計帶來的優(yōu)勢。SiC作為第三代半導體材料,以其高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點,在高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件下展現(xiàn)出卓越的性能。

在實際測試環(huán)節(jié),同學們有機會親自體驗泰克的先進測試設備,體驗了從設備設置到數(shù)據(jù)采集的全過程。泰克工程師們還特別強調(diào)了在測試過程中對噪聲和干擾的控制,以及如何優(yōu)化測試信號的準確性 。通過這些實際操作,同學們不僅增進了對理論知識的學習,還獲得了寶貴的實踐經(jīng)驗。

此次參觀活動不僅讓北京交通大學的本科生同學們對第三代半導體功率器件有了更深入的了解,也為他們的學術(shù)研究和未來的職業(yè)生涯打下了堅實的基礎。以其開放性、先進性和本地化服務,為學生們提供了一個寶貴的學習和交流平臺。同時,新能源與儲能行業(yè)測試、仿真全套解決方案供應商,北京科華新能測控技術(shù)有限公司的朱潤峰經(jīng)理也全程陪同參與這次交流活動,并與同學們交流了行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和未來的機遇挑戰(zhàn)。

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結(jié)語

隨著第三代半導體技術(shù)的不斷發(fā)展,對相關(guān)技術(shù)人才的需求日益增長。與北京交通大學電氣工程學院共同組織的這次時間交流活動,不僅增強了學校與產(chǎn)業(yè)界之間的交流互動,也增進了同學們對第三代半導體功率器件測試技術(shù)的理解,為未來可能從事的相關(guān)領域工作做好了準備。將繼續(xù)發(fā)揮其在行業(yè)內(nèi)的領導作用,為中國半導體行業(yè)的發(fā)展貢獻力量。



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