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羅姆即將亮相2023上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

作者: 時(shí)間:2023-08-17 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

全球知名半導(dǎo)體制造商(總部位于日本京都市)將于8月29日~31日參加在上海新國(guó)際博覽中心舉辦的2023上海國(guó)際、管理展覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia)(展位號(hào):W2館2D03)。屆時(shí),將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體,展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí),工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“第三代半導(dǎo)體論壇”以及“電力電子應(yīng)用技術(shù)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享最新的功率電子技術(shù)成果。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202308/449703.htm

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展位效果圖

羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅為核心的功率元器件技術(shù),以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和模塊技術(shù),在提供電源解決方案的同時(shí),為工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域的節(jié)能化、小型化做出貢獻(xiàn)。在本次PCIM Asia展會(huì)上,針對(duì)日益增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)需求,羅姆將重點(diǎn)展示以下產(chǎn)品和解決方案:

碳化硅:憑借低開(kāi)關(guān)損耗、低導(dǎo)通電阻特性,為節(jié)能做貢獻(xiàn)

與傳統(tǒng)的硅器件相比,碳化硅器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選元器件。羅姆在碳化硅功率元器件和模塊的開(kāi)發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位,其先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻,充分地減少了開(kāi)關(guān)損耗,并支持15V和18V的柵極-源極電壓,有助于在包括汽車(chē)逆變器和各種開(kāi)關(guān)電源在內(nèi)的各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)顯著的小型化和低功耗。在本次展會(huì)上,羅姆將帶來(lái)面向車(chē)載應(yīng)用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列產(chǎn)品展示。

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氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品:助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化

GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。2022年,羅姆將柵極耐壓高達(dá)8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產(chǎn);2023年3月,又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術(shù)。近期,為助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化,推出了器件性能達(dá)到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。此外,還結(jié)合自身功率電子和模擬兩大核心技術(shù)優(yōu)勢(shì),又推出了EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”,該產(chǎn)品集GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器于一體,使GaN器件輕輕松松即可實(shí)現(xiàn)安裝,助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積。在本次PCIM Asia展會(huì)上,羅姆將展示氮化鎵相關(guān)的一系列重點(diǎn)產(chǎn)品。

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用于電動(dòng)汽車(chē)以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的高性能解決方案:

內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器“BM611x系列”,是3.75kV隔離、AEC-Q100認(rèn)證的柵極驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為xEV牽引逆變器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其中,“BM6112FV-C”專(zhuān)為高功率IGBT和SiC應(yīng)用而設(shè)計(jì),柵極驅(qū)動(dòng)電流20A。此外,AC-DC轉(zhuǎn)換器IC產(chǎn)品系列(650V、800V、1700V)為各種外接交流電源產(chǎn)品提供更佳系統(tǒng),準(zhǔn)諧振操作可實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān),并有助于保持較低的EMI。其中,“BM2SC12xFP2-LBZ”內(nèi)置1700V SiC MOSFET,方便設(shè)計(jì),有效降低輕負(fù)載時(shí)的電力消耗,具備各種保護(hù)功能。

一直以來(lái),羅姆不僅在產(chǎn)品研發(fā)上投入力量,還積極與行業(yè)伙伴建立戰(zhàn)略關(guān)系,聯(lián)合推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新,旨在解決社會(huì)面臨的問(wèn)題。除了以上豐富的產(chǎn)品及解決方案展示以外,屆時(shí)還將展示眾多合作伙伴的應(yīng)用案例,不容錯(cuò)過(guò)!在現(xiàn)場(chǎng)更有來(lái)自羅姆的專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售和經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)人員助陣,互動(dòng)交流。

【展會(huì)信息】

時(shí)  間:2023年8月29日(周二)~31日(周四)09:30~17:00(僅31日16:00結(jié)束)

會(huì)  場(chǎng):上海新國(guó)際博覽中心W2館

展位號(hào):2D03

地  址:上海市浦東新區(qū)龍陽(yáng)路2345號(hào)

【羅姆演講場(chǎng)次】

論壇名稱(chēng):第三代半導(dǎo)體論壇

地點(diǎn):W2館二樓M9會(huì)議室

時(shí)間:8月30日(周三)10:40~11:00

主題:氮化鎵相關(guān)新產(chǎn)品及系統(tǒng)介紹

論壇名稱(chēng): “電力電子應(yīng)用技術(shù)論壇”

地點(diǎn):W2館G40論壇區(qū)

時(shí)間:8月30日(周三)13:00~13:20

主題:第四代SiC以及模塊設(shè)計(jì)的注意點(diǎn)

<關(guān)于PCIM Asia 上海國(guó)際、管理展覽會(huì)>

作為全球電力電子頂尖展會(huì)PCIM Europe的姐妹展,PCIM Asia 國(guó)際管理展覽會(huì)是一場(chǎng)在亞洲領(lǐng)先的電力電子國(guó)際展覽會(huì)及研討會(huì)。PCIM Asia 作為一個(gè)涵蓋組件、驅(qū)動(dòng)控制、散熱管理及終端智能系統(tǒng)的全方位展示平臺(tái),向業(yè)界人士呈現(xiàn)一條完整的產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈。



關(guān)鍵詞: 羅姆 電力元件 可再生能源

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