有關光電二極管和光電晶體管的硬核科普，值得收藏！

作者：時間：2022-10-10 來源：DigiKey

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有一類設計問題可以很容易地通過人類視覺來解決。例如，感知打印機中紙張的位置正確與否。判斷紙張對準與否對人類來講輕而易舉，但微處理器來說則另當別論。手機攝像頭需要測量環(huán)境光線以確定是否需要啟動閃光燈。如何無創(chuàng)評估血液中的氧含量？

本文引用地址：http://2s4d.com/article/202210/438900.htm

使用光電二極管或光電晶體管可以解決這些問題。這些光電器件將光線（光子）轉換為微處理器（或微控制器）能夠“看到”的電信號。這樣，就能夠控制物體的定位和排列，確定光強度并根據(jù)材料與光的相互作用來測量其物理特性。

本文將介紹光電二極管和光電晶體管的工作原理及其基本應用知識，并將以Advanced Photonix, Inc.、Vishay Semiconductor Opto Division、Excelitas Technologies、Genicom Co., Ltd.和Marktech Optoelectronics等廠商提供的器件為例進行介紹。

光電二極管和光電晶體管的常用光譜

光電二極管和光電晶體管對一系列波長的光波敏感。在有些情況下，這是設計考慮事項，例如，讓人眼看不到具體操作。設計人員應了解光譜，以使器件與應用相匹配。

光譜范圍為從長波長紅外線 (IR) 延伸到短波長紫外線 (UV)（圖1）?？梢姽獾牟ㄩL介于兩者之間。

圖1：電磁波譜的一部分，光譜橫跨紫外線到紅外線，中間部分是可見光譜。該表列出了可見光波長及其相關頻率。（圖片來源：Once Lighting（上）和 Art Pini（下））

大多數(shù)光電器件都是使用納米 (nm) 工作波長來指定的；很少使用頻率值。

硅 (Si) 光電二極管往往對可見光敏感。紅外敏感器件使用銻化銦 (InSb)、砷化鎵銦 (InGaAs)、鍺 (Ge) 或碲化鎘汞 (HgCdTe)。紫外線敏感器件通常使用碳化硅 (SiC)。

光電二極管

光電二極管是一種雙元件P-N或PIN結，通過透明體或外蓋暴露在光線下。當光線照射到結時，會根據(jù)具體工作模式產生電流或電壓。光電二極管有三種工作模式，具體取決于施加到該器件的偏置值。這些是光伏、光電導或雪崩二極管模式。

如果光電二極管未施加偏置信號，則在光電模式下工作并且能在光源照射下產生一個小輸出電壓。這種模式下，光電二極管的作用就像太陽能電池。光電模式在低頻應用中很有用，一般低于350kHz且光強小。這種輸出電壓很低，且在大多數(shù)情況下，光電二極管的輸出需要采用放大器。

光電導模式要求對光電二極管進行反向偏置。此處施加的反向偏置電壓將在P-N結產生一個耗盡區(qū)。偏置電壓越大，耗盡區(qū)就越寬。與無偏置電壓的二極管相比，耗盡區(qū)越寬會導致電容減少，從而使響應時間更快。這種工作模式的噪音水平較高，可能需要通過帶寬限制進行控制。

如果進一步增大反向偏置電壓，光電二極管將在雪崩二極管模式下工作。在這種工作模式下，光電二極管在高反向偏置電壓下工作，允許由于雪崩擊穿效應使每個由光線產生的電子空穴對的數(shù)量實現(xiàn)倍增。這將帶來光電二極管內部增益和更高的靈敏度。這種工作模式的功能類似于光電倍增管。

在大多數(shù)應用中，光電二極管在具有反向偏置電壓的光電導模式下工作（圖2）。

圖2：由于在耗盡區(qū)產生了電子空穴對，施加了反向偏置電壓的光電二極管產生的電流與光強度成正比。藍色圓表示電子，白色圓表示空穴。（圖片來源：Art Pini）

施加了反向偏置電壓的未發(fā)光光電二極管結中有一個自由載流子很少的耗盡區(qū)。它看起來像一個帶電的電容器。有一個由熱激發(fā)電離引起的小電流，稱為“暗”電流。理想光電二極管的暗電流為零。暗電流、熱噪聲水平與二極管的溫度成正比。由于光照度極低，暗電流會掩蓋光電流，所以應選擇小暗電流器件。

當具有足夠能量的光線照射在耗盡層時，會電離晶體結構中的原子并產生電子空穴對。由于施加了偏置電壓，現(xiàn)有的電場會把電子移動到陰極，空穴移動到陽極，從而產生光電流。光強度越大，光電流就越大。圖3所示的反向偏置光電二極管的電流電壓特性說明了這一點。

圖3：反向偏置光電二極管的VI特征說明二極管電流的遞增量是光照強度的函數(shù)。（圖片來源：Art Pini）

該圖顯示二極管反向電流是所施加反向偏置電壓的函數(shù)，且以光強度為參數(shù)。請注意，光照強度增大會使反向電流水平成比例增大。這就是使用光電二極管測量光強度的基本原理。當偏置電壓大于0.5伏時，幾乎不會影響光電流。將反向電流施加到跨阻放大器上，可將其轉換為電壓。

光電二極管的類型

光檢測和測量應用的多樣性催生了各種不同的光電二極管類型?；镜墓怆姸O管是平面P-N結型二極管。這種器件在無偏置光電模式下的性能最佳。這種器件也最具成本效益。

例如，Advanced Photonix的002-151-001就是一款平面擴散InGaAs光電二極管/光電探測器（圖4）。該器件采用表面貼裝器件 (SMD) 封裝，尺寸為1.6 x 3.2 x 1.1mm，有源光孔直徑為0.05mm。

圖4：002-151-001是一款平面擴散P-N SMD光電二極管，尺寸為1.6 x 3.2 x 1.1 mm。該器件的光譜范圍為800nm至1700nm。（圖片源：Advanced Photonix）

這種InGaAs光電二極管的光譜范圍為800nm至1700nm，涵蓋了紅外光譜。該器件的暗電流小于1nA。該器件的光譜響應率規(guī)定了比光功率輸入下的電流輸出，通常為1A/W。該器件的應用范圍包括工業(yè)檢測、安全和通信。

PIN二極管通過在傳統(tǒng)二極管的P型層和N型層之間層疊高電阻率本征半導體層而形成，因此名稱PIN反映了該二極管的結構。

插入本征層可以增加二極管耗盡層的有效寬度，從而產生很小的電容并提高擊穿電壓。較小的電容有效地提高了光電二極管的速度。較大的耗盡區(qū)可產生更多的光子誘導電子空穴，實現(xiàn)更高的量子效率。

Vishay Semiconductor Opto Division的VBP104SR是一款硅PIN光電二極管，涵蓋430nm至1100nm的光譜范圍（紫光至近紅外）。該器件的典型暗電流為2nA，并有一個4.4mm2的大光學敏感區(qū)（圖5）。

圖5：Vishay VBP104SR是一款具有大光學感測窗口的PIN光電二極管，用于高速光檢測。（圖片來源：Vishay Semiconductors）

雪崩光電二極管 (APD) 在功能上類似于光電倍增管，利用雪崩效應在二極管中產生增益。在高反向偏壓的情況下，每個空穴電子對通過雪崩擊穿方式產生更多的空穴電子對。這樣會產生以更大的“光電流每光子”表示的增益。這使得APD成為低光靈敏度的理想選擇。

例如，Excelitas Technologies的C30737LH-500-92C就是一種APD。該器件的光譜范圍為500nm至1000nm（藍綠色至近紅外），峰值響應為905nm（紅外）。該器件的光譜響應率為900nm時60A/W，暗電流小于1nA。該器件適合高帶寬應用，如汽車光探測和測距 (LiDAR) 和光通信（圖6）。

圖6：C30737LH-500-92C雪崩光電二極管是一種高帶寬光電二極管，針對LiDAR和光通信等應用。（圖片來源：Excelitas Technology）

肖特基光電二極管

肖特基光電二極管是基于金屬半導體結的器件。這種結的金屬側形成陽極電極，而N型半導體側則是陰極。光子穿過部分透明的金屬層，在N型半導體中被吸收，從而釋放出帶電載流子對。這些自由帶電的載流子在所施加電場的作用下脫離耗盡層，形成光電流。

這種二極管的另外一個重要特性是其非?？斓捻憫獣r間。這種器件一般采用能夠快速反應的小型二極管結結構。目前市場上已有帶寬在千兆赫茲 (GHz) 范圍內的肖特基光電二極管。這使其成為高帶寬光通信鏈路的理想之選。

例如，來自Genicom Co., Ltd的GUVB-S11SD光傳感器就是一種肖特基光電二極管（圖7）。這種對紫外線敏感的光電二極管用于諸如紫外線指數(shù)等應用。該器件使用一種基于氮化鋁(AlGaN) 的材料，在紫外光譜中的光譜靈敏度范圍為240nm至320nm。該器件具有光譜敏感性，但對可見光不敏感，這在光線明亮的環(huán)境中是一種有用的功能。該器件的暗電流小于1nA，響應率為0.11A/W。

圖7：GUVB-S11SD是一款基于AlGaN的UV敏感性光傳感器，其有源光學面積為0.076mm2。（圖片來源：Genicom Co, Ltd.）

光電晶體管

光電晶體管是一種與光電二極管相似的結半導體器件，其產生的電流與光強度成正比。這種器件可以認為是一種內置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種NPN晶體管，其基極連接部分被光源所取代?；鶚O集電極結采用反向偏置，通過透明窗口暴露在外部光線下。該器件的基極集電極結會特意做得盡可能大，以使光電流達到最大。基極發(fā)射極結采用正向偏置，其集電極電流是入射光照度的函數(shù)。光線提供基極電流，通過正常的晶體管作用將其放大。在沒有光照的情況下與光電二極管類似，會有小的暗電流流過。

Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一種NPN光電晶體管，其光譜靈敏度為400nm至1100nm（可見光至近紅外），光響應峰值為880nm（圖8）。