Rambus更新HBM3內存：單顆1TB帶寬不是夢

在各類存儲系統(tǒng)中，位于CPU內部的SRAM系統(tǒng)性能最強，讀寫速度最快。在外置存儲中，最快自然是DRAM產品，目前帶寬最高的HBM2e內存的引腳速率達到3.2Gbps。美國內存IP廠商Rambus在8月底宣布推出HBM3內存接口子系統(tǒng)，引腳速率提升至8.4Gbps，可為人工智能/機器學習?(AI/ML)?和高性能計算(HPC)?等應用提供TB級帶寬，是當前速率最快的HBM產品。?

??Rambus預計，HBM3內存會在2022年末或2023年初流片，實際應用于數據中心?、AI、HPC等領域。國內的一流AI芯片廠商都和Rambus接觸，預計行業(yè)將會快速升級到HBM3標準。Rambus大中華區(qū)總經理蘇雷?、Rambus?IP核產品營銷高級總監(jiān)Frank?Ferro就Rambus?HBM3的具體性能以及Rambus對客戶的支持等進行了深入交流。?

??隨著越來越多的公司進入人工智能市場，對內存帶寬提出更多要求，神經網絡和深度學習等AI應用也在不斷推動內存帶寬增長。Rambus的HBM3內存子系統(tǒng)提高原有性能標準，包含完全集成的PHY和數字控制器，可以支持當下很多AI及HPC應用。?

??從HBM3高達8.4Gbps/pin的數據傳輸速率可以得到，HBM3的單腳帶寬達1075.2GB/s(1.05TB/s)。Rambus的HBM3支持標準的64位16通道，支持2、4、8、12和16?HBM3?DRAM堆棧，信道密度達32Gb。由于HBM3具有較高的數據傳輸速率和帶寬，可以被廣泛應用于AI、?機器學習、HPC等應用。HBM3采用2.5D架構，可通過堆疊的方式集成4條DRAM內存條，下方是SoC和中介層，最下面的綠色部分則是封裝。

??作為對比，2016年HBM2的帶寬為256GB/s，I/O數據速率為2Gbps;HBM2e的帶寬達到460GB/s，?數據傳輸速率達3.6Gbps。SK海力士公布的HBM3帶寬和傳輸速率分別為665GB/s和5.2Gbps;Rambus的HBM3性能又進一步提升，分別達1075GB/s和8.4Gbps。?

??對客戶來說?，Rambus會提供SI/PI專家技術支持，確保設備和系統(tǒng)具有最優(yōu)的信號和電源完整性。作為IP授權的一部分?，Rambus也將提供2.5D封裝和中介層參考設計。雖然Rambus的HBM3性能比SK海力士更快，但Rambus會為客戶的SK海力士提供支持。

??Rambus的HBM2/2E?PHY(?端口物理層)支持臺積電、三星等多個先進制程節(jié)點。其產品集成PHY、IO、Decap等，其客戶可以直接采用，Rambus的芯片開發(fā)基本一次就能成功，無需返工，提升設計效率。?

??Rambus目前擁有3000余項專利和應用，主要的客戶有三星、美光?、SK海力士等內存廠商和高通、AMD、英特爾等芯片廠商?。Rambus與SK海力士、三星等DRAM供應商關系緊密，芯片經過市場供應商的DRAM驗證，能夠為客戶提供便捷地服務。?

??從市場來說，人工智能、機器學習越來越多地應用于各個領域。預計到2025年，用于人工智能領域的將達到100億美元，全球數據使用量將達175ZB，年均復合增長率35%，服務器整體年增長率為8%。?

??與傳統(tǒng)的GDDR顯存相比，HBM擁有高帶寬的特性，是數據密集型應用內存和數據處理瓶頸的解決方案之一。Rambus推出HBM3的IP，將再次推動HBM產品性能的提升，推動人工智能、高性能計算等應用發(fā)展。

??編輯點評：英特爾計劃在第三代酷睿中加入HBM內存的支持，意味著HBM內存不再局限于顯卡，也將沖擊傳統(tǒng)DRAM內存的生存空間，開展更快存儲的競爭。