貿(mào)澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 賦能4G和5G通信應用
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專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Qorvo? QPD0011高電子遷移率晶體管 (HEMT)。此碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 晶體管性能優(yōu)異，可為5G大規(guī)模MIMO、LTE和WCDMA系統(tǒng)中的蜂窩基站和射頻應用提供支持。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/202108/427745.htm貿(mào)澤電子備貨的Qorvo QPD0011是一款非對稱雙路放大器，采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封裝。QPD0011具有30 W到60 W的可變輸入功率、+48 V的漏極電壓、3.3 GHz至.6 GHz的工作電壓，以及高達13.3 dB的增益，并能在Doherty設計環(huán)境中實現(xiàn)高達90 W的超高效信號峰值功率。
為了便于開發(fā)，Mouser還提供了配套的QPD0011EVB1評估板。此平臺包括一個示例應用電路，在與現(xiàn)有設計結合使用時可加快原型設計速度。QPD0011適用于宏蜂窩小區(qū)和微小區(qū)基站、有源天線以及非對稱Doherty設計等應用。
作為全球授權分銷商，貿(mào)澤電子庫存有豐富的半導體和電子元器件，并積極引入原廠新品，支持隨時發(fā)貨。貿(mào)澤旨在為客戶供應全面認證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。為幫助客戶加速設計，貿(mào)澤網(wǎng)站提供了豐富的技術資源庫，包括技術資源中心、產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊、供應商特定參考設計、應用筆記、技術設計信息、設計工具以及其他有用的信息。
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