專為強化諧振拓撲運作性能打造，英飛凌推出全新 650 V CoolMOS? CFD7

在工業(yè)應用 SMPS 的設計上，最新的技術趨勢會將高效率、高功率密度及總線電壓上升的需求作整體考慮，也因此觸發(fā)了對 650V擊穿電壓功率器件的需求。英飛凌科技股份有限公司旗下 650 V CoolMOS? CFD7 產(chǎn)品系列即可滿足上述需求。此器件適用于軟切換應用的諧振拓撲，例如通信電源、服務器、太陽能和非車載的電動車充電。

新款 650 V器件擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產(chǎn)品。新款 650 V 產(chǎn)品可搭配 LLC 和零電壓切換相移全橋拓撲，較前幾代產(chǎn)品能提供多項優(yōu)勢。本產(chǎn)品系列擊穿電壓提升 50 V，搭配整合高速本體二極管技術及更出色的切換效能，非常適合用于當代設計。極低的反向恢復電荷加上優(yōu)異的熱性能，也添加了更多優(yōu)勢。

開關損耗與 RDS(on) 過熱相依性皆大幅降低，此產(chǎn)品系列具備非常優(yōu)異的硬式整流耐用度。由于閘極電荷 (Qg) 改善，加上快速的開關性能，650 V CoolMOS CFD7 系列可提高整個負載范圍的效率。在主要的SMPS應用中，相較于競爭產(chǎn)品，這些 MOSFET提供絕佳的輕載效率，滿載效率也有所提升。此外，同級最低 RDS(on) 也能讓客戶能以極具競爭力的價格，提升 SMPS 的功率密度。

由于閘極電荷 (Qg) 改善，加上快速的開關性能，650 V CoolMOS CFD7 系列可提高整個負載范圍的效率。在主要的SMPS應用中，相較于競爭產(chǎn)品，這些 MOSFET提供絕佳的輕載效率，滿載效率也有所提升。此外，同級最低 RDS(on) 也能讓客戶能以極具競爭力的價格，提升 SMPS 的功率密度。

供貨情況

TO-220、TO-247 及 TO-247 4 引腳封裝的 650 V CoolMOS CFD7 現(xiàn)已接受訂購。