“新基建”號角吹響，紫光國微貢獻科技力量

經(jīng)過抗擊疫情磨礪的中國正在迎來復工復產(chǎn)的熱潮，經(jīng)濟社會發(fā)展日益呈現(xiàn)出勃勃生機。近日召開的中央政治局常務委員會上提出，要進一步加快推進5G網(wǎng)絡、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等七大“新型基礎設施建設”（簡稱“新基建”），不僅能減緩疫情對經(jīng)濟的負面沖擊，更能推動改革創(chuàng)新，培育發(fā)展新動能，對我國經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展具有巨大推動作用。

隨著“新基建”風口的到來，半導體產(chǎn)業(yè)將迎來新的發(fā)展機遇。一方面，5G龐大的基站網(wǎng)絡對于設備、電力等的配套需求，新能源汽車市場快速發(fā)展對于充電樁建設的需求等一系列產(chǎn)業(yè)鏈需求將會催生半導體產(chǎn)業(yè)的市場爆發(fā)。另一方面，“新基建”有望加速我國半導體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)替代進程。而在這其中，功率半導體器件可應用于新基建七大領域，它是我國汽車工業(yè)、高鐵、電網(wǎng)輸電等系統(tǒng)應用的上游核心零部件，戰(zhàn)略地位突出。

據(jù)中國充電聯(lián)盟數(shù)據(jù)顯示，截至2020年1月底全國已建成公共充電樁53.1萬臺，遠低于《電動汽車充電基礎設施發(fā)展指南(2015-2020)》規(guī)劃的1:1要求。據(jù)行業(yè)預測，未來10年將形成萬億規(guī)模的充電樁基礎設施建設市場。隨著國家層面戰(zhàn)略部署“新基建”，充電樁作為新能源汽車基礎設施將迎來發(fā)展“春天”。并且在電動化趨勢下，汽車半導體用量翻倍以上的增長，根據(jù)Strategic Analysis 數(shù)據(jù)，電動汽車所新增的半導體需求有較大比例在功率器件領域。

紫光國微旗下無錫紫光微電子專注于先進半導體功率器件和集成電路的設計研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品銷售，所開發(fā)和生產(chǎn)的高壓超MOSFET、IGBT、IGTO等先進半導體功率器件以及相關的電源管理集成電路產(chǎn)品廣泛應用于智能電網(wǎng)、混合動力/電動汽車、消費電子等領域。公司自2018年起就高度關注新能源汽車衍生市場，憑借前瞻的市場布局、出色的設計能力以及高效的執(zhí)行力，近年來推出一系列對標國際一線廠商的MOSFET產(chǎn)品，其中以國內(nèi)領先的高壓超結(jié)MOSFET尤為突出，它基于電荷平衡理論并采用先進的深槽刻蝕技術，可顯著降低器件的導通電阻和柵電荷，在充電樁、開關電源、充電器等市場應用中，可很好的兼容具有PFC、正激、反激等多種拓撲形式的電路結(jié)構，顯著減小系統(tǒng)的功率損耗并提高轉(zhuǎn)換效率，能夠高效解決行業(yè)目前面臨的充電難問題，為“新基建”發(fā)展注入源源不斷的新活力。

此外，作為新能源汽車電機驅(qū)動部分的核心元器件IGBT，也在紫光國微的產(chǎn)品研發(fā)布局中。IGBT兼有MOSFET高輸入阻抗和雙極器件低導通壓降兩方面的優(yōu)點，是目前電力電子和綠色能源的主力功率器件。公司的IGBT產(chǎn)品以實際應用為設計基礎，使用先進的NPT（非穿通型）和溝槽型FS（場終止型）IGBT 技術，能夠為大功率應用客戶提供優(yōu)質(zhì)可靠的系統(tǒng)解決方案，突破新能源汽車核心技術，大力推進新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

“新基建”作為助力傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)向網(wǎng)絡化、數(shù)字化、智能化方向發(fā)展的信息基礎設施，將會加速產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級，提高社會運行智能化水平，支撐我國數(shù)字經(jīng)濟的騰飛。未來，紫光國微將繼續(xù)堅持科技創(chuàng)新、業(yè)務創(chuàng)新、服務創(chuàng)新和管理創(chuàng)新，用“芯”成就客戶價值，承載“新基建”發(fā)展之需，為國家新一輪科技基礎項目建設貢獻科技力量。