600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準

憑借600 V CoolMOS™ CFD7，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出最新的高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)。該600 V CoolMOS™ CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場對諧振拓撲的需求。它的LLC和ZVS PSFB等軟開關(guān)拓撲具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的效率和可靠性。這使其非常適合服務(wù)器、電信設(shè)備電源和 電動汽車充電站等高功率SMPS應(yīng)用。

該600 V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。新MOSFET的效率比它的前身或競爭性產(chǎn)品高出1.45%之多。它不僅擁有快速開關(guān)技術(shù)的所有優(yōu)勢，還兼具高換相穩(wěn)固性，同時不影響在設(shè)計過程中的輕松部署。該600 V CoolMOS CFD7擁有更低的柵極電荷(Qg)和更好的關(guān)斷性能。此外，其反向恢復電荷(Qrr)比市場上的競爭性產(chǎn)品低69%之多。該600 V CoolMOS CFD7可為THD和SMD器件提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的解決方案，從而能夠支持高功率密度解決方案。