概述新一代場截止陽極短路IGBT

　　圖3顯示新陽極短路器件(FGA20S140P)、前代器件(FGA20S120M)和最佳的競爭產品之間的典型輸出特性對比。在額定電流20 A的條件下，F(xiàn)GA20S140P的飽和電壓VCE(sat)是1.9 V，而FGA20S120M的飽和電壓是1.55 V,最佳競爭產品的飽和電壓是1.6 V。圖4顯示反向恢復性能對比結果。SA IGBT的反向恢復性能稍遜于與IGBT共封裝的超快速恢復二極管(UFRD)。幸運的是，較高的VCE(sat)并不會對感應加熱(IH)應用造成危害。

　　圖4: 反向恢復性能對比

　　采用已針對感應加熱應用優(yōu)化了的先進場截止陽極短路技術，F(xiàn)airchild最新的二代FS T SA IGBT技術，與以前版本相比，不僅顯著提高了擊穿電壓，而且提高了開關性能;即使如此，VCE(sat)還是稍顯偏高。采用軟開關測試設備得到的關斷特性對比如圖5所示。FS T SA IGBT的關斷能為573μJ ，而前一代FGA20S120M的關斷能為945μJ，而最佳競爭產品的關斷能則為651 μJ。因此，在此模擬感應加熱應用的特定軟開關測試中，新一代FS T SA IGBT器件的關斷能至少減少了12%!

　　圖5: Eoff對比

　　每個器件的關鍵參數(shù)對比如表1所示。

　　表1:關鍵參數(shù)對比

　　* 在Ioff= 40 A 和dv/dt = 140.1V/μs條件下測量

　　總結

　　本文介紹以類似MOSFET的方式內嵌固有體二極管的最新一代陽極短路IGBT.與最佳競爭產品和前代產品相比，該器件具有Eoff較小的特性?？傊缕骷沟肍S IGBT更適用于不需要高性能反向并聯(lián)二極管的軟開關應用。