電源轉換電子電路設計圖指南 —電路圖天天讀(187)
現(xiàn)代電子技術的應用迅速地發(fā)展,對電子儀器和設備要求性能上更加安全可靠,功能上不斷地增加。在使用上自動化程度越來越高。在體積上,要日趨小型化。這使采用具有眾多優(yōu)點的開關穩(wěn)壓電源就顯得更加重要了。所以,開關穩(wěn)壓電源在計算機、通信、航天、彩色電視等方面都得到了越來越廣泛的應用,發(fā)揮了巨大的作用。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/201710/369085.htmTOP414G內部結構及工作原理
TOP414G的內部功能框圖如下圖1所示。內部集成有高壓MOS開關管(圖1右邊那個MOS管),其工作原理就是通過Control引腳采樣到的反饋信號(IFB)經(jīng)過內部控制電路調節(jié)大功率MOS管的導通和截止時間(占空比),從而控制其漏極的輸出,達到穩(wěn)定電路輸出電壓的目的。下面是其引腳定義:
C pin:誤差放大和反饋電流輸入引腳,用來調節(jié)芯片內部MOS開關管的占空比 S pin:內部MOS開關管的源極,也就是DC/DC前級電路的參考地。D pin:內部MOS開關管的漏極,在電路啟動時通過該引腳為芯片提供內部偏置電流,電路穩(wěn)定后偏置電流由Control引腳的Vc提供,同時作為內部電流取樣引腳用,起初級限流作用。
-48V轉5VSTB電路工作原理
下圖2是-48V轉5VSTB的電路原理圖,工作原理如下:-48V上電瞬間,48V高壓(BGND相對-48V而言)通過D引腳為TOP414G芯片提供工作必須的內部偏置電流,使芯片內部的控制電路開始工作,驅動內部高壓MOS管開始其第一個開關周期,變壓器次級開始有電壓輸出,此時由48V高壓提供的偏置電流源斷開。在TOP414G內部高壓 MOS管導通期間,維持芯片持續(xù)工作所需的偏置電流由C20(代指C腳所有外接電容)的儲能提供;在MOS開關管截止期間,該偏流則由反激變壓器T1的偏置繞組產(chǎn)生的偏壓經(jīng)D3整流后提供,同時對電容C20充電,為下一個周期做準備,保證電路持續(xù)輸出。
圖3是取樣反饋電路,由光耦U2、三端并聯(lián)穩(wěn)壓器TL431($0.0625)及取樣電阻網(wǎng)絡組成,電路最終的輸出電壓,當輸出電壓Vo增加時,Vref增加,導致通過TL431的陰極、陽極之間的電流增大,即通過光電耦合器U2初級的電流增大,使反饋到 TOP414G的C腳的電流增加,芯片內部控制電路便降低其內部MOS管的占空比,從而使輸出電壓Vo降低,起到穩(wěn)壓的作用。同理,當輸出電壓Vo降低時,TOP414G則提高MOS管的占空比,起到穩(wěn)定輸出電壓的作用。
圖2中C1、C2、C3電容網(wǎng)絡起電源前端濾波作用,保證輸入電源(-48V)的純凈。R1、D1和C4組成前級鉗位電路,抑制電路中因高 dv/dt、di/dt產(chǎn)生的尖峰,降低單板的EMC影響。因為感性(容性)器件自身的電流(電壓)不能突變,當U1內部的MOS管由導通變?yōu)榻刂沟乃查g,如果沒有R1、D1和C4組成的鉗位電路,變壓器T1初級的大電流沒有瀉放回路,將產(chǎn)生很高的電壓尖峰,可能為正常工作時的幾倍,嚴重的話會擊穿U1 內部的MOS管從而損壞U1,有了鉗位電路后,MOS管斷開的瞬間,T1初級的高壓將通過D1對C4充電構成瀉放回路,在MOS管下次導通之前,C4上的電荷則可通過R1瀉放掉,因此可以達到抑制尖峰,降低單板的EMC影響的作用。圖3中電感L1和電容C7/C8/C9/C11/C12/C13構成pi型輸出濾波器,濾除輸出電壓的高頻噪聲,降低紋波,同時在U1關斷的時候起續(xù)流作用,為負載提供輸出電壓。其中C13一般選用容量小的陶瓷電容,濾除剩下的高頻噪聲。R7、R8、R9是取樣電阻,和U2、U3一起構成取樣反饋網(wǎng)絡。 5VSTB使能控制電路工作原理
下圖為-48V轉5VSTB使能控制部分電路,工作原理為:當JOIN_EN與BGND連接時,R10和R11分壓使三極管Q1的Vbe大于其閥值電壓,此時Q1導通,將圖6中B點電位拉低,三極管Q2截至,U1正常工作,-48V轉5VSTB電路正常輸出;當JOIN_EN懸空時,三極管 Q1截至,R12、R13分壓使B點電位高于三極管Q2的閥值電壓,Q2導通,將U1的控制管腳C強制拉低,U1停止工作,-48V轉5VSTB無電壓輸出。
TOP414集電壓型PWM控制器與N溝道功率MOSFET于一體,集成了120kHz振蕩器、高壓起動偏置電路、溫度補償、并聯(lián)調整器/誤差放大器和故障保護等電路。 TOP414的內部起動和電流限制電路減少了直流損耗,CMOS控制器/柵極驅動器僅消耗7mW的功率,70%的最大占空比使導通損耗最小化,低容量 MOSFET有效地降低了開關損耗,從而使其在回掃拓撲應用中的效率在80%以上。它具有管腳數(shù)量少,外圍電路簡單,安裝與調試簡便,價格低廉等優(yōu)點。設計結構簡單,性能穩(wěn)定,實現(xiàn)了對電信設備供電的功能,對電信設備的整體性能提高大有益處。
編輯點評:-48V轉5VSTB方案采用的是中小功率開關電源中最典型的單端反激模式,電路中DC/DC轉換寬范圍輸入的三引腳PWM開關TOP414G,最高工作頻率132KHz,最大占空比70%。經(jīng)長時間多塊單板使用證明,電源設計合理,工作可靠,性價比高,具有很強的實際應用價值和廣闊的前景。
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