利用半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)壓降測量結(jié)點(diǎn)溫度

　　半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)（從IC中數(shù)以百萬計的晶體管到實現(xiàn)高亮度LED的大面積復(fù)合結(jié)點(diǎn)）可能由于不斷產(chǎn)生的熱而在早期發(fā)生故障。當(dāng)特征尺寸縮小且電流要求提高時，這將成為一個非常嚴(yán)重的問題，甚至正常操作也可能聚積熱量，使結(jié)點(diǎn)溫度升高。溫度上升可能增加結(jié)點(diǎn)內(nèi)的缺陷數(shù)量，從而導(dǎo)致器件的性能下降、生命周期縮短。

　　因此，需要一種準(zhǔn)確的溫度測量方法來測量半導(dǎo)體器件的溫度，以避免產(chǎn)生可能導(dǎo)致故障的高溫。有一種方法很簡單，即測量結(jié)點(diǎn)溫度。它可以使用常用測試和測量儀器，測量結(jié)果可被用來監(jiān)視特定器件的工作狀況。測量結(jié)點(diǎn)溫度的理想方法是在盡可能離熱源近的地方監(jiān)視器件溫度。流過半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)的電流產(chǎn)生熱，這些熱量經(jīng)過結(jié)點(diǎn)材料流向外部世界。

　　另一種方法是將溫度傳感器放在非常靠近半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)的位置，并且測量傳感器的輸出信號。隨著熱量流向外部區(qū)域，外部區(qū)域和傳感器的溫度升高。盡管這是一個很直接的過程，但由于傳感器尺寸有限，所以該方法具有許多物理上的限制。在很多情況下，傳感器本身比要測量的結(jié)點(diǎn)的尺寸大，這就會給系統(tǒng)增加大量的熱，同時帶來額外的測量誤差，從而降低測量準(zhǔn)確度。因此，這種方法幾乎對大多數(shù)應(yīng)用都沒有用。

　　圖1：在測試設(shè)置中，SMU被用來描述半導(dǎo)體的正向壓降與結(jié)點(diǎn)溫度的關(guān)系。

　　一種更好的解決方法是利用結(jié)點(diǎn)本身作為溫度傳感器。對大多數(shù)材料來說，結(jié)點(diǎn)正向壓降和結(jié)點(diǎn)溫度之間都存在密切的相關(guān)性。什么時候結(jié)點(diǎn)正向壓降與結(jié)點(diǎn)溫度呈非線性關(guān)系取決于結(jié)點(diǎn)的材料和設(shè)計。在溫度高達(dá)80°C至100°C的正常工作環(huán)境中，假設(shè)大多數(shù)材料的結(jié)點(diǎn)正向壓降與結(jié)點(diǎn)溫度為線性是安全的。非線性特性可以通過實驗方法來確定，即在更高的環(huán)境溫度下測量電壓，直到結(jié)點(diǎn)正向壓降與結(jié)點(diǎn)溫度為非線性。對于大多數(shù)器件而言，這種關(guān)系接近線性關(guān)系，可以用數(shù)學(xué)公式表達(dá)如下：

　　TJ=（m×VF）+T0 （1）

　　其中，TJ=結(jié)點(diǎn)溫度（單位：°C）；m=斜率（與器件相關(guān)的參數(shù)，單位：°C/V）；VF=正向壓降；T0=截距（與器件相關(guān)的參數(shù)，單位：°C）。

　　因此，在給定溫度下（TJ）下，半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)的正向壓降（VF）是一定的。如果我們在兩種不同的溫度下測量VF，則可以計算出某個結(jié)點(diǎn)的斜率（m）以及截距（T0）。由于這是一種線性關(guān)系，所以我們只需測量VF，就可以利用式（1）計算不同狀態(tài)下的結(jié)點(diǎn)溫度。

　　如果知道不同工作狀態(tài)和封裝的器件的TJ，我們就能夠計算出不同封裝類型和設(shè)計的熱參數(shù)，比如熱阻。這在設(shè)計特定工作條件以確保器件使用壽命最長時顯得尤為重要，因為熱效應(yīng)是早期器件故障的主要原因。

　　圖2：四線測量方法能減少引腳電阻導(dǎo)致的誤差。

　　測試方法

　　在這個測試方法中，待測器件（DUT）被放置在溫度試驗箱內(nèi)并與驅(qū)動設(shè)備和測量設(shè)備相連。驅(qū)動設(shè)備可能是可編程電流源和伏特計，但其它儀器可以同時提供電流和測量電壓，這些儀器通常被稱為源測量單元（SMU），它們可大大簡化測量儀器（圖1）。

　　接下來，采用四線測量方法或者Kelvin測量方法將SMU與器件相連接。通過感應(yīng)DUT周圍而不是SMU輸入端的電壓，四線電壓測量能降低電壓測量中由引線電阻導(dǎo)致的誤差。圖2是四線測量的詳細(xì)連接圖。

　　將DUT放置在環(huán)境試驗箱內(nèi)，并將該試驗箱設(shè)定到初始溫度。初始點(diǎn)通常在25 °C下測量，然后讓DUT達(dá)到熱平衡?？赏ㄟ^實驗來確定達(dá)到熱平衡所需的?？繒r間（dwell time），但對于大多數(shù)封裝來說，10分鐘應(yīng)該足夠。

　　一旦結(jié)點(diǎn)達(dá)到熱平衡，就提供DUT一個持續(xù)時間短的電流，并測量壓降。電流脈沖的持續(xù)時間和振幅非常重要，功率較大（電流過大或者脈沖過長）可能會使結(jié)點(diǎn)發(fā)熱，從而使結(jié)果產(chǎn)生偏差。

　　許多情況下，待測結(jié)點(diǎn)的為硅或者復(fù)合二極管。對于這些類型的器件，以幾毫安的驅(qū)動電流和1 ms的源電流為試驗起點(diǎn)比較好。如果還不太確定，則利用具有極短脈沖（小于1ms）的源，用試驗的方法確定結(jié)點(diǎn)的自發(fā)熱。然后改變脈沖寬度并比較每個脈沖持續(xù)時間的電壓進(jìn)行試驗。1mV至2mV的電壓差通常表示結(jié)點(diǎn)溫度有1 °C的變化，這個測量電壓是TJ1 （25 °C ）溫度下的VF1。

　　然后溫度升高到一個更高的值（例如50°C），讓DUT達(dá)到熱平衡，并再次給予電流脈沖。這個溫度下的電壓被標(biāo)為TJ2溫度（此例中為50°C ）下的VF2。

　　采用多個不同的值重復(fù)這些步驟，然后繪制電壓與結(jié)點(diǎn)溫度的關(guān)系圖（圖3）。在分析中，至少使用三個溫度對近似值的任何差異進(jìn)行檢查?，F(xiàn)在可以使用式（1）計算出這條直線的斜率（m）和截距：

　　TJ=（m × VF）+TO

　　TJ2-TJ1= m（VF2-VF1） （式1的點(diǎn)斜式）

　　m=（TJ2-TJ1）/（ VF2-VF1） （2）

　　然后通過外推法計算出TO：

　　TJ2-TJ1=m（VF2-VF1） （式1的點(diǎn)斜式）

　　將VF2設(shè)為0，則式2則變?yōu)椋?/p>

　　TJ2=TJ1-m VF1

　　這里的TJ2等于截距，或TO。

　　TO=TJ2=TJ1-mVF1

　　應(yīng)用實例：高亮度LED

　　這個例將開發(fā)一種新的高亮度LED裸片。該器件被設(shè)計成能比以前單元承載更多電流，還需確保較高的熱流量以使結(jié)點(diǎn)溫度最低。這將保證在一些要求更高的應(yīng)用中，該器件具有足夠長的使用壽命。

　　當(dāng)連接LED裸片正極或負(fù)極的接合線斷掉時，通常會發(fā)生LED故障。斷線的常見原因是接合線的溫度循環(huán)，這是由散熱不足導(dǎo)致結(jié)點(diǎn)溫度升高而引起的。

　　將LED裸片放置在恒溫箱中并按照如前所述的測試計劃進(jìn)行測試，可得如下結(jié)果：

　　溫度為TJ1 （25 °C ）時，VF1=1.01V

　　溫度為TJ2 （50 °C ）時，VF2=0.78 V

　　m=（50-25 ）°C /（0.78-1.01）V=-108.70 °C/V

　　TO=TJ1-mVF1=25 °C-（-108.70°C/V）×（1.01V）=134.79 °C

　　因此，描述該器件的結(jié)點(diǎn)溫度與前向電壓關(guān)系的一階等式為：

　　TJ=（-108.70°C/V）×VF）+134.79°C

　　現(xiàn)在，我們改變其它參數(shù)，如工作電流、環(huán)境溫度和封裝，并只測量VF就可確定實際的結(jié)點(diǎn)溫度。

　　圖3：結(jié)點(diǎn)溫度與正向壓降的線性關(guān)系。

　　誤差根源

　　測量誤差的最大根源在于環(huán)境試驗箱中測量溫度的不確定性。這種測量通常采用熱電偶，而熱電偶的誤差為±2 °C甚至更高。將熱敏電阻或者電阻溫度檢測器（RTD）等更準(zhǔn)確的熱測量傳感器放置在DUT附近，并且使用單獨(dú)的數(shù)字萬用表來測量溫度，可提高測量的準(zhǔn)確度。

　　當(dāng)計算結(jié)點(diǎn)溫度時，電壓測量的不確定性也會增加誤差。選擇具有高準(zhǔn)確性和分辨率的儀器進(jìn)行電壓測量是盡量減小這種誤差的關(guān)鍵。

　　結(jié)點(diǎn)溫度測量中的誤差還將影響其它的熱計算，如熱阻抗和熱電阻。因此，最小化這些誤差的關(guān)鍵是獲取準(zhǔn)確的測量結(jié)果。

　　從這個測量半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)溫度的簡單方法中收集到的數(shù)據(jù)，可以被用來分析給定結(jié)點(diǎn)的熱消耗、環(huán)境和源狀態(tài)的效應(yīng)。