單片機(jī)的高電平復(fù)位與低電平復(fù)位
原理可理解為:?jiǎn)纹瑱C(jī)一上電的瞬間,電容相當(dāng)于短路,所以5V電壓全部集中在4.7K電阻上,然后,電容開始充電,當(dāng)充電到一定時(shí)候,5V電壓基本都集中在電容上了,電阻上的電壓低于單片機(jī)需要的高電平電壓。
低電平復(fù)位:
原理可理解為:剛上電時(shí),電容視為短路,RST腳相當(dāng)于接地,然后電容開始充電,隨著,電容電壓不斷升高,電阻電壓不斷下降,即RST引腳電壓不斷上升至變?yōu)楦唠娖剑瑥?fù)位結(jié)束。
另外,早期都是用低電平復(fù)位
復(fù)位結(jié)束以后,需要維持復(fù)位信號(hào)高電平,帶來了功耗的問題,有一部分人用高電平復(fù)位
隨著工作電壓的降低,考慮到噪聲的影響,又開始趨向于選擇低電平。
評(píng)論