關(guān)于u-boot移植時(shí)的NAND FLASH問題

遇到的問題是這樣：u-boot無法對(duì)nand flash正常讀寫，總是識(shí)別出各種壞塊，幾乎把整塊nand都當(dāng)作壞塊了，最明顯的就是保存環(huán)境變量時(shí)，使用saveenv命令，提示擦除時(shí)遇到壞塊。

各種找原因，剛開始以為是底層驅(qū)動(dòng)函數(shù)沒有寫好，然后就研究底層驅(qū)動(dòng)開始，一點(diǎn)一點(diǎn)的理解。。。

在這里普及一下NAND的基本知識(shí)吧，剛開始我也稀里糊涂的。

NAND flash以頁為單位讀寫數(shù)據(jù)，而以塊為單位擦除數(shù)據(jù)。按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類地址：
　　Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文為列地址，地址的低8位
　　Page Address ：頁地址
　　Block Address ：塊地址
　　對(duì)于NAND Flash來講，地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞，數(shù)據(jù)寬度是8位。

我的用吧，一頁有2112Bytes(2048byte(Main Area)+64byte(Spare Area))，每64個(gè)page形成一個(gè)Block，然后具體有多少個(gè)塊，就視你的nand容量大小嘍。。。（注意NAND FLASH在出廠時(shí)就別允許具有少量壞塊）

基本知識(shí)搞定，然后是寫代碼。。。根據(jù)電路原理圖，寫吖寫，這里就不寫出來了。

可悲的是發(fā)現(xiàn)沒有任何問題。。。

裸奔程序能完美的操作NAND FLASH讀寫擦除各種HIGH。。。

最后，只能回歸研究u-boot代碼了。。。

再然后的然后，我知道了。。。

在drivers/nand目錄下的nand_ids.c文件里，列出了各種NAND的屬性列表。。。然后把

{"NAND 512MiB 3,3V 8-bit", 0xDC, 512, 512, 0x4000, 0},
改為

{"NAND 512MiB 3,3V 8-bit",0xDC, 0, 512, 0, 0},

就這樣改一句就把我糾結(jié)那么久的問題解決了。。。識(shí)別俺的NAND出問題了。。。

在看代碼的過程中，注意到了一點(diǎn)，就是每當(dāng)程序運(yùn)行到nand初始化的時(shí)候，都要花費(fèi)非常久的時(shí)間，這直接導(dǎo)致u-boot啟動(dòng)時(shí)間大大延長，這就和我們的電腦一樣，如果BIOS在引導(dǎo)windows時(shí)花費(fèi)了很長時(shí)間，任誰都抓狂。

剛開始我以為這些時(shí)間是花費(fèi)在檢測NAND的容量上，但是通過讀代碼，最終發(fā)現(xiàn)，在nand_base.c里有個(gè)函數(shù)為nand_scan()，其最后為

return this->scan_bbt (mtd);

就是這個(gè)scan_bbt(mtd)，占用了這么長時(shí)間。。。然后百度了一下BBT，記錄壞塊的一個(gè)東東，然后我就把他拋棄了，然后這個(gè)返回變?yōu)閞eturn 0;....呱呱，啟動(dòng)只需一瞬間，或許我的電腦啟動(dòng)那么慢也是做很多無聊的事吧。。。呵呵，開個(gè)玩笑，建立BBT是非常有好處滴，自己百度吧。