單片機(jī)關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)詳解（一）

　一、關(guān)于C51單片機(jī)的中斷號以及中斷向量

　　1、中斷號

　　2、interrupt 和 using 在C51中斷中的使用

　　8051 系列 MCU 的基本結(jié)構(gòu)包括：32 個 I/O 口（4 組8 bit 端口）;兩個16 位定時計數(shù)器;全雙工串行通信;6 個中斷源（2 個外部中斷、2 個定時/計數(shù)器中斷、1 個串口輸入/輸出中斷），兩級中斷優(yōu)先級;128 字節(jié)內(nèi)置RAM;獨(dú)立的 64K 字節(jié)可尋址數(shù)據(jù)和代碼區(qū)。中斷發(fā)生后，MCU 轉(zhuǎn)到 5 個中斷入口處之一，然后執(zhí)行相應(yīng)的中斷服務(wù)處理程序。中斷程序的入口地址被編譯器放在中斷向量中，中斷向量位于程序代碼段的最低地址處，注意這里的串口輸入/輸出中斷共用一個中斷向量。8051的中斷向量表如下：

　　二、CPU與單片機(jī)的復(fù)位電路的作用及基本復(fù)位方式

　　在上電或復(fù)位過程中，控制CPU的復(fù)位狀態(tài)：這段時間內(nèi)讓CPU保持復(fù)位狀態(tài)，而不是一上電或剛復(fù)位完畢就工作，防止CPU發(fā)出錯誤的指令、執(zhí)行錯誤操作，也可以提高電磁兼容性能。

　　無論用戶使用哪種類型的單片機(jī)，總要涉及到單片機(jī)復(fù)位電路的設(shè)計。而單片機(jī)復(fù)位電路設(shè)計的好壞，直接影響到整個系統(tǒng)工作的可靠性。許多用戶在設(shè)計完單片機(jī)系統(tǒng)，并在實驗室調(diào)試成功后，在現(xiàn)場卻出現(xiàn)了“死機(jī)”、“程序走飛”等現(xiàn)象，這主要是單片機(jī)的復(fù)位電路設(shè)計不可靠引起的。

　　基本的復(fù)位方式

　　單片機(jī)在啟動時都需要復(fù)位，以使CPU及系統(tǒng)各部件處于確定的初始狀態(tài)，并從初態(tài)開始工作。89系列單片機(jī)的復(fù)位信號是從RST引腳輸入到芯片內(nèi)的施密特觸發(fā)器中的。當(dāng)系統(tǒng)處于正常工作狀態(tài)時，且振蕩器穩(wěn)定后，如果RST引腳上有一個高電平并維持2個機(jī)器周期（24個振蕩周期）以上，則CPU就可以響應(yīng)并將系統(tǒng)復(fù)位。單片機(jī)系統(tǒng)的復(fù)位方式有：手動按鈕復(fù)位和上電復(fù)位。

　　1、手動按鈕復(fù)位

　　手動按鈕復(fù)位需要人為在復(fù)位輸入端RST上加入高電平（圖1）。一般采用的辦法是在RST端和正電源Vcc之間接一個按鈕。當(dāng)人為按下按鈕時，則Vcc的+5V電平就會直接加到RST端。手動按鈕復(fù)位的電路如所示。由于人的動作再快也會使按鈕保持接通達(dá)數(shù)十毫秒，所以，完全能夠滿足復(fù)位的時間要求。

　　圖1

　　2、上電復(fù)位

　　AT89C51的上電復(fù)位電路如圖2所示，只要在RST復(fù)位輸入引腳上接一電容至Vcc端，下接一個電阻到地即可。對于CMOS型單片機(jī)，由于在RST端內(nèi)部有一個下拉電阻，故可將外部電阻去掉，而將外接電容減至1？F。上電復(fù)位的工作過程是在加電時，復(fù)位電路通過電容加給RST端一個短暫的高電平信號，此高電平信號隨著Vcc對電容的充電過程而逐漸回落，即RST端的高電平持續(xù)時間取決于電容的充電時間。為了保證系統(tǒng)能夠可靠地復(fù)位，RST端的高電平信號必須維持足夠長的時間。上電時，Vcc的上升時間約為10ms，而振蕩器的起振時間取決于振蕩頻率，如晶振頻率為10MHz，起振時間為1ms;晶振頻率為1MHz，起振時間則為10ms。在圖2的復(fù)位電路中，當(dāng)Vcc掉電時，必然會使RST端電壓迅速下降到0V以下，但是，由于內(nèi)部電路的限制作用，這個負(fù)電壓將不會對器件產(chǎn)生損害。另外，在復(fù)位期間，端口引腳處于隨機(jī)狀態(tài)，復(fù)位后，系統(tǒng)將端口置為全“l”態(tài)。如果系統(tǒng)在上電時得不到有效的復(fù)位，則程序計數(shù)器PC將得不到一個合適的初值，因此，CPU可能會從一個未被定義的位置開始執(zhí)行程序。

　　圖2

　　3、積分型上電復(fù)位

　　常用的上電或開關(guān)復(fù)位電路如圖3所示。上電后，由于電容C3的充電和反相門的作用，使RST持續(xù)一段時間的高電平。當(dāng)單片機(jī)已在運(yùn)行當(dāng)中時，按下復(fù)位鍵K后松開，也能使RST為一段時間的高電平，從而實現(xiàn)上電或開關(guān)復(fù)位的操作。

　　根據(jù)實際操作的經(jīng)驗，下面給出這種復(fù)位電路的電容、電阻參考值。

　　圖3中：C：=1uF，Rl=lk，R2=10k

　　圖3 積分型上電復(fù)位電路

三、單片機(jī)雙機(jī)并行通信中所遇問題

　　1 引言

　　本系統(tǒng)采用的CPLD為 ATMEL公司生產(chǎn)的ATF1540AS器件，該器件是一種高性能、高密度復(fù)合可編程邏輯器件，簡稱CPLD，它利用ATMEL 的電可擦除存儲器技術(shù)，有 64個邏輯宏單元和68個I/O端口，很容易和多個TTL、SSI、MSI、LSI和經(jīng)典的PLDS組合使用。每個宏單元包括積項和積項多路選擇器、 OR/XOR/CASCADE邏輯、觸發(fā)器、輸出選擇和使能、輸入邏輯陣列五個部分。ATF1504AS的增強(qiáng)選路開關(guān)增加了可用的門計數(shù)，提高了管腳鎖存設(shè)計修改的成功率。

　　圖1 雙機(jī)通信框圖

　　2 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

　　系統(tǒng)的CPU采用W77E58，由ATF1504AS構(gòu)成通信接口，系統(tǒng)框圖如圖1所示。

　　2.1 問題提出

　　電腦刺繡機(jī)為達(dá)到良好的人機(jī)界面交互功能，采用上下位機(jī)方式，下位機(jī)主要進(jìn)行繡花動作的控制，上位機(jī)主要進(jìn)行花樣的跟蹤。為了實現(xiàn)繡花的同時在液晶屏上進(jìn)行繡花跟蹤，單CPU方式存在系統(tǒng)資源透支， CPU處理數(shù)據(jù)將十分困難，于是提出了采用雙CPU的工作方式，但同時帶來一個問題—雙CPU的通信問題。

　　2.2 解決方案

　?。?） 采用串行通信方式

　　優(yōu)點(diǎn)：在由單片機(jī)組成的多機(jī)方式中，串行接口方式是最常用的。串行通信方式接口電路簡單，可以方便實現(xiàn)長距離傳輸?？垢蓴_能力比較好。

　　缺點(diǎn)：傳輸數(shù)據(jù)慢，不適合實時數(shù)據(jù)傳輸。在數(shù)據(jù)傳輸要求高的情況下，容易造成瓶頸堵塞現(xiàn)象。

　?。?） 采用并行通信方式

　　優(yōu)點(diǎn)：并行通信傳輸數(shù)據(jù)快，適合進(jìn)行實時控制。

　　缺點(diǎn)：抗干擾能力差，不適合長距離傳輸，最大距離不超過5m。

　　由于本系統(tǒng)對數(shù)據(jù)傳輸?shù)膶崟r性要求比較高，并且上下位機(jī)之間的距離不超過3m，進(jìn)行適當(dāng)?shù)目垢蓴_措施，完全可以達(dá)到系統(tǒng)的要求，所以確定采用并行通信方式。

　　2.3 具體措施

　　（1） 采用ATF1504AS（可編程邏輯器件）進(jìn)行并行通信，減少分立器件所產(chǎn)生的雜散電容而帶來的噪聲干擾。

　?。?） 在輸入數(shù)據(jù)端加斯密特電路（74LS14），將外部傳輸線上耦合噪聲濾除掉。從而提高總線接收的抗干擾性能。

　?。?）采用三態(tài)門驅(qū)動方式可以提高總線的抗干擾能力，因為三態(tài)門有三種狀態(tài)輸出，既所謂的低阻高電平、低阻低電平、高阻態(tài)（禁態(tài)）。由于三態(tài)門的輸入具有的三態(tài)性，所以使三態(tài)門的信號源的負(fù)擔(dān)減輕。有利于提高速度和抗干擾能力。

　　3 雙CPU通信原理設(shè)計

　　3.1 雙CPU通信原理圖

　　從圖2雙CPU通信原理圖中可以看出，在輸入接口上都接上74LS14斯密特電路和74LS244三態(tài)門驅(qū)動器，以提高抗干擾能力。在SRZB、SCYX（上位機(jī)）及SRZB、SCYX（下位機(jī)）的握手信號線上接入74LS14斯密特電路，以提高抗干擾能力。

　　圖2 雙機(jī)通信原理圖

　　3.2 ATF1504AS內(nèi)部原理圖

　　由于篇幅有限，僅列出上位機(jī)的ATF1504AS的內(nèi)部原理圖如圖3，下位機(jī)的ATF1504AS的內(nèi)部原理圖與此相類似。