51單片機(jī)時序及延時分析介紹
一、內(nèi)部時鐘方式:
利用單片機(jī)內(nèi)部的振蕩器,然后在引腳XTAL1(18腳)和XTAL2(19腳)兩端接晶振,就構(gòu)成了穩(wěn)定的自激振蕩器,其發(fā)出的脈沖直接送入內(nèi)部時鐘電路,外接晶振時,晶振兩端的電容一般選擇為30PF左右;這兩個電容對頻率有微調(diào)的作用,晶振的頻率范圍可在1.2MHz-12MHz之間選擇。為了減少寄生電容,更好地保證振蕩器穩(wěn)定、可靠地工作,振蕩器和電容應(yīng)盡可能安裝得與單片機(jī)芯片靠近。(提示一下,本站提供的學(xué)習(xí)套件全部采用的就是這種時鐘方式)。
二、外部時鐘方式:
此方式是利用外部振蕩脈沖接入XTAL1或XTAL2。HMOS和CHMOS單片機(jī)外時鐘信號接入方式不同,HMOS型單片機(jī)(例如8051)外時鐘信號由XTAL2端腳注入后直接送至內(nèi)部時鐘電路,輸入端XTAL1應(yīng)接地。由于XTAL2端的邏輯電平不是TTL的,故建議外接一個上接電阻。對于CHMOS型的單片機(jī)(例如 80C51),因內(nèi)部時鐘發(fā)生器的信號取自反相器的輸入端,故采用外部時鐘源時,接線方式為外時鐘信號接到XTAL1而XTAL2懸空。如下圖
外接時鐘信號通過一個二分頻的觸發(fā)器而成為內(nèi)部時鐘信號,要求高、低電平的持續(xù)時間都大于20ns,一般為頻率低于12MHz的方波。片內(nèi)時鐘發(fā)生器就是上述的二分頻觸發(fā)器,它向芯片提供了一個2節(jié)拍的時鐘信號。
時鐘周期
機(jī)器周期
指令周期
通常含一個機(jī)器周期的指令稱為單周期指令,包含兩個機(jī)器周期的指令稱為雙周期指令。
MCS-51指令系統(tǒng)中,按它們的長度可分為單字節(jié)指令、雙字節(jié)指令和三字節(jié)指令。執(zhí)行這些指令需要的時間是不同的,也就是它們所需的機(jī)器周期是不同的,有下面幾種形式:
·單字節(jié)指令單機(jī)器周期
·單字節(jié)指令雙機(jī)器周期
·雙字節(jié)指令單機(jī)器周期
·雙字節(jié)指令雙機(jī)器周期
·三字節(jié)指令雙機(jī)器周期
·單字節(jié)指令四機(jī)器周期(如單字節(jié)的乘除法指令)
下圖是MCS-51系列單片機(jī)的指令時序圖:
上圖是單周期和雙周期取指及執(zhí)行時序,圖中的ALE脈沖是為了鎖存地址的選通信號,顯然,每出現(xiàn)一次該信號單片機(jī)即進(jìn)行一次讀指令操作。從時序圖中可看出,該信號是時鐘頻率6分頻后得到,在一個機(jī)器周期中,ALE信號兩次有效,第一次在S1P2和S2P1期間,第二次在S4P2和S5P1期間。
接下來我們分別對幾個典型的指令時序加以說明。
·單字節(jié)單周期指令:
單字節(jié)單周期指令只進(jìn)行一次讀指令操作,當(dāng)?shù)诙€ALE信號有效時,PC并不加1,那么讀出的還是原指令,屬于一次無效的讀操作。
·雙字節(jié)單周期指令:
這類指令兩次的ALE信號都是有效的,只是第一個ALE信號有效時讀的是操作碼,第二個ALE信號有效時讀的是操作數(shù)。
·單字節(jié)雙周期指令:
兩個機(jī)器周期需進(jìn)行四讀指令操作,但只有一次讀操作是有效的,后三次的讀操作均為無效操作。
單字節(jié)雙周期指令有一種特殊的情況,象MOVX這類指令,執(zhí)行這類指令時,先在ROM中讀取指令,然后對外部數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行讀或?qū)懖僮?,頭一個機(jī)器周期的第一次讀指令的操作碼為有效,而第二次讀指令操作則為無效的。在第二個指令周期時,則訪問外部數(shù)據(jù)存儲器,這時,ALE信號對其操作無影響,即不會再有讀指令操作動作。
上頁的時序圖中,我們只描述了指令的讀取狀態(tài),而沒有畫出指令執(zhí)行時序,因為每條指令都包含了具體的操作數(shù),而操作數(shù)類型種類繁多,這里不便列出,有興趣的讀者可參閱有關(guān)書籍。
·外部程序存儲器(ROM)讀時序
右圖8051外部程序存儲器讀時序圖,從圖中可看出,P0口提供低8位地址,P2口提供高8位地址,S2結(jié)束前,P0口上的低8位地址是有效的,之后出現(xiàn)在P0口上的就不再是低8位的地址信號,而是指令數(shù)據(jù)信號,當(dāng)然地址信號與指令數(shù)據(jù)信號之間有一段緩沖的過度時間,這就要求,在S2其間必須把低8位的地址信號鎖存起來,這時是用ALE選通脈沖去控制鎖存器把低8位地址予以鎖存,而P2口只輸出地址信號,而沒有指令數(shù)據(jù)信號,整個機(jī)器周期地址信號都是有效的,因而無需鎖存這一地址信號。
從外部程序存儲器讀取指令,必須有兩個信號進(jìn)行控制,除了上述的ALE信號,還有一個PSEN(外部ROM讀選通脈沖),上圖顯然可看出,PSEN從S3P1開始有效,直到將地址信號送出和外部程序存儲器的數(shù)據(jù)讀入CPU后方才失效。而又從S4P2開始執(zhí)行第二個讀指令操作。
·外部數(shù)據(jù)存儲器(RAM)讀時序
右圖8051外部數(shù)據(jù)存儲器讀寫時序圖,從ROM中讀取的需執(zhí)行的指令,而CPU對外部數(shù)據(jù)存儲的訪問是對RAM進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀或?qū)懖僮?,屬于指令的?zhí)行周期,值得一提的是,讀或?qū)懯莾蓚€不同的機(jī)器周期,但他們的時序卻是相似的,我們只對RAM的讀時序進(jìn)行分析。
上一個機(jī)器周期是取指階段,是從ROM中讀取指令數(shù)據(jù),接著的下個周期才開始讀取外部數(shù)據(jù)存儲器RAM中的內(nèi)容。
在S4結(jié)束后,先把需讀取RAM中的地址放到總線上,包括P0口上的低8位地址A0-A7和P2口上的高8位地址A8-A15。當(dāng)RD選通脈沖有效時,將RAM的數(shù)據(jù)通過P0數(shù)據(jù)總線讀進(jìn)CPU。第二個機(jī)器周期的ALE信號仍然出現(xiàn),進(jìn)行一次外部ROM的讀操作,但是這一次的讀操作屬于無效操作。
對外部RAM進(jìn)行寫操作時,CPU輸出的則是WR(寫選通信號),將數(shù)據(jù)通過P0數(shù)據(jù)總線寫入外部存儲中。
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