基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

　　1 存儲(chǔ)器部分原理

　　筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運(yùn)行程序時(shí)，需對(duì)片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲(chǔ)部分框圖。

　　圖1 存儲(chǔ)部分原理框圖

　　在設(shè)計(jì)中，片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運(yùn)行程序，剩余的空間用于產(chǎn)品運(yùn)行日志，告警燈存儲(chǔ)空間。因此存在著在程序運(yùn)行時(shí)對(duì)片外NOR FLASH擦寫的需求。如果程序正在正常運(yùn)行的片外FLASH中去擦寫FLASH，會(huì)存在總線沖突的問(wèn)題，無(wú)法實(shí)現(xiàn)此功能。我們采用ARM7內(nèi)核的SWI軟中斷功能來(lái)實(shí)現(xiàn)。

　　2 ARM軟中斷原理(SWI)

　　軟中斷(SWI)目前沒(méi)有找到任何官方的正式定義。筆者嘗試與硬中斷對(duì)比定義如下：

　　1. 軟中斷發(fā)生的時(shí)間是由程序控制的，而硬中斷發(fā)生的時(shí)間是隨機(jī)的。

　　2. 軟中斷是由程序調(diào)用發(fā)生的，而硬中斷是由外設(shè)引發(fā)的。

　　3. 硬中斷處理程序要確保它能快速完成它的任務(wù)，這樣程序執(zhí)行時(shí)才不會(huì)等待較長(zhǎng)的時(shí)間。

　　在C程序中調(diào)用軟件中斷需要用到編譯器的擴(kuò)展功能，使用關(guān)鍵字“_SWI”來(lái)聲明中斷函數(shù)。注意軟中斷號(hào)碼同時(shí)在函數(shù)定義時(shí)指定。

　　_swi(0x24) void my_swi(void);

　　這樣當(dāng)調(diào)用函數(shù)my_swi的時(shí)候，就會(huì)用“SWI 0X24”來(lái)代替普通的函數(shù)調(diào)用“BL my_swi”。

　　可以發(fā)現(xiàn)軟件中斷同樣存在著中斷分支的問(wèn)題，即需要根據(jù)中斷號(hào)碼來(lái)決定調(diào)用不同的處理程序。軟中斷號(hào)碼只存在于SWI指令碼當(dāng)中，因此需要在中斷處理程序中讀取觸發(fā)中斷的指令代碼，然后提取中斷號(hào)信息，再進(jìn)行進(jìn)一步處理。下面是軟中斷指令的編碼格式：

　　ARM狀態(tài)下的SWI指令編碼格式，32位長(zhǎng)度，其中24位是中斷編號(hào)。

　　Thumb狀態(tài)下的SWI指令編碼格式，16位長(zhǎng)度，其中低8位是中斷編號(hào)。

　　為了在中斷處理程序里面得到SWI指令的地址，可以利用LR寄存器。每當(dāng)響應(yīng)一次SWI的時(shí)候，處理器都會(huì)自動(dòng)保存并調(diào)整LR寄存器，使里面的內(nèi)容指向SWI下一條指令的地址，所以把LR里面的地址內(nèi)容上溯一條指令就是所需的間隔不一樣，如果進(jìn)入SWI執(zhí)行前是在ARM狀態(tài)下，需要通過(guò)LR-4來(lái)獲得SWI指令地址，如果是在Thumb狀態(tài)下進(jìn)入，則只有LR-2就可以了。

　　下面是一段提取SWI中斷號(hào)碼的例程：

　　MRS R0,SPSR;檢查進(jìn)入SWI響應(yīng)前的狀態(tài)

　　TST R0,#T_bit;

　　LDRNEH R0,[LR, #-2];是Thumb，讀回SWI指令碼

　　BICNE R0, R0, #0xff00;提取低8位

　　LDREQ R0, [LR, #-4];是ARM，讀回SWI指令碼

　　BICEQ R0, #ff000000;提取低24位;

　　寄存器R0中的內(nèi)容是正確的軟中斷編號(hào)了。

　　3 FLASH的CFI接口簡(jiǎn)介

　　在編程時(shí)，軟件由于需要支持多個(gè)廠家不同型號(hào)的FLASH，因此在對(duì)FLASH擦寫操作時(shí)，我們采用CFI接口。

　　CFI(Common Flash Interface)是JEDEC制定的一個(gè)接口，用來(lái)幫助程序讀取FLASH的制造商ID和設(shè)備ID，確定FLASH的大小，獲得FLASH的各個(gè)物理特性，比如BLOCK的擦除時(shí)間等等。主要的功能是使得軟件和硬件升級(jí)更加方便，不同廠家之間的硬件兼容性更好，可以實(shí)現(xiàn)底層硬件的互換。項(xiàng)目使用的FLASH命令定義列表如表1所示。

　　表1 NOR FLASH命令定義列表

　　4 實(shí)現(xiàn)方案

　　4.1 SWI實(shí)現(xiàn)接口程序

　　如圖1所示，LPC2458內(nèi)部的FLASH存放boot程序，外部的FLASH存放應(yīng)用程序。在需要擦寫外部FLASH時(shí)，由應(yīng)用程序產(chǎn)生一個(gè)軟中斷，使程序跳到內(nèi)部FLASH中運(yùn)行。CPU不再?gòu)钠釬LASH中取指令，因此可擦寫片外FLASH。當(dāng)軟中斷程序運(yùn)行完畢后，程序又跳回片外FLASH中。

　　由于SWI軟中斷中傳送參數(shù)比較麻煩，我們的SWI軟中斷程序僅返回處理函數(shù)的地址，獲得地址后，重定義為函數(shù)地址指針的方法簡(jiǎn)化處理，使程序的可讀性和維護(hù)性增強(qiáng)。

　　我們以FLASH的寫函數(shù)舉例說(shuō)明采用SWI方式的流程。

　　//定義函數(shù)指針類型

　　typedef unsigned long (*FuncWR_t)(unsigned long, void *, unsigned long);

　　//定義寫FLASH函數(shù)，調(diào)用軟中斷

　　unsigned long Write_Flash(unsigned long StartAddr, unsigned short* DataPtr, unsigned long Count)

　　{

　　Extern unsigned long __swi(3) Get_Write_Addr(void);

　　FuncWR_t Func; //定義一個(gè)函數(shù)指針

　　Func = (FuncWR_t)Get_Write_Addr();

　　return Func(StartAddr, DataPtr, Count);

　　}

　　unsigned long __swi(3)Get_Write_Addr(void);

　　unsigned long __swi_3(void) //Get Write Flash Function Address

　　{

　　return (unsigned long)NorFlash_Write;

　　}

　　NorFlash_Write函數(shù)接口定義如下：

　　unsigned long NorFlash_Write(unsigned long StartAddr, unsigned short * DataPtr, unsigned long Count);

　　4.2 CFI接口實(shí)現(xiàn)

　　對(duì)于FLASH中采用CFI接口的編程實(shí)現(xiàn)，在網(wǎng)上有很多的源碼可以參考，本文不再對(duì)此詳述。以寫FLASH為例，函數(shù)如下：

　　unsigned long NorFlash_Write(unsigned long StartAddr, unsigned short * DataPtr, unsigned long Count)

　　{

　　……..

　　……..

　　WRITE_CMD(0X5555,0XAAAA);

　　WRITE_CMD(0X2AAA,0X5555);

　　WRITE_CMD(0X5555,0XA0A0);

　　……..

　　……..

　　}

　　5 總結(jié)

　　本文以ARM7內(nèi)核的LPC2458 MCU，采用軟中斷的方法實(shí)現(xiàn)片外FLASH在運(yùn)行程序時(shí)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)此FLASH的寫操作例程。詳細(xì)描述了ARM7內(nèi)核的MCU軟中斷程序的設(shè)計(jì)方法。希望能對(duì)使用ARM7內(nèi)核、Cortex-M3/M4內(nèi)核的MCU，實(shí)現(xiàn)軟中斷程序起到一個(gè)參考的作用。