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AppliedMicro宣布采用臺積電7nm制程

作者: 時間:2016-07-14 來源:新電子 收藏

  7納米制程先下一城,芯片業(yè)者AppliedMicro正式宣布將采用7納米制程技術(shù)生產(chǎn)云端運(yùn)算與網(wǎng)路通訊芯片。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201607/294010.htm

  AppliedMicro總裁兼執(zhí)行長Paramesh Gopi表示,該公司很高興有機(jī)會擴(kuò)大與的合作關(guān)系,往后會努力將先進(jìn)科技帶到高效能運(yùn)算市場中,并且更密集地與臺積電合作,以促使AppliedMicro旗下的矽產(chǎn)品,都能受益于臺積電的優(yōu)良制程技術(shù)。同時,7納米制程技術(shù)的導(dǎo)入,將對正快速成長的數(shù)據(jù)中心市場帶來重要變革,對運(yùn)算效能、網(wǎng)路速度、能源效率等都將帶來顯著提升,并降低資料中心的總體持有成本。

  臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)副總經(jīng)理金平中表示,臺積電也很高興能為AppliedMicro的成功盡一份力,臺積電先進(jìn)的7納米制程,可使客戶在運(yùn)算以及網(wǎng)路應(yīng)用領(lǐng)域獲得關(guān)鍵性的效能表現(xiàn)。

  云端資料中心對伺服器或相關(guān)產(chǎn)品的效能、密度與功耗追求永無止境。因此,好的終端使用者經(jīng)驗、較低的維運(yùn)成本以及環(huán)保,將更加受到重視。AppliedMicro旗下產(chǎn)品X-Gene和X-Weave目前采用的是16納米FinFET強(qiáng)效版制程(16FF+),而全新的7納米FinFET制程,將在相同功耗下提供更多的效能優(yōu)勢,或在相同效能下提供更低的功耗。

  AppliedMicro于2015年在ARM科技論壇(TechCon)上發(fā)表的X-Gene 3,結(jié)合了32ARMv8,可達(dá)到約550 SPECint速率。其是該公司產(chǎn)品策略變更后的產(chǎn)物,早期的X-Gene設(shè)計采用的技術(shù)有1~2個過程節(jié)點,僅能提供相對較少的核心數(shù)量與高I/O整合。相反地,采用16FF+制程的芯片具備更多的核心數(shù)量、更大的L3快取與更多的DDR4存儲介面。

  之外,該公司于2016年在光纖通訊會議(Optical Fiber Communications Conference)上發(fā)表了100G X-Weave PAM4,其為單一波長,具混和訊號特性,采用4階脈沖振幅調(diào)變(PAM4)。X-Gene與X-Weave的目標(biāo)都是提供更大規(guī)模的企業(yè)或私人云端作業(yè)系統(tǒng)與環(huán)境。共同特點像是高速互聯(lián)與電信等級的可靠性,或是在既有的資料中心紀(jì)錄里,擁有更多檢索與運(yùn)算能力。



關(guān)鍵詞: 臺積電 7nm

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