屏蔽性能指標介紹
1.表面轉移阻抗(SuRFaceTransferImpedance)
本文引用地址:http://2s4d.com/article/194385.htm按IEC61196-1測試同軸電纜的方法,測試帶屏蔽的平衡電纜,短路8根芯線后用50Ω信號源激勵。被測試線長1米,測試頻率30MHz,頻率越高,線長越短導體表面轉移阻抗。主要用于評估連接硬件的屏蔽效率,其實測值不超過以下計算值。
ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3
ZTcable:表面轉移阻抗,單位mΩ/m
f:信號頻率,單位MHz
2.轉移阻抗(TransferImpedance)
轉移阻抗與屏蔽電纜和連接硬件的屏蔽效率相關,其數(shù)值可通過實驗室高頻密封箱測量屏蔽插入損耗,計算得出。
Ri1=Ri2=50Ω——網(wǎng)絡分析儀特性阻抗
R1=50Ω——饋電電阻
R2=50Ω——終端電阻
U1=信號發(fā)射電壓(V)
U2=信號接收電壓(V)
Uc=被測設備兩端電壓
Zcond=連接器特性阻抗(Ω)
Zt=轉移阻抗(Ω)
Zt=1/l電纜長度•Ri1/Ri2•(R2+Ri2)•U2/U1=100/l電纜長度•U2/U1
由于屏蔽插入損耗(αs)為20•lg(U2/U1)dB,轉移阻抗(Zt)也可以表示為:
Zt=100•10α/20(Ω)
3.耦合衰減(CouplingAttenuation)
耦合衰減用于描述電纜系統(tǒng)的電磁兼容性能。耦合衰減Catt=Pr/Pi(Pr:線纜接收功率;Pi:在內(nèi)導體上產(chǎn)生的噪聲功率)
將電纜近似看作電磁場中的全向天線,其接收到的電磁功率Pr=λ2/4π•PD(λ:信號波長,PD:電磁場功率密度)
內(nèi)部內(nèi)部導體產(chǎn)生噪聲功率Pi=內(nèi)部導體產(chǎn)生噪聲功率Vi2/Z(Vi:內(nèi)導體上的噪聲電壓;Z內(nèi)導體阻抗,50Ω)
4屏蔽系數(shù)(GB54419-1985)
按下圖裝置,測試電纜金屬護套及鎧裝層的理想屏蔽系數(shù)γ0s=VC/VS(線芯上的感應電壓mV;電纜式樣金屬套上的縱向干擾電壓mV)。
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