微波暗箱反射率電平分析與測量

作者：時間：2012-07-26 來源：網(wǎng)絡

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（3）描繪駐波曲線的包絡，由包絡線的極大極小值求出Δab，并求出它的平均電平A1（dB），若ED＞ER，A1（dB）就是接收天線的方向圖電平。如圖（6）：

（4）在不同的角上，重復（2）、（3）步驟，就能求出一系列空間駐波曲線，再由駐波曲線的包絡來求出Δab值，在ED＞ER的情況下，由式（8）就能求出不同方向上的反射率電平。如果ED＞ER，則需按下式計算反射率電平：

由于ED隨天線的移動有規(guī)律的變化，ER無規(guī)律的變化，在某取向角，如果實測空間駐波曲線的平均值出現(xiàn)無規(guī)律變化時，就能判定ER＞ED，或者在這個取向角上，假定駐波曲線的平均電平比在這個取向角上方向圖的電平高，也能判定ER＞ED。

6 建立小圓柱型微波暗箱的測試系統(tǒng)與測試步驟

（1）測試裝置的建立

微波暗箱反射率電平的測試系統(tǒng)主要由發(fā)射信號源（69347B）、接收機（MS2667C頻譜分析儀）、計算機及接收天線和測試支架組成，見框圖（7）。其中信號源為發(fā)射天線輸出一個微波直射信號，由頻譜分析儀接收來自各方向的反射及直射信號，并由計算機讀出后描繪出一個空間駐波曲線，并計算出反射率電平。天線支架用來控制測試天線的上下、左右直線移動及轉角姿態(tài)的變化動作。為了能比較準確地描繪出空間行程駐波曲線，天線移動的行程距離必須大于等于兩個波長。最后通過改變接收天線取向角以獲得若干條駐波曲線，從而達到測試小圓柱型微波暗箱反射率電平的目的。

（2）測試過程

依據(jù)VSWR法的特點，我們將接收天線安裝在測試支架上，使天線處于暗箱中心軸線上，并距離后壁尖劈為15cm處，分別改變天線與中心軸的夾角來進行反射率電平的測試。

（3）天線測試狀態(tài)的確定

這里我們僅選擇垂直極化狀態(tài)進行測試，其次考慮到被測箱體的限制，在測試位置上僅選取一點，即接收天線距離后壁尖劈為15cm處，俯仰角為±20°，±35°時，接收天線上下移動2-4個波長。由于暗箱為圓柱體，因此可通過轉動暗箱來實現(xiàn)對暗箱內壁任意一點反射性能的測試，而暗箱后壁的反射性能受測試條件的局限而無法進行測量，故暫不考慮。

（4）Z向（垂直向）的測試

Z向的測試是接收天線離后壁尖劈15cm處，以箱體軸線作垂直向的上下移動，其上下移動的高度為±3λ（±9cm），天線的取向角為±20°，±35°，在這些點上測出若干條干涉曲線。垂直向的測試主要是測量暗箱上下尖劈對電磁波的反射情況。

在0°時，接收天線所獲取的曲線（數(shù)值）為Z向場幅度的均勻性。通過由頻譜儀測得的曲線，求出其最大電平變化值（Δab），及曲線的平均值（Ai）以得到天線在該取向角θ時的方向圖電平值。

（5）將微波暗箱旋轉至所需要的角度φi，重復（3）、（4）步驟，測出暗箱其余內壁的反射率電平。以下是我們對802所編號為6CH-6W2的暗箱采用以上方法進行測試，測試數(shù)據(jù)如下：

表（1）：接收天線作上下移動時電平的變化值測試頻率：10.125GHz，接收天線距離暗箱中心軸5cm處定義為移動的起始位置，接收天線分別取俯仰角+20°、-20°。

本文引用地址：http://2s4d.com/article/193519.htm

移動距離（mm）	仰角+20°時電平的變化（dB）	俯角-20°時電平的變化（dB）
0	61.09	61.24
2	61.08	61.22
4	61.08	61.17
6	61.04	61.17
8	60.98	61.12
10	60.96	61.08
12	60.95	61.06
14	60.91	61.04
16	60.96	61.03
18	60.97	61.03
20	60.97	61.03
22	61.00	61.04
24	61.00	61.10
26	60.98	61.15
28	60.99	61.17
30	60.96	61.19
32	60.94	61.28
34	60.89	61.37
36	60.88	61.31
38	60.86	61.42
40	60.86	61.47
42	60.83	61.53
46	60.80	61.58
48	60.74	61.63
50	60.71	61.65
52	60.66	61.72
54	60.90	61.74
56	60.89	61.74
58	60.79	61.74
60	60.46	61.69
62	60.45	61.67
64	60.73	61.63
66	60.72	61.58