集成電路構(gòu)成的振蕩電路集

5、圖5是用CMOS與非門(mén)構(gòu)成的壓控振蕩器電路。該電路與圖1所示電路類(lèi)似，CT可由CX代替，RT由用VA調(diào)節(jié)的NMOS管代替。RT變換范圍由1K~10K，其最小的值被并聯(lián)的RE（10K）和NMOS管所決定。NMOS一般從1K~10^8歐姆。當(dāng)VA=VS，N溝器件截止，則RT=R1=10K。當(dāng)VA=VDD，NMOS管充分導(dǎo)通，RT=1K。這種振蕩器的中心頻率可以通過(guò)CX來(lái)調(diào)節(jié)。

6、圖6是用與非門(mén)組成的可控振蕩器。在圖1的基礎(chǔ)上，在門(mén)F1的一個(gè)輸入端接一個(gè)控制電壓，組成可控振蕩器，當(dāng)控制電壓為1時(shí)，振蕩器工作，輸出矩形波；當(dāng)控制信號(hào)電平為0時(shí)，振蕩器停振，輸出停留在低電平狀態(tài)即無(wú)振蕩信號(hào)輸出。

7、圖7是用與非門(mén)組成的LC振蕩器。a為單只門(mén)LC振蕩器，b為雙門(mén)LC振蕩器，c為三門(mén)LC振蕩器。這種振蕩器的頻率誤差比上述幾種RC振蕩器小，頻率為F=1/2π√（2/LC），C=Ci=Co。

二、觸發(fā)器構(gòu)成的震蕩電路
1、圖8是用COMS電路D觸發(fā)器組成的占空比可調(diào)的脈沖發(fā)生器。
設(shè)電路初始狀態(tài)Q為低電平，/Q為高，/Q端通過(guò)RB對(duì)CB充電，使CB的端電壓升高，當(dāng)達(dá)到S的置位電平時(shí)，則/Q由高變低，Q端由低變高，CA開(kāi)始被充電，CB通過(guò)RB并聯(lián)的D1放電，當(dāng)CA的電壓達(dá)到R的復(fù)位電平時(shí)，則復(fù)位，Q的電平又回到原來(lái)的狀態(tài)，完成一個(gè)震蕩周期。

如 輸出脈沖從Q端輸出，脈沖持續(xù)時(shí)間TA=0.7RACA;截止時(shí)間TB=0.7RBCB;可通過(guò)調(diào)節(jié)其數(shù)值而改變占空比.
2、圖9是用D觸發(fā)器組成的相位控制和占空比可調(diào)的多功能震蕩器，具有起振和停振控制；VC為起振；VP為高時(shí)V0就為高，為低時(shí)V0就為低，原理和圖8似。