新型電子變壓器控制器IR2161
1 IR2161的主要特點
IR2161是國際整流器公司(IR)專為電子變壓器而設計的智能控制集成電路。該器件能驅動低壓鹵素燈。IR2161把所需功能全部集于單一的8引腳DIP或SOIC封裝內,從而可有效減少元件數(shù)量、簡化電路并增強可靠性。
IR2161能適應不斷變化的電壓、頻率及燈管狀態(tài),這一特點有助于設計時引入高度可靠的鹵素變壓器,同時可簡化設計和制造過程。該款緊湊的8引腳器件配備IR的強化高壓集成電路技術,同時揉合了600V半橋驅動器、先進的過載及短路保護電路以及高溫關閉和自適應控制技術,可成為除傳統(tǒng)的基于自諧振、雙極晶體管半橋電路方案以外的另一可靠選擇。此外,IR2161內含以雙向晶閘管為基礎的標準移相調光器,因而能支持外部調光。相比其它采用分立元件的同類電路,IR2161能節(jié)省兩成組件。自適應死區(qū)時間控制也是IR2161的關鍵性能,可通過持續(xù)軟開關來增強變壓器的可靠性。IR2161以IR的高壓結間隔離?HVJI? 集成電路技術為基礎。這項專利技術把高壓電路從低壓電路中分隔出來,將高側及低側驅動功能融合于緊湊的單芯片內,從而控制多種開關轉換器的拓撲。由于鹵素照明需配合高、低壓電路才能運作,因此,基于IR HVJI技術的器件特別適合該種應用。
IR2161的其它特點包括:250/400mA的輸出驅動容量、15.6V齊納二極管鉗位Vcc、低于300μA的微功率起動和30kHz~125kHz的內置振蕩器等。
2 引腳功能
圖1所示是ZR2161的引腳排列?IR2161的引腳功能如表1所列。
表1 IR2161的引腳功能
序 號 | 符 號 | 功 能 描 述 |
1 | VCC | 低側邏輯和驅動電路的電源電壓 |
2 | COM | 集成電路的功率地端和信號地端 |
3 | CSD | 關斷時間控制和補償電容 |
4 | CS | 電流感應輸入端 |
5 | LO | 低側柵驅動輸出 |
6 | VS | 高側浮動電源的返回端 |
7 | HO | 高側柵驅動輸出 |
8 | VB | 高側柵驅動浮空電源 |
圖2所示是來用IR2161構成的電子變壓器電路。當電路開始有效工作后,電路通過電阻RS上的電流減去被IR2161吸收的啟動電流來給電容CVCC充電。電阻大小的選取原則是保證它能從直流總線電壓獲取足夠的電流以使IR2161正常工作。由于電路只能在半個周期中給CVCC充電,因此選?。茫郑茫脮r,必須保證VCC在另一半周期中高于欠壓封鎖閾值,否則會影響整個電路的正常工作。如果僅僅通過RS給內部電路供電,那么RS的值不能過大,否則就不能提供芯片內部所需的電流,同時還要消耗1W~2W的功耗。通過電荷泵電路可以解決這個問題,圖中由DCP1和DCP2組成了一個電荷泵電路,該電路和CSNUB進行連接可以給VCC提供內部電路所需的電荷,由于RS只在啟動時候起作用,因此,RS的值可適當?shù)厝〈笠稽c,而不會影響電路的功耗。
由于16V齊納二極管VZ的功耗高達1.3W,因此,圖2電路中將其外接,以減小芯片的內部功耗。這樣,在有大電流出現(xiàn)時,VZ可以對多余電流進行旁路,以減小對IR2161的危害。電路中雙向晶閘管上的一個強電壓變化會形成一個大電流,當它流過電阻RD和電容CD時可立即將電容CVCC充電到最大值。一旦VCC超過它的啟動閾值,HO和LO將開始振蕩,從而使IR2161開始正常工作。電路中RS、RD和CD的選擇應保證鎮(zhèn)流器正常工作時能夠提供足夠的電流。自舉二極管DB和電容CB的作用是給高側功率管提供電源電壓。為了保證在第一個脈沖到達HO之前,高側電源電壓已經超過欠壓閾值,輸出驅動的第一個脈沖應該送入LO端。在LO經過數(shù)次振蕩以后,如果VB-VS超過欠壓閾值,高側驅動器將開始工作。在欠壓封鎖模式下,高低側驅動輸出HO和LO都為低電平。
圖2
4 自適應死區(qū)時間
自適應死區(qū)時間控制是IR2161的關鍵性能,可通過持續(xù)軟開關來增強變壓器的可靠性。IR2161配備有一個動態(tài)死區(qū)時間電路,當半橋結構中的直流母線電壓降到0V轉換點時,該電路的監(jiān)測功能電路會調高低側驅動器(LO輸出)。當LO變低時,其內置取樣和保持具有大致相同的延遲,因而可在LO轉低后把高側驅動器(HO輸出)調高。自適應死區(qū)時間控制可按振蕩器周期作出反應,并可在需要時調節(jié)死區(qū)時間。
設計者時無需考慮功率管的寄生電容或者輸出變壓器的漏磁。為了滿足電子變壓器功率管寄生電容和輸出變壓器漏磁的需要,整個系統(tǒng)的最小死區(qū)時間設置為300ns。
在該電路的初級變壓器上加一個緩沖電容可以提高轉換速率。但是如果緩沖電容過大,又會阻止VS電壓向反方向變化,從而使死區(qū)時間控制失效。IR2161的缺省死區(qū)時間為1.2μs~1.4μs。緩沖電容的典型值為幾百pF。
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