電子鎮(zhèn)流器半橋逆變輸入電路分析與設(shè)計(jì)

摘要：電子鎮(zhèn)流器半橋逆變輸入電路決定整機(jī)工作頻率，是影響開(kāi)關(guān)功率管逆變的重要因素。通過(guò)對(duì)脈沖變壓器及理想激勵(lì)電流波形的分析，如何提高轉(zhuǎn)換速率，阻尼振蕩予以討論，指出目前存在的設(shè)計(jì)誤區(qū)，做出減少共態(tài)導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗的新設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵詞：轉(zhuǎn)換速率；阻尼振蕩；共態(tài)導(dǎo)通；開(kāi)關(guān)損耗；新設(shè)計(jì)

0 引言

眾所周知，電子鎮(zhèn)流器半橋逆變輸入電路極為重要，它直接關(guān)系到整機(jī)的工作頻率、開(kāi)關(guān)損耗、轉(zhuǎn)換效率、輸出功率；同時(shí)對(duì)EMC、THD、PF等主要技術(shù)指標(biāo)也有一定影響。目前比較實(shí)用的技術(shù)方案是雙極型晶體管作半橋聯(lián)接，由磁環(huán)構(gòu)成脈沖變壓器反饋產(chǎn)生自激振蕩，輸出高頻脈沖電流供熒光燈管作光電轉(zhuǎn)換。由于晶體管基區(qū)的存儲(chǔ)效應(yīng)，延遲了關(guān)斷時(shí)間；集電結(jié)電容使輸出脈沖電流對(duì)輸入端構(gòu)成不良影響；特別是輸入電路中的脈沖變壓器，當(dāng)半橋逆變電路工作時(shí)，開(kāi)關(guān)電流在其初級(jí)繞組中產(chǎn)生振鈴，其正峰值與基區(qū)存儲(chǔ)的正電荷合力促使開(kāi)關(guān)管延遲關(guān)斷，或重復(fù)導(dǎo)通，這就造成“共態(tài)導(dǎo)通”，輕則開(kāi)關(guān)損耗增大，三極管發(fā)燙，重則開(kāi)機(jī)就進(jìn)入二次擊穿，而且任何保護(hù)電路對(duì)它都無(wú)能為力。

為此，研究開(kāi)關(guān)管迅速導(dǎo)通、徹底關(guān)斷的理想激勵(lì)條件，設(shè)計(jì)由雙極型晶體管構(gòu)成的電子鎮(zhèn)流器半橋逆變輸入電路最佳方案很有必要。

1 開(kāi)關(guān)管迅速導(dǎo)通的激勵(lì)條件

雙極型晶體管的電流放大系數(shù)β值并非是一個(gè)常量，而是隨信號(hào)頻率的增大而減小的。當(dāng)基極注入階躍電流I_b時(shí)，集電極電流i_c上升隨時(shí)間的變化是非線性的，即

i_c（t）=β_oI_b（1－）（1）

式中：β_o為低頻時(shí)的β值；

ω_o=2πf_β(f_β為晶體管共射電路截止頻率)。

若令 T_ce=1/ω_o，

則 i_c（t）=β_oI_b(1－)（2）

式（2）表明，基極注入階躍電流I_b時(shí)，集電極電流i_c按指數(shù)規(guī)律逐漸上升到最大值β_oI_b。若令開(kāi)啟時(shí)間t_k為集電極電流i_c從零上升到最大值β_oI_b的90％所需時(shí)間，上式改寫(xiě)為

0.9β_oI_b=β_oI_b(1－)（3）

解式（3）得 t_k=2.3T_ce（4）

根據(jù)式（4）作出圖1是基極階躍電流I_b對(duì)i_c的影響。

（a）基極階段電流I_b （b）集電極電流i_c

圖1 I_b對(duì)i_c的影響

舉例：電子鎮(zhèn)流器常用晶體管MJE13005的β_o=20，f_T=4MHz，

則f_β=f_T/β=4MHz/20=200kHz，

T_ce=1/ω_o=1/2πf_β≈0.80μs，

故t_k=2.3T_ce≈1.84μs

工作在30kHz左右的電子鎮(zhèn)流器，單個(gè)脈寬為16.7μs，開(kāi)啟時(shí)間占11％是比較長(zhǎng)的。而開(kāi)啟時(shí)間越長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)損耗隨著增大。如果加大注入階躍電流i_b為臨界飽和電流I_b的N倍，可以使開(kāi)啟時(shí)間t_k相應(yīng)縮短，即

β_oI_b=β_oNIb（1－）（5）

解式（6）得 t_k=T_celn（6）

圖2是過(guò)激勵(lì)對(duì)開(kāi)啟時(shí)間的影響，從曲線圖中看出：N>2時(shí)，t_k的減小不太明顯了。反之，激勵(lì)過(guò)大，又引起開(kāi)關(guān)管的深度飽和，并消耗太多的激勵(lì)功率。對(duì)于電子鎮(zhèn)流器逆變電路，取N=2是合適的，即

i_c≥（7）

式中：I_cp為開(kāi)關(guān)管工作時(shí)集電極電流峰值。

（a）激勵(lì)電流 （b）倍數(shù)N的影響

圖2 過(guò)激勵(lì)對(duì)開(kāi)啟時(shí)間的影響

以MJE13005管為例，取過(guò)激勵(lì)倍數(shù)N=2，則t_k=T_celn=0.8μsln2≈0.8μs0.7=0.56μs，這一計(jì)算結(jié)果與圖2所示曲線相似，它僅為原開(kāi)啟時(shí)間的3/10。

2 開(kāi)關(guān)管迅速截止的激勵(lì)條件

開(kāi)關(guān)管從導(dǎo)通到截止的物理過(guò)程與開(kāi)啟時(shí)基本相同。由于基區(qū)存儲(chǔ)效應(yīng)和集電結(jié)電容的影響，導(dǎo)通時(shí)的集電極電流維持在飽和值I_c=β_oI_b，當(dāng)基極注入電流I_b突然下降為零，i_c不可能突變?yōu)榱?，而是按指?shù)規(guī)律下降：

i_c=I_c（8）

若規(guī)定下降時(shí)間t_x的定義域是：當(dāng)i_c降到β_oI_b的1/10時(shí)所需的時(shí)間，即

0.1β_oI_b=β_oI_b（9）

解式（9）得 t_x≈2.3T_ce（10）

下降時(shí)間t_x越長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)損耗也越大。當(dāng)電路工作在半橋逆變狀態(tài)時(shí)，一只開(kāi)關(guān)管尚未完全截止而另一只開(kāi)關(guān)管已開(kāi)始導(dǎo)通的瞬間，直流回路處于短路狀態(tài)，所出現(xiàn)的i_c峰值是驚人的，這種“共態(tài)導(dǎo)通”是引起開(kāi)關(guān)管二次擊穿的重要原因。當(dāng)開(kāi)關(guān)管選定之后，縮短下降時(shí)間t_x的最佳方案是基極注入反向電流，將基區(qū)存儲(chǔ)的大量的正電荷在極短時(shí)間內(nèi)相互完全中和，實(shí)現(xiàn)迅速關(guān)斷的目的。設(shè)基極反向激勵(lì)電流加大為－N′I_b′時(shí)，電流i_c降至－β_oN′I_b（此式只限于解釋?zhuān)驗(yàn)?EM>V_ce>0，i_c實(shí)際上不出現(xiàn)負(fù)值）。在反向激勵(lì)電流作用下，i_c從I_c下降至零的時(shí)間為t_x，則

0=β_oI_b（1＋N′）（11）

解式（11）得 t_x=T_celn（12）

依照式（12）得圖3的反向激勵(lì)倍數(shù)N′與截止時(shí)間的關(guān)系。如圖3所示，當(dāng)N′>3后，效果不太顯著。工程上一般取i_b≥3I_b=。

（a）基極注入反向電流 （b）截止時(shí)間t_x（N）關(guān)系曲線

圖3 反向激勵(lì)倍數(shù)與截止時(shí)間的關(guān)系

以MJE13005為例，未加反向過(guò)激勵(lì)電流時(shí)的t_x=2.3T_ce≈1.84μs，加反向過(guò)激勵(lì)，取N′=3時(shí)

t_x=T_celn=0.8μsln=0.224μs

顯然，開(kāi)關(guān)管基極加上3倍的I_b反向過(guò)激勵(lì)，下降時(shí)間t_x可以從1.84μs縮短到0.224μs。由此可知，由于雙極型晶體管開(kāi)關(guān)管的存儲(chǔ)效應(yīng)，基極驅(qū)動(dòng)的理想激勵(lì)電流波形如圖4所示。

圖4中：t₁－t₂為開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通瞬時(shí)基極注入電流i_b，峰值為2I_b，有助于迅速導(dǎo)通，縮短過(guò)渡期，減少開(kāi)關(guān)損耗。

圖4 基極驅(qū)動(dòng)的理想激勵(lì)電流波形

t₂－t₃為開(kāi)關(guān)管維持導(dǎo)通時(shí)間，此時(shí)的Ib在滿(mǎn)足其導(dǎo)通的條件下，盡量小些，避免深度飽和，有利于減小開(kāi)關(guān)管的存儲(chǔ)時(shí)間。

t₃－t₄為開(kāi)關(guān)管截止瞬間，其反向電流峰值達(dá)3倍的I_b值，增加其基極反向電流，從而減小存儲(chǔ)時(shí)間和下降時(shí)間。

3 脈沖變壓器工作狀態(tài)分析

電子鎮(zhèn)流器常用鐵氧體磁芯構(gòu)成的環(huán)形脈沖變壓器作為驅(qū)動(dòng)元件。由于激勵(lì)電壓脈沖是方波，其平頂部分含低頻分量多，而脈沖前后沿高頻分量多。這樣對(duì)脈沖變壓器的要求就嚴(yán)格了，既要求足夠的互感，又要漏感小、分布電容小。因此，具有矩形磁滯回線及磁滯損耗小，飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度Bs高，外形為Φ10mm6mm 5mm的R2K材料磁環(huán)最佳。其磁路是閉合的，漏磁最小。工藝上要盡量減小其寄生參數(shù)。

圖5為脈沖變壓器結(jié)構(gòu)及等效電路。運(yùn)用拉氏變換法可得到四端網(wǎng)絡(luò)等效電路，圖5中繞組1為初級(jí)，繞阻2為次級(jí)。R_s是訊號(hào)源的內(nèi)阻，L_P是漏電感，L_M為磁化電感，C是分布電容，R_L′是開(kāi)關(guān)管基極回路的折合到初級(jí)的電阻值。

（a）結(jié)構(gòu)示意（b）等效電路

圖5 脈沖變壓器

當(dāng)電子鎮(zhèn)流器的燈管、鎮(zhèn)流電感器和啟動(dòng)電容選定之后，其振蕩頻率主要取決于開(kāi)關(guān)管的基極回路、脈沖變壓器的材料、幾何尺寸、初次級(jí)繞組匝數(shù)。工程上的振蕩頻率f可由式（13）導(dǎo)出。

f=（13）

式中：V_s為初級(jí)繞組的驅(qū)動(dòng)電壓；

N為初級(jí)繞組圈數(shù)；

β_s為磁芯飽和磁通密度；

S為磁環(huán)有效截面積；

K為系數(shù)，矩形波取4.0。

本文所述磁環(huán)的有效截面積S為

S=h=5≈10mm²=0.1cm²

設(shè)V_s為2.5V，β_s=0.45T，N取4匝，代入式（13）得

f====34.72kHz

上述計(jì)算值僅供工程技術(shù)人員在設(shè)計(jì)中作參考。實(shí)際調(diào)試中，其工作頻率還受開(kāi)關(guān)管的t_s值、基極輸入回路阻抗及與開(kāi)關(guān)管并聯(lián)的補(bǔ)償電容器數(shù)值的影響而稍有偏離。

圖5為脈沖變壓器結(jié)構(gòu)及等效電路。運(yùn)用拉氏變換法可得到四端網(wǎng)絡(luò)等效電路，圖5中繞組1為初級(jí)，繞阻2為次級(jí)。R_s是訊號(hào)源的內(nèi)阻，L_P是漏電感，L_M為磁化電感，C是分布電容，R_L′是開(kāi)關(guān)管基極回路的折合到初級(jí)的電阻值。

（a）結(jié)構(gòu)示意（b）等效電路

圖5 脈沖變壓器

當(dāng)電子鎮(zhèn)流器的燈管、鎮(zhèn)流電感器和啟動(dòng)電容選定之后，其振蕩頻率主要取決于開(kāi)關(guān)管的基極回路、脈沖變壓器的材料、幾何尺寸、初次級(jí)繞組匝數(shù)。工程上的振蕩頻率f可由式（13）導(dǎo)出。

f=（13）

式中：V_s為初級(jí)繞組的驅(qū)動(dòng)電壓；

N為初級(jí)繞組圈數(shù)；

β_s為磁芯飽和磁通密度；

S為磁環(huán)有效截面積；

K為系數(shù)，矩形波取4.0。

本文所述磁環(huán)的有效截面積S為

S=h=5≈10mm²=0.1cm²

設(shè)V_s為2.5V，β_s=0.45T，N取4匝，代入式（13）得

f====34.72kHz

上述計(jì)算值僅供工程技術(shù)人員在設(shè)計(jì)中作參考。實(shí)際調(diào)試中，其工作頻率還受開(kāi)關(guān)管的t_s值、基極輸入回路阻抗及與開(kāi)關(guān)管并聯(lián)的補(bǔ)償電容器數(shù)值的影響而稍有偏離。

應(yīng)該引起重視的是：半橋逆變電路輸出電壓波形是典型的方波，流經(jīng)脈沖變壓器繞組的電流的上升沿和下降沿會(huì)產(chǎn)生振鈴現(xiàn)象，波形發(fā)生畸變，如圖6所示。

圖6 電流的上升沿和下降沿產(chǎn)生的振鈴現(xiàn)象

對(duì)于電子鎮(zhèn)流器來(lái)說(shuō)，下降沿的振鈴電流幅度大危害也大。產(chǎn)生振鈴電流的根本原因是矩形脈沖的上升沿和下降沿的過(guò)沖所造成的。由于脈沖前后沿包含著豐富的高頻成份，頻率越高，L_M的感抗ωL_M值越大，當(dāng)?shù)刃ё杩棺銐虼髸r(shí)，此處就會(huì)產(chǎn)生振蕩。振蕩的強(qiáng)度與基極回路的等效阻抗有關(guān)。阻尼系數(shù)可以由式（14）表示。

δ=（14）

根據(jù)式（14）可以繪制出圖7所示的3種阻尼曲線。

圖7 不同δ時(shí)的阻尼特性

取臨界阻尼δ=1

當(dāng)δ>1時(shí)為過(guò)阻尼，波形上、下沿過(guò)渡緩慢，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管進(jìn)入放大區(qū)時(shí)間拉長(zhǎng)，損耗增大，開(kāi)關(guān)管發(fā)熱。

當(dāng)δ1時(shí)，雖然開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通，截止加速，表現(xiàn)為開(kāi)關(guān)管溫升極低。然而，下降沿振鈴電流的上沖部分與基極存儲(chǔ)電荷的雙重作用下，使開(kāi)關(guān)管延遲關(guān)斷或重復(fù)導(dǎo)通，這是共態(tài)導(dǎo)通的元兇。

一些技術(shù)人員反映：當(dāng)電路損耗調(diào)到熒光燈管消耗功率的1/10以下時(shí)，MJE13005散熱板上摸不出溫升感覺(jué)，一直工作正常。當(dāng)更換燈管或電源電壓稍有變化，開(kāi)機(jī)瞬間就被擊穿，百思不得其解。這一現(xiàn)象從δ1時(shí)的理論分析可得出答案：當(dāng)電源電壓升高或燈管老化，管壓增高時(shí)，等效負(fù)載電阻R_L′也增大；同時(shí)，開(kāi)關(guān)電路的工作頻率也隨之偏離，振鈴電流驟然增大，嚴(yán)重時(shí)開(kāi)機(jī)瞬間半橋逆變電路的開(kāi)關(guān)管因共態(tài)導(dǎo)通迅速進(jìn)入二次擊穿區(qū)域。振鈴輕微的工作頻率攀升，數(shù)分鐘后，功率猛增，開(kāi)關(guān)管溫升達(dá)100℃左右，最終也會(huì)被燒毀。

4 輸入電路的設(shè)計(jì)

4．1 脈沖變壓器的設(shè)計(jì)

在電子鎮(zhèn)流器中，脈沖變壓器猶如人體中的心臟，它是決定電路工作效率及可靠性的關(guān)鍵。

首先是材料的選擇，為了實(shí)現(xiàn)理想的驅(qū)動(dòng)基極電流波形，要求磁芯的起始磁導(dǎo)率μ_i和飽和磁通密度B_S要高些，而剩磁B_r和矯頑力H_O越小，越有利于電流轉(zhuǎn)換。居里溫度T_C和磁阻R_m選得高些，電路工作穩(wěn)定性好，損耗也小，這已成為工程技術(shù)人員的共識(shí)。選擇國(guó)產(chǎn)RM2KD鐵氧體材料一般能滿(mǎn)足要求。對(duì)于Φ10mm6mm5mm磁環(huán)，測(cè)得μ_i=2500，T_C=220℃，B_S=0.45T。

其次是脈沖變壓器的初次級(jí)繞組的確定。一般先計(jì)算出初級(jí)繞組的電感量L_M。

L_M=t_uR_L′/Δ（15）

式中：t_u為脈沖持續(xù)時(shí)間；

Δ工程上大多取0.8為脈沖頂部下降畸變系數(shù)。

按式（16）可以估算初級(jí)繞組圈數(shù)N。

N=（16）

式中：l為磁環(huán)平均磁路長(zhǎng)度；

μ_△為鐵芯磁導(dǎo)率；

S為磁環(huán)截面積。

設(shè)計(jì)中，R_L′隨著初次級(jí)匝比、開(kāi)關(guān)管基極串聯(lián)的限流電阻R_b及開(kāi)關(guān)管發(fā)射極電阻的變化而變化，此等效阻抗要作適當(dāng)調(diào)整。

4．2 基極輸入電路的設(shè)計(jì)

脈沖變壓器參數(shù)確定之后，開(kāi)關(guān)管輸入電路的設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的。設(shè)計(jì)的依據(jù)是盡量符合理想激勵(lì)電流波形。根據(jù)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)際情況和工藝上的要求，結(jié)合脈沖變壓器的固有特性，電路結(jié)構(gòu)要簡(jiǎn)單，性能要穩(wěn)定，一致性好，實(shí)用性較強(qiáng)。

方案之一：反向二極管阻尼電路，如圖8所示。

圖8 反向二極管阻尼電路

圖8中快速恢復(fù)二極管D與開(kāi)關(guān)管的基極限流電阻R_b反向并聯(lián)，基極與地之間還并聯(lián)一只防振電容器C。對(duì)于脈沖上升沿和平頂段，因D的反接而不起作用，R_b的限流作用，使i_b^＋稍大于I_b，適當(dāng)調(diào)整次級(jí)繞組圈數(shù)，開(kāi)關(guān)管迅速導(dǎo)通而不進(jìn)入過(guò)飽和狀態(tài)。而當(dāng)脈沖下降沿到來(lái)，D正向偏置而導(dǎo)通，脈沖變壓器輸出的負(fù)向過(guò)沖電流順利注入開(kāi)關(guān)管基極，按di_b^－/dt的速率將基區(qū)存儲(chǔ)的正電荷迅速中和，瞬間進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)。C的作用是進(jìn)一步消除脈沖上升、下降沿所產(chǎn)生的振鈴電流，使開(kāi)關(guān)管安全工作。

方案之二：RC并聯(lián)阻尼電路，如圖9所示。

圖9 RC并聯(lián)阻尼電路

圖9中RC并聯(lián)在開(kāi)關(guān)管基極與地之間。阻尼電阻R的接入使防振電容C有一個(gè)放電回路，增強(qiáng)阻尼消振作用。同時(shí)R阻值一般與開(kāi)關(guān)管的輸入阻抗相仿，約33～100Ω之間，特別是在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，R對(duì)脈沖變壓器的阻尼作用是明顯增強(qiáng)的。再一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于R的接入使開(kāi)關(guān)管耐壓V_cer值進(jìn)一步得以提高，特別是大功率電子鎮(zhèn)流器，其可靠性提高是顯著的。該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，但很是實(shí)用。它與脈沖變壓器相配合，調(diào)試得當(dāng)，工作穩(wěn)定可靠。設(shè)計(jì)在燈具中，即使不設(shè)燈管開(kāi)路保護(hù)電路，也不會(huì)引起電子鎮(zhèn)流器的損壞。

方案之三：在上述兩種方案的基礎(chǔ)上，開(kāi)關(guān)管基極回路中串接一只20～50μH的電感器，對(duì)高頻振鈴電流呈現(xiàn)較大的阻抗，衰減也大。該方案最大優(yōu)點(diǎn)是調(diào)試簡(jiǎn)單，而效果達(dá)到事半功倍。

筆者就最近公告的發(fā)明專(zhuān)利《雙重功率因數(shù)校正低波峰比電子鎮(zhèn)流器》，設(shè)有雙重功率因數(shù)校正和低波峰比電路，高效燈絲預(yù)熱及異常狀態(tài)保護(hù)電路，同時(shí)其輸入回路采用了RC并聯(lián)阻尼電路。因而功率因數(shù)達(dá)到0.99，總諧波失真THD≤12％，波峰比CF≤1.65，電磁兼容EMC技術(shù)指標(biāo)符合IEC有關(guān)規(guī)定。它還設(shè)有無(wú)功耗（PTC）預(yù)熱式啟動(dòng)，使電路效率進(jìn)一步提高。燈管開(kāi)關(guān)壽命平均達(dá)到10000次以上。

5 設(shè)計(jì)誤區(qū)

5.1 設(shè)計(jì)誤區(qū)之一

為了改善雙極型晶體管開(kāi)關(guān)特性，往往在基極驅(qū)動(dòng)回路中串接一只1000～3300pF小電容，利用電容兩端電壓不能突變?cè)恚查g提供一個(gè)大的驅(qū)動(dòng)電流，既加速導(dǎo)通，也加速關(guān)斷。但是，同時(shí)把脈沖變壓器繞組中的上升或下降過(guò)沖所引起的振鈴電流也注入開(kāi)關(guān)管基極，這是很不利的。這種電路只適用于IC驅(qū)動(dòng)，不能用于脈沖變壓器的驅(qū)動(dòng)。

5.2 設(shè)計(jì)誤區(qū)之二

國(guó)內(nèi)常見(jiàn)鎮(zhèn)流器電路中，開(kāi)關(guān)管的基極與發(fā)射極之間反向并聯(lián)一只二極管，雖然有利于導(dǎo)通，消除了部分振鈴電流；但是，它把大部分反向電流也消除了，這不利于開(kāi)關(guān)管的加速截止，不能得到理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形。

比較理想的設(shè)計(jì)是在開(kāi)關(guān)管的基極和集電極之間串聯(lián)、并聯(lián)多個(gè)正向與反向二極管，構(gòu)成“抗飽和電路”，例如“貝克爾箝位電路”。雖然它消除了導(dǎo)通時(shí)的深飽和，達(dá)到了縮短存儲(chǔ)時(shí)間的目的，同樣也減小了反向激勵(lì)電流。但是它需要3～4個(gè)快恢復(fù)二極管，電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，所以在電子鎮(zhèn)流器中至今極少被采用。

6 結(jié)語(yǔ)

設(shè)計(jì)電子鎮(zhèn)流器的難點(diǎn)在于雙極型晶體管基極的電流存儲(chǔ)效應(yīng)、脈沖變壓器上升沿和下降沿的過(guò)沖振鈴電流；再是氣體放電燈的負(fù)阻特性，使鎮(zhèn)流器的負(fù)載回路不得不呈感性，從而使設(shè)計(jì)變得雪上加霜。通過(guò)對(duì)電子鎮(zhèn)流器半橋逆變輸入電路分析，提出的反向二極管阻尼電路和RC并聯(lián)阻尼電路有一定的實(shí)用性，基本上解決上述難點(diǎn)。這一技術(shù)在發(fā)明專(zhuān)利中使用得以進(jìn)一步驗(yàn)證。由于篇幅有限，本文未涉及到零電流開(kāi)關(guān)補(bǔ)償電容器、輸出回路中的電感性負(fù)載和放電燈對(duì)基極回路的影響。