疊柵MOSFETs的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研究
加入技術(shù)交流群
2 特性模擬
2．1 閾值電壓特性
首先，我們用模擬軟件MEDICI仿真了疊柵MOSFET與單柵MOSFET的閾值電壓，對(duì)仿真結(jié)果做比較，將不同溝道長(zhǎng)度閾值電壓特性以及閾值電壓的變化率展現(xiàn)出來(lái)。所用的兩種結(jié)構(gòu)除了柵結(jié)構(gòu)不同外，其它參數(shù)都相同(如溝道摻雜情況、源漏情況、溝長(zhǎng)等)。具體摻雜數(shù)值如表1，
為了仿真其閾值電壓特性，接法上將源端、襯底接地，漏端加一個(gè)較小電壓VDS=0．10V，單柵氧化層厚度tox=2．0×10-6cm，疊柵的兩個(gè)柵氧化層厚度都是tox=2．0×10-6cm。仿真結(jié)果如圖2所示。
評(píng)論