高頻串聯(lián)逆變器諧振極電容緩沖電路的研究

（a） C=0時(shí)，MOSFET的工作波形圖

（b） C=0時(shí)，MOSFET關(guān)斷時(shí)刻的工作波形圖

（c） C=500PF時(shí)，MOSFET的工作波形圖

（d） C=500PF時(shí)，MOSFET關(guān)斷時(shí)刻的工作波形圖

圖6 測(cè)試電路中MOSFET的工作波形

（CH1為開關(guān)電流波形，CH2為示波器表筆衰減10后的開關(guān)電壓波形)

6 結(jié)語(yǔ)

1）在頻率高達(dá)MHz級(jí)的串聯(lián)諧振逆變器中，開關(guān)器件漏源極兩端并聯(lián)一個(gè)適當(dāng)大小的無(wú)損電容，可以減少關(guān)斷損耗；

2）諧振電容值越大，關(guān)斷損耗越小，但總體損耗增加，在選擇C值時(shí)，應(yīng)折衷考慮；

3）實(shí)際工作過(guò)程中，隨著負(fù)載溫度的提高，從而使逆變器偏離最佳工作點(diǎn)，參數(shù)的選取應(yīng)留有一定的裕度，以保證緩沖電容放電完畢才開通同橋臂的MOSFET器件，實(shí)現(xiàn)零電壓開通。