一種15W三路輸出DC/DC模塊電源的設(shè)計
3.2 穩(wěn)壓方式選擇
對單路輸出,只在輸出端加穩(wěn)壓反饋電路即可,而對多路輸出,必須視要求而定:如果各路輸出電壓精度都要求高,則每路都應(yīng)設(shè)計獨立的閉環(huán)穩(wěn)壓回路,這樣設(shè)計難度較大;如果只有一路是重要的負載,其他路負載較輕,并對輸出電壓精度要求不是很嚴格,則只須給重要負載所在電路加反饋控制回路,其余兩路開環(huán),依靠耦合電感實現(xiàn)穩(wěn)壓。
3.3 多路輸出濾波電感繞制方式選擇
本例的三路輸出中,5V(Uo1)是比較重要的負載,輸出電流最大(2A),12V是運算放大器供電電源,允許電壓在1~2V范圍變化,電流較?。?.25A),所以,只在5V主路加反饋控制回路,±12V輔路的穩(wěn)壓性能是靠耦合電感來實現(xiàn)。針對本例多路輸出的具體情況,輸出濾波電感不宜采用獨立電感,而應(yīng)采用耦合電感,即將三路的輸出濾波電感繞在一個磁芯上,只有5V主電路受控,輸出特性較好,而±12V兩路較差影響不大。
4.1 UC3843外圍電路設(shè)計
4.1.1 開關(guān)頻率選擇
二次電源產(chǎn)品工作頻率一般選擇在100kHz~400kHz之間,本例設(shè)置開關(guān)頻率為250kHz,UC3843工作頻率可達500kHz,腳4是Rt/Ct鋸齒波振蕩器的定時電阻和電容的公共端,對于UC3843而言,
f==250kHz(1)
式中:R是圖1中的R304,其值為6.8kΩ;
C為圖1中的C302,其值為1nF。
4.1.2 過流保護電路設(shè)計
圖1中R101及R102為過流檢測電阻,根據(jù)式ISMAX≈1.0V/RS設(shè)計R101及R102,這個電阻要設(shè)
得很小,以降低電阻上的損耗,圖1中設(shè)計為兩個10Ω電阻并聯(lián)。檢測電壓送入UC3843的腳3。
腳3電壓高于1V過流保護電路就動作,使腳6停止輸出矩形波,電路停止工作。腳3還要接一個RC濾波器以抑制開關(guān)管的尖峰電流,圖1中這個濾波器由R103及C306組成。
4.1.3 反饋誤差放大器設(shè)計
R302,R303及C305構(gòu)成積分型調(diào)節(jié)器,電阻R302和R303的比例關(guān)系影響系統(tǒng)的動態(tài)特性。R302和R303的比值可以改變UC3843電壓誤差放大器的放大倍數(shù),對于一定的反饋電壓量,可使PWM調(diào)節(jié)器的輸出脈寬不同,從而影響輸出電壓調(diào)節(jié)幅度,即影響指標中輸出的動態(tài)響應(yīng)調(diào)節(jié)幅度。積分器的電容C305的大小影響系統(tǒng)的調(diào)節(jié)速度,即影響指標中輸出的動態(tài)響應(yīng)時間。
4.2 功率器件的選取
變換器的開關(guān)器件采用功率MOSFET,依據(jù)單管變換器計算電壓的經(jīng)驗公式,取
UCEO==144V(2)
式中:Udmax為漏源極的最大電壓;
D為占空比。
所以,功率MOSFET的反向電壓應(yīng)選用大于144V的,電流按高頻變壓器一次繞組的最大電流來確定。圖1中V101選用耐壓200V、電流9A的IRF630。
4.3 高頻變壓器的設(shè)計
4.3.1 磁芯的選用
多路輸出變壓器一般要求有較大的窗口面積,DC/DC模塊電源可選用FEY型、FEE型、EUI型等磁芯,對于正激變換器,理論上變壓器初級須有復(fù)位繞組Nr,這里考慮到變壓器腳位的問題,選取高飽和磁感應(yīng)強度的磁材,去掉復(fù)位繞組,這樣使每次磁芯都在磁化曲線的下部工作,避免磁芯飽和。
先確定最大磁感應(yīng)強度Bm,以計算并初選磁芯型號。
1)考慮高溫時飽和磁感應(yīng)強度Bs會下降,同時為降低高頻工作時磁芯損耗,最大工作磁感應(yīng)強度一般選為0.2~0.25T。這里選取高飽和磁感應(yīng)強度的磁材RM2.2KD,其Bs為0.44T。
2)磁芯型號的選取有兩種方法,一是依據(jù)式(3)
AeAw>=(3)
式中:Ae為磁芯截面積;
Aw為磁芯窗口面積;
fs為開關(guān)頻率;
ΔB為磁性材料所允許的最大磁通密度的變化范圍;
dc為變壓器繞組導體的電流密度;
kc為繞組在磁性窗口中的填充系數(shù)。
二是根據(jù)廠家的磁芯材料手冊給出的輸出功率與磁芯尺寸的關(guān)系。這里采用第二種方法選用FEY15.3磁芯,其有效截面積為18.7mm2。
4.3.2 計算匝比
Uo=Uo1+UD=5.0+0.5=5.5V(4)
式中:Uo1為5V主路輸出電壓;
UD為整流管MBR1545正向壓降,取0.5V。
n12==3.14(5)
式中:n12為主路原副邊匝比;
Ui=UminDmax=36×0.48=17.28V(其中Umin為電源最低輸入電壓,Dmax取0.48);
Uo為N2輸出電壓。
實際選取n12=4:1。
4.3.3 計算并調(diào)整主路副邊匝數(shù)
N2===3.13(6)
式中:Ts為電源周期,Ts==4×10-6s;
ΔBm為磁通增量,ΔBm=0.44-0.065=0.375T;
Ae為磁芯截面積,對FEY15.3磁芯,Ae=0.187cm2。
實際取N2=4匝。
4.3.4 計算原邊匝數(shù)
N1=N2×n12=4×4=16匝(7)
4.3.5 計算其余兩個輔路副邊匝數(shù)
N3=N4=N1×=4×=9.09(8)
式中:Uo2為+12V輔路輸出電壓;
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