一種高PSR帶隙基準(zhǔn)源的實(shí)現(xiàn)

　　本次設(shè)計(jì)的仿真基于ASMC的1 μm的高壓BCD工藝。

　　2.1 啟動(dòng)仿真

　　圖4是工藝角為tt，t=27℃時(shí)的啟動(dòng)仿真，此基準(zhǔn)需要3 μs就可建立正常狀態(tài)，這是由于基準(zhǔn)核心中的Cc1選取為比較小的2 pF的結(jié)果，這樣做的另一個(gè)結(jié)果就是中頻PSR有所降低，實(shí)際電路可根據(jù)需要選取Cc1的大小，如果需要中頻PSR較大，但對(duì)啟動(dòng)時(shí)間要求較低時(shí)，可以選取大Cc1(如Cc1選取10pF，則最高PSR將降為-28dB，但啟動(dòng)時(shí)間升至10μs)。LDO、ref、bg的啟動(dòng)過(guò)程比較平穩(wěn)，沒(méi)有過(guò)沖現(xiàn)象。

　　MBC控制作用的簡(jiǎn)述：在1μs時(shí)流過(guò)100μA的啟動(dòng)電流，當(dāng)LDO、ref、bg建立最低工作電壓后，啟動(dòng)電路開(kāi)始關(guān)斷過(guò)程，電流急劇減小，并最終在2μs時(shí)接近0A。整個(gè)電路正常運(yùn)行時(shí)消耗的電流是266μA。

　　2.2 溫漂仿真

　　圖5為不同工藝角下的溫漂仿真。仿真結(jié)果表明，此電路可以達(dá)到ref-45 ppm、bg-7.5 ppm的低溫漂。實(shí)際電路存在器件的不匹配和誤差等，雖然達(dá)不到理論上的溫漂，但通過(guò)仔細(xì)布版、修調(diào)帶隙核心電路中Rc1、Rc2，可以達(dá)到較低的溫漂。

　　2.3 PSR的仿真

　　圖6為工藝角tt，vcc=8.5V，t=27℃時(shí)的PSR的仿真，此基準(zhǔn)對(duì)電源干擾的抑制能力較強(qiáng)，4.75V輸出電壓在工作頻率60 k左右時(shí)的PSR達(dá)到了-75.1 dB，能有效抑制由半橋產(chǎn)生的震蕩;而且對(duì)來(lái)自數(shù)字部分的高頻震蕩也有較強(qiáng)的抑制能力。

　　表1為輸出電壓bg在不同工藝角下的PSR的仿真結(jié)果，本電路在不同工藝角下都能在高電源干擾的芯片中正常工作。

　　3 結(jié)論

　　此帶隙基準(zhǔn)輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB，最高PSR為-36 dB，溫漂可以達(dá)到7.5 ppm，適用于電子鎮(zhèn)流器芯片。本設(shè)計(jì)還優(yōu)化了啟動(dòng)部分，使新的帶隙基準(zhǔn)可以在短時(shí)間內(nèi)順利啟動(dòng)。此電路根據(jù)需要還可以修改基準(zhǔn)核心中的Rc3、Rc4，采用多段電阻分壓方式，以輸出多種參考電壓，方便靈活定制芯片。