基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設計

根據(jù)圖4所示IGBT參數(shù)可知，在VOC=600V、VGE=±15V、RG=2．4 Ω、TC=25℃、IC=400 A時，ton=0．25μs，toff=0．7μs。從圖5的UCE-t曲線圖看，IGBT的開關曲線比氫閘流管的開關曲線更好，更適合于作為脈沖調(diào)制器的開關管使用。
由于單片機的采用，就可以使調(diào)制器的保護采用軟件保護，這在減少調(diào)制器的體積與重量方面可以做出重大貢獻。
單個固態(tài)調(diào)制器的制造成本比氫閘流管調(diào)制器稍高，但是其使用壽命長，也就是說性價比高，況且在性能、構(gòu)造、可維性及可靠性方面遠遠勝于氫閘流管調(diào)制器。

4 仿真過程及結(jié)果
仿真軟件使用流行的SIMNLINK。
設觸發(fā)脈沖周期為2 ms，脈沖寬度為2μs，如圖6中的第一示波器(圖的下部)，仿真線前端的波形如圖6中的第二示波器(圖的上部)。由第二示波器可見，當觸發(fā)脈沖到來時，即IGBT網(wǎng)絡導通時，仿真線迅速放電，放電速率為5 000 V／6μs(即從滿電壓5 000 V至放電完成時間約為6μs)，并且無反沖。當觸發(fā)脈沖過去時，即IGBT網(wǎng)絡斷開時，仿真線迅速充電，放電速率為5 000 V／3μs(即從充電開始至滿電壓5 000 V的時間約為3μs)，并且無反沖。

由此可見，由IGBT網(wǎng)絡替代的脈沖開關，完全能滿足脈沖調(diào)制器的要求，其指標遠遠超過了氫閘流管脈沖調(diào)制器。

5 結(jié)論
器件固態(tài)化是系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，固態(tài)脈沖調(diào)制器正是在這一趨勢的啟發(fā)下提出來的。所設計的固態(tài)脈沖調(diào)制器具有結(jié)構(gòu)簡單、性價比高的特點，可以快速、方便地對現(xiàn)有雷達的脈沖調(diào)制器進行改裝。改裝成本低、周期短，具有很高的實用價值。