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基于MC33067的LLC諧振全橋變換器的應(yīng)用設(shè)計

作者: 時間:2012-05-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

3.1 主電路關(guān)鍵參數(shù)
選取fr=100 kHz,主電路關(guān)鍵參數(shù)過程為:
1、計算變壓器變比N=Uin/(Uo+Ud),Ud為輸出整流二極管導(dǎo)通壓降,選用IXYS 60CPQ150快速恢復(fù)二極管,其典型值為1.2 V,計算得N=7.92。
2、計算最高、最低輸入電壓時增益Gmin,Gmax:
Gmin=2n(Uo+Ud)/Uinmax,Gmax=2n(Uo+Ud)/Uinmin (3)
Uinmin,Uinmax分別為輸入直流電壓的最小值和最大值,分別為320 V和420 V。計算得到Gmin=0.927,Gmax=1.22。
3、計算負(fù)載電阻RL和反射電阻RAC:
j.jpg
計算得到RL=1.15 Ω,RAC=58.5 Ω。
4、計算品質(zhì)因數(shù)Q,Cr,Lr,Lm為:
e.JPG
式中:k值為Lm和Lr的比值。
對于而言,滿載時Q和k的恰當(dāng)選擇是的關(guān)鍵,將直接影響的工作頻率范圍、回路中循環(huán)能量大小及轉(zhuǎn)換效率,k值一般在2.5~6之間,設(shè)計中k取4。計算得到Q=0.463,Cr=58 nF,Lr=43μH,Lm=172 μH。
至此,主電路關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計完畢。為保證輸出功率留有一定的裕量,主變壓器選用PC40材質(zhì)的EE65磁芯,初級功率管則選用STSTW 43NM60ND,次級整流管為IXYS 60CPQ150快速恢復(fù)二極管,輸出濾波電容為6個NICHICON電解電容1 000 μF/100 V并聯(lián)。
3.2 控制電路關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計
控制電路采用高性能控制器為控制核心,該芯片采用固定死區(qū)時間的PFM互補(bǔ)調(diào)制技術(shù),輸出兩路開關(guān)頻率可達(dá)1 MHz、峰值電流可達(dá)200 mA的驅(qū)動脈沖,只需通過隔離變壓器就可以直接驅(qū)動MOSFET。芯片內(nèi)部則主要由基準(zhǔn)電壓、壓腔振蕩器、誤差放大器、軟啟動電路、欠壓鎖定、保護(hù)以及輸出電路構(gòu)成。所設(shè)計的PFM控制電路關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計如下:
(1)最低、最大開關(guān)頻率fmin,fmax的確定:
由于負(fù)載過重使得fs過低,導(dǎo)致變換器進(jìn)入圖2所示主開關(guān)管ZCS區(qū)域,因此要對的fmin進(jìn)行限制,fmin=fr[1+k(1-1/Gmax2)-1/2,可以得到fmin=67 kHz。同時,為減小電源啟動瞬間對Co的沖擊,一般采用空載高頻開機(jī)方式,開機(jī)頻率為諧振頻率的2~3倍,該設(shè)計中設(shè)定fmax=200 kHz。
(2)定時電阻Rosc與定時電容Cosc的確定:
Rosc與Cosc組合的時間常數(shù)確定內(nèi)部壓腔振蕩器的最小振蕩頻率,其值為2fmin:Rosc=(Tmax-70ns)/(0.348Cosc),得到Rosc=10kΩ,Cosc=2.4 nF。
(3)調(diào)頻電阻RVFO的確定:
芯片能夠進(jìn)行頻率調(diào)制,實際是通過改變流過RVFO電流的大小而改變流經(jīng)Rosc放電電流IRosc:
f.JPG
式中:Imax為fmax時Cosc總放電電流,其值為1 mA;UEAsat為誤差放大器低電位時的飽和輸出電壓,其值為0.1V。
由式(6)中第2個公式得到RVFO=2.7 kΩ。
(4)定時電阻RT和定時電容CT的確定:
兩路驅(qū)動脈沖的死區(qū)時間由RT和CT確定,根據(jù)諧振頻率的大小以及工作頻率變化范圍,初步選定死區(qū)時間Tdead=0.47μs,依據(jù):RT=Tdead/(0.348CT),得到RT=2.7 kΩ,CT=500 nF。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/177345.htm

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