基于改進啟動回路的反激式開關(guān)電源設(shè)計
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3.3 尖峰電壓吸收電路設(shè)計
功率MOSFET管在關(guān)斷時會在變壓器初級繞組上產(chǎn)生尖峰電壓和反射電壓,加上直流側(cè)的高壓,很容易損壞功率MOSFET管,這就必須加入箝位電路來箝位[4]。本設(shè)計中采用反向擊穿電壓為200V的瞬態(tài)電壓抑制器P6KE200和反向耐壓為 1 kV的RS1M型超快恢復(fù)二極管,同時采用RC阻容吸收回路,以減少尖峰電壓。
如圖3(a)所示,傳統(tǒng)啟動回路采用齊納二極管DZ限制控制芯片UC3844的啟動電源的給定,當控制芯片處于穩(wěn)定工作狀態(tài)時,直流母線側(cè)的電流依然流經(jīng)啟動電路,造成不必要的能量損失。
圖3 傳統(tǒng)啟動電路與改進啟動電路的對比
為此,提出了一種改進的啟動電路設(shè)計,如圖3(b)所示。初始階段,三極管Q導(dǎo)通,
直流母線電壓Vi通過R16對電容C4充電,同時直流母線電壓Vi通過電阻R15對電容C18充電,Vb處的電壓最終穩(wěn)定在如下電壓:
Vb=12+Vi*R2/(R15+R2) (7)
由于R15□R2,可以簡單的認為Vb≈12V。由于控制芯片UC3844的啟動和關(guān)斷電壓為16V和10V,為了使Q能夠在系統(tǒng)穩(wěn)定工作后關(guān)斷,必須滿足以下條件:
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三極管Q關(guān)斷后,控制系統(tǒng)進入穩(wěn)定的工作狀態(tài),芯片UC3844由反饋繞組進行供電,直流母線電流不在流經(jīng)啟動電路,大大減小了損耗。
4 實驗結(jié)果及分析
按照上面的分析,設(shè)計了基于UC3844B的多路單端反激式開關(guān)電源。主要參數(shù)如下:開關(guān)頻率f=50kHz,直流輸入電壓波動為120V□375V,直流多路輸出電壓為+5V/3A, +15V/1A, +24V/0.5A。圖4是傳統(tǒng)啟動電路和改進啟動電路的啟動電壓波形比較圖。
由圖可以看出,當啟動電壓達到16V時,UC3844B便進入穩(wěn)定的工作狀態(tài),并最終穩(wěn)定在12V。通過比較可以看出,傳統(tǒng)的控制策略需要0.4s使其啟動電壓達到16V,而改進的控制策略僅僅需要0.1s,減小了啟動時間,提高了控制效率。
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