磁控電抗器快速性研究
加入技術交流群
狀態(tài)4 在MCR退出瞬間，使V4導通，投入快速去磁回路，延遲5 ms后切斷V3，防止V3先斷開時對電路沖擊過大，損壞器件。由其數(shù)學模型τ=L／R可知，R越大，τ越小，快速性越高?？焖偃ゴ藕蟮墓ぷ麟娏鱥g和控制電流ik波形如圖3b所示?？梢?，在MCR退出系統(tǒng)一個周波內(nèi)，ig便可降到接近于零。
此處控制電路的另一大優(yōu)點是，在進行完一次無功補償后，當檢測到C值減小時，升壓斬波電路與C連通，給C充電，使C上電壓值恒為初始值，為下一次補償作準備。從而可以連續(xù)、無限次地作用于系統(tǒng)。
4 實驗結果
此處裝置控制器由DSP，F(xiàn)PGA和CPLD等構成，其中DSP模塊負責完成數(shù)據(jù)處理，與上位機(人機交互系統(tǒng))的通信及與下層結構(FPGA)的數(shù)據(jù)交換；FPGA模塊完成電壓、電流等各變量采樣及各變量的邏輯運算，并上傳數(shù)據(jù)給上層結構DSP。并將信息和數(shù)據(jù)下發(fā)給下層結構CPLD；
CPLD負責直接給功率單元(IGBT模塊)的控制板下發(fā)各項數(shù)據(jù)和指標，如PWM脈沖，死區(qū)產(chǎn)生。
基于380 W12 A磁閥式MCR進行具體實驗。交流電壓源e有效值為380 V，大功率電阻R2=200 Ω，線路等效電阻為R1，工作電源和控制電源等效內(nèi)阻分別為R3和Rk，C=330μF。實驗波形見圖4。本文引用地址：http://2s4d.com/article/175874.htm
由圖可知，當投入快速勵磁電路時，ik在半個工頻周期內(nèi)迅速達到穩(wěn)定工作值，所對應的ig在其作用下也在半個工頻周期內(nèi)達到預定飽和值，實現(xiàn)快速勵磁；當投入快速去磁電路后，ik在半個工頻周期內(nèi)迅速由穩(wěn)定工作值降為零，所對應的ig在其作用下也在半個工頻周期內(nèi)從預定飽和值降為零，即實現(xiàn)快速去磁。
5 結論
提出一種新型磁控電抗器的快速勵磁及去磁電路。對所設計的電路進行仿真及具體實驗，可見，從空載到額定狀態(tài)和從額定狀態(tài)到空載的工作電流均達到了一個工頻周期內(nèi)的響應速度。該電路起到了快速勵磁及去磁作用，極大地提高了磁控電抗器的特性，很好地實現(xiàn)了快速處理電壓閃變和波動。實驗電路中用DSP和FPGA混合控制系統(tǒng)來控制各個IGBT的工作狀態(tài)，更好地確保了該電路工作的穩(wěn)定性。
評論