當(dāng)代手機(jī)各外部接口的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)指南

在考慮為手機(jī)的ESD保護(hù)選擇ESD保護(hù)元件之前，理解今天電子行業(yè)正在發(fā)生的一個(gè)關(guān)鍵趨勢(shì)是非常重要的。簡(jiǎn)言之，包含在今天各種應(yīng)用采用的許多芯片組中的ESD保護(hù)電路數(shù)量正在減少。換言之，這些芯片組在嚴(yán)重的、用戶生成的ESD事件下免受損壞的能力正在下降。

目前幾乎所有的芯片組都有片上ESD保護(hù)。ESD電路放在芯片的外圍和鄰近I/O焊墊處，它用于在晶圓制造和后端裝配流程中保護(hù)芯片組。在這些環(huán)境中，ESD可通過設(shè)備或工廠的生產(chǎn)線工作人員引入到芯片組上。關(guān)鍵的ESD規(guī)范包括人體模型(HBM)、帶電器件模型(CDM)和機(jī)器模型(MM)。這些測(cè)試規(guī)范的目的是確保芯片組在制造環(huán)境中維持很高的制造良率。

傳統(tǒng)上，芯片制造商一直試圖維持HBM要求的2，000V水平。從成本效益比的角度來看，這已經(jīng)被證明是件很難做到的事。從圖1可以看出，隨著制造技術(shù)轉(zhuǎn)向90nm以下，將ESD保護(hù)水平維持在2，000V的成本，已開始以指數(shù)級(jí)上升。因此，現(xiàn)在新的目標(biāo)是降低芯片上的ESD保護(hù)水平，但維持相同的高制造良率水平。

目前普遍接受的關(guān)鍵ESD保護(hù)電壓水平約為500V。在這一水平，芯片成本增加得較合理，良率水平也不會(huì)受到損害。這是因?yàn)榈湫偷木A廠和裝配車間有將ESD限制在500V或以下的政策。

因此，即使所有的芯片組在裸片上包含一些ESD保護(hù)電路，其目的也只是確保制造的高良率。不過，這一級(jí)別的ESD保護(hù)不足于保護(hù)芯片組免受消費(fèi)者實(shí)際使用手機(jī)時(shí)將會(huì)碰到的嚴(yán)重ESD事件的傷害。在無法預(yù)先控制的消費(fèi)環(huán)境中，必須使用不同的ESD保護(hù)規(guī)范。這就是IEC61000-4-2。

該IEC規(guī)范已被許多應(yīng)用制造商(手機(jī)、智能電話、MP3播放器等)使用來確保其產(chǎn)品可靠地工作，以及不會(huì)遭受早期失敗。這一規(guī)范的ESD保護(hù)電壓水平高很多，因此與HBM不兼容。HBM規(guī)范要求的測(cè)試集中在500V。另一方面，IEC中的空氣放電方法要求的測(cè)試可以超過15，000V。

這意味著，在芯片組的ESD保護(hù)能力和應(yīng)用可靠性所要求的測(cè)試水平之間存在著一個(gè)非常大的差距。這通常意味著板級(jí)ESD元件(如多層壓敏電阻、聚合物ESD抑制器和硅保護(hù)陣列)必須填補(bǔ)這一差距。要注意的一點(diǎn)是，這些技術(shù)的ESD保護(hù)性能是不同的。具體來說，導(dǎo)通時(shí)間和鉗位電壓差別很大。這意味著，對(duì)敏感的芯片組來說，有可能使用其中某種技術(shù)的應(yīng)用無法通過ESD測(cè)試，但使用另一種技術(shù)時(shí)又可以通過ESD測(cè)試。

目前業(yè)內(nèi)最常見的板級(jí)ESD保護(hù)器件主要有以下三種，它們的關(guān)鍵屬性如下。

多層壓敏電阻(MLV)：這類基于氧化鋅的器件可提供ESD保護(hù)和低級(jí)別的電涌保護(hù)。它們的小形狀因子(尺寸已下降到0402和0201)使得它們非常適合于便攜式應(yīng)用(如手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等)。

硅保護(hù)陣列(SPA)：這類分立和多通道器件設(shè)計(jì)用于保護(hù)數(shù)據(jù)線和I/O線免受ESD和低級(jí)別瞬態(tài)浪涌的傷害。它的關(guān)鍵特性是非常低的鉗位電壓，這允許它們保護(hù)最敏感的電路。

聚合物ESD抑制器(PGB)：這是最新的技術(shù)，設(shè)計(jì)用于產(chǎn)生最小的寄生電容值(0。2pF)。這一特性允許它們用于高速數(shù)字和射頻電路，而不會(huì)引起任何信號(hào)衰減。

由于手機(jī)的設(shè)計(jì)對(duì)象是大眾消費(fèi)者，而且可在任何環(huán)境中使用，因此ESD很有可能會(huì)進(jìn)入其中的一個(gè)端口或I/O接口，并導(dǎo)致芯片組出現(xiàn)電氣不穩(wěn)定現(xiàn)象或完全損壞。圖2用于幫助說明不同電路該用什么樣的ESD保護(hù)技術(shù)。它表明，所有的電路都有可能為ESD進(jìn)入手機(jī)提供一個(gè)途徑。

了解了上述信息后，我們就可以分析手機(jī)中的不同電路，并選擇最佳的解決方案。

1)天線電路(GSM/CDMA/藍(lán)牙和FM收音機(jī))

這些是低電壓電路，而且它們還用于承載高頻信號(hào)。GSM/CDMA/GPRS工作在800MHz到1900MHz;藍(lán)牙工作在2400MHz，F(xiàn)M收音機(jī)工作頻率可高達(dá)約108MHz。為了保持射頻信號(hào)的完整性，ESD抑制器的關(guān)鍵特性是一個(gè)非常低的電容值。由于這個(gè)原因，推薦使用PGB2010402(PGB)。它的電容值僅有0。07pF，不會(huì)衰減射頻信號(hào)。

2)音頻接口(耳機(jī)、揚(yáng)聲器和麥克風(fēng))

這些電路承載20Hz到30，000Hz之間的音頻信號(hào)。由于這些是低頻電路，ESD保護(hù)器的電容并不需要是最小的。不過，通過仔細(xì)控制電容值(20pF到30pF)，有可能在進(jìn)行ESD保護(hù)的同時(shí)也獲得一些EMI濾波效果。為了滿足這些特性，推薦的解決方案包括V9MLA0402L(MLV)和SP1003-01DTG(SPA)。應(yīng)當(dāng)指出的是，SPA產(chǎn)品具有比MLV器件更低的鉗位電壓，因此它可能是更合適的選擇，如果音頻CODEC芯片組對(duì)ESD非常敏感的話。

3)高速數(shù)字接口(如USB2。0)

USB數(shù)據(jù)總線的數(shù)據(jù)傳輸速率已從12Mbps(USB1。1)增加到480Mbps(USB2。0)。由于數(shù)據(jù)傳輸速率是如此之高，因此有必要盡量減少ESD保護(hù)器的電容值，以防止數(shù)據(jù)信號(hào)不會(huì)產(chǎn)生任何失真。出于這個(gè)原因，推薦在USB總線的D+和D-線路采用PGB2010402(PGB)和SP3003-02XTG(SPA)進(jìn)行保護(hù)。同樣，了解芯片組(數(shù)字基帶或USB收發(fā)器)的ESD敏感度是很重要的。如果它們對(duì)ESD非常敏感，SPA產(chǎn)品線就是更好的選擇。

4)LCD模塊/SIM插座/SD和MMC接口

總的來說，這些電路并不屬于高速。其數(shù)據(jù)傳輸速率一般限于20Mbps或更低。因此，如果ESD保護(hù)器的電容值是40pF或更低，就不會(huì)有任何信號(hào)完整性問題。滿足這一要求的產(chǎn)品是V9MLA0402L(MLV)和SP1001-04XTG(SPA)。

還應(yīng)當(dāng)指出的是，一些LCD模塊和智能卡正在使用高達(dá)200Mbps的高速接口。因此，與USB2。0一樣，有必要將ESD保護(hù)器的電容值減到最小。針對(duì)這些高速總線推薦的解決方案是PGB2010402(PGB)和SP3003-04XTG(SPA)。

最后，對(duì)于滑蓋和翻蓋手機(jī)來說，連接主板和顯示板的柔性電路可能很容易受到電磁干擾和ESD的破壞。在這些情況下，解決方案應(yīng)該能夠完成濾波和ESD抑制功能。SP6001-04UTG和SP6002-04UTG恰好包括集成的∏濾波器和ESD保護(hù)。

3)鍵盤和按鈕

這些接口電路只是簡(jiǎn)單的DC開關(guān)，工作電壓為5VDC或更小，但它們可以為ESD進(jìn)入模擬基帶芯片組提供一條途徑。選擇決定可基于ESD抑制器的形狀因子。對(duì)于分立器件來說，推薦使用V5。5MLA0402(MLV)和SP1003-04DTG。如希望選擇省空間的多通道陣列，推薦使用SP1001-04XTG。