半導體式光纖溫度傳感器的建模、仿真與實驗

1 引言
光纖溫度檢測技術(shù)是近些年發(fā)展起來的一項新技術(shù)，由于光纖本身具有電絕緣性好、不受電磁干擾、無火花、能在易燃易爆的環(huán)境中使用等優(yōu)點而越來越受到人們的重視，各種光纖溫度傳感器發(fā)展極為迅速。目前研究的光纖溫度傳感器主要利用相位調(diào)制、熱輻射探測、熒光衰變、半導體吸收、光纖光柵等原理。其中半導體吸收式光纖溫度傳感器作為一種強度調(diào)制的傳光型光纖傳感器，除了具有光纖傳感器的一般優(yōu)點之外，還具有成本低、結(jié)構(gòu)簡單、可靠性高等優(yōu)點，非常適合于輸電設(shè)備和石油井下等現(xiàn)場的溫度監(jiān)測，近年來獲得了廣泛的研究。但是目前的研究還存在一些問題，如系統(tǒng)模型不完善，基礎(chǔ)理論尚不系統(tǒng)，產(chǎn)品化困難等。本文對這種傳感器進行了詳細研究，建立了系統(tǒng)的數(shù)學模型，并通過仿真和實驗對系統(tǒng)特性和實際應用的難點進行了分析。

2 測溫原理
當一定波長的光通過半導體材料時，主要引起的吸收是本征吸收，即電子從價帶激發(fā)到導帶引起的吸收。對直接躍遷型材料，能夠引起這種吸收的光子能量hv必須大于或等于材料的禁帶寬度Eg，即

式中，h為普朗克常數(shù)：v是頻率。從式(1)可看出，本征吸收光譜在低頻方向必然存在一個頻率界限vg，當頻率低于vg時不可能產(chǎn)生本征吸收。一定的頻率vg對應一個特定的波長，λg=c／vg，稱為本征吸收波長。

根據(jù)固體物理理論，直接躍遷型半導體材料GaAs的吸收波長是隨著溫度的變化而變化的。圖1所示是GaAs的透射率隨溫度變化的示意圖。當溫度升高時，本征吸收波長變大，透射率曲線向長波長方向移動，但形狀不變；反之，當溫度降低時，本征吸收波長變小，透射率曲線保持形狀不變而向短波長方向移動。當光源的光譜輻射強度不變時，GaAs總透射率就隨其溫度發(fā)生變化，溫度越高，總透射率越低。通過測量透過GaAs的光的強弱即可達到測溫的目的。通過研磨拋光將 GaAs加工成很薄的薄片，其入射光和出射光用光纖耦合，這就是半導體吸收式光纖溫度傳感器的基本原理。

3 系統(tǒng)建模
半導體吸收式光纖溫度傳感器系統(tǒng)主要由光源驅(qū)動、光源、入射和出射光纖、探頭、光電轉(zhuǎn)換器以及輸出顯示等部分構(gòu)成，如圖2所示。

GaAs是一種典型的直接躍遷型材料，它的透射率曲線如圖1和圖3所示。由上文關(guān)于測溫原理的分析可知，透射率T是一個關(guān)于溫度t和透射光波長λ的函數(shù)。根據(jù)固體物理理論和電磁學理論能得到它的具體表達式。但是這樣得到的透射率T(λ，t)是一個很復雜的式子，實際應用很不方便。可以根據(jù)曲線的形狀將其近似為如圖3所示的3段直線的組合。第1段是λλT，T=0；第2段是λTλλT+△，這時T急劇上升；第三段是λ>λT+ △，這時近似一條緩變的直線。3條直線的交點a、b、c的坐標值分別是a(λT，0)，b(λT+△，Tb)，c(1000，Tc)，由此可以求出曲線的近似表達式為：