降低手機射頻功率放大器的功耗及提升效率的方法
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如圖1所示為可見，SiGe技術(shù)在射頻器件上的應(yīng)用已經(jīng)跟RF CMOS技術(shù)相當(dāng)，有理由相信，下一步目標(biāo)就是超越GaAs技術(shù)而占據(jù)主流。
本文總結(jié)
隨著多種無線通信標(biāo)準在手持設(shè)備上的應(yīng)用，只有進一步降低射頻功率放大器的功耗，才能延長便攜式設(shè)備的電池使用時間，從而獲得更加的用戶體驗。本文通過對射頻功率放大器所采用的三種主要工藝技術(shù)進行的簡要比較，指出未來的發(fā)展趨勢在于采用SiGe工藝技術(shù)來制造射頻功率放大器，這是無線電電子系統(tǒng)設(shè)計工程師需要關(guān)注的技術(shù)趨勢。
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