JTAG接口在線燒寫(xiě)Flash的實(shí)現(xiàn)

　　Flash 的讀操作與傳統(tǒng)EPROM 讀操作相同。由于芯片使用軟件保護(hù)模式進(jìn)行操作， 用戶編程時(shí)， 只要向指定的地址寫(xiě)入指定的序列， 就可以啟動(dòng)Flash 芯片內(nèi)部的寫(xiě)狀態(tài)機(jī)， 完成指定的操作。表2 為Flash 的操作命令說(shuō)明( 對(duì)芯片的擦除和編程都是按照字進(jìn)行的)， 表中所有的數(shù)據(jù)都是十六進(jìn)制數(shù)。

　　Flash 的正確操作順序： 先復(fù)位， 再擦除， 最后編程。

　　按照表2 提供的操作命令時(shí)序來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)AM29LV800 的擦除和編程，PA 為編程地址，PD 為編程數(shù)據(jù)。Flash 擴(kuò)展在CE1 空間， 起始地址是200000， 所以操作時(shí)所有地址必須加上200000。例如燒寫(xiě)工程中擦除部分命令為：

　　表2 AM29LV800B 的操作命令說(shuō)明

　　芯片擦除需要占用6 個(gè)總線周期， 而芯片編程需要4 個(gè)總線周期， 依照表3 的數(shù)據(jù)， 在每個(gè)總線周期對(duì)相應(yīng)地址寫(xiě)入命令字就可以了。用戶一般都是對(duì)芯片進(jìn)行寫(xiě)操作， 寫(xiě)操作只能使‘1’ 變‘0’ ， 而擦除只能使‘0’ 變?yōu)?lsquo;1’ 。圖3 為擦除和編程命令波形圖， 清楚地顯示了擦除和編程操作過(guò)程。

　　圖3 擦除和編程命令波形圖

　　判斷編程或擦除的結(jié)束是當(dāng)把編程或擦除的命令字按照其時(shí)序?qū)懭隖lash 時(shí)， 在寫(xiě)編程命令時(shí)序或擦除命令時(shí)序的最后一個(gè)WE 上升沿到來(lái)之后，AM29LV800會(huì)自動(dòng)運(yùn)行一個(gè)嵌入在Flash 內(nèi)部的算法來(lái)判斷編程或擦除操作是否結(jié)束。采用觸發(fā)位校驗(yàn)的方法， 檢測(cè)數(shù)據(jù)切換位DQ6(Toggle Bit) 的狀態(tài)， 連續(xù)讀數(shù)據(jù)會(huì)使DQ6 的值在‘0’ 和‘1’ 之間來(lái)回切換， 當(dāng)編程或擦除結(jié)束時(shí)，DQ6 就停止值的切換。因此， 可以通過(guò)連續(xù)兩次讀DQ6 的值來(lái)判斷編程或擦除是否結(jié)束， 當(dāng)兩次讀得的值相同時(shí)， 說(shuō)明編程或擦除結(jié)束， 否則沒(méi)有。觸發(fā)位檢測(cè)算法流程圖如圖4 所示。

　　圖4 觸發(fā)位檢測(cè)算法流程圖