新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計應(yīng)用 > MEMS加速度計在聲學(xué)拾音器中的應(yīng)用介紹

MEMS加速度計在聲學(xué)拾音器中的應(yīng)用介紹

作者: 時間:2012-09-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

引言

本文引用地址:http://2s4d.com/article/148430.htm

  1 (微機(jī)電系統(tǒng))利用專為半導(dǎo)體集成電路所開發(fā)的制造工藝設(shè)施實現(xiàn)生產(chǎn)制造。微機(jī)電結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)方法是通過在半導(dǎo)體基片上刻蝕特定的圖形,來實現(xiàn)傳感器單元或者可以移動零點幾微米的機(jī)械執(zhí)行器。壓力傳感器是第一類批量的產(chǎn)品,如今用于負(fù)責(zé)監(jiān)測數(shù)以億計的發(fā)動機(jī)歧管和輪胎的壓力;而則用于安全氣囊、翻滾檢測以及汽車報警系統(tǒng),時間也已超過15年之久。

  MEMS 2 還用于消費電子領(lǐng)域里的運動感應(yīng),如視頻游戲與手機(jī)。MEMS微鏡光學(xué)執(zhí)行器用于投影儀、HDTV以及數(shù)字影院。近幾年,MEMS麥克風(fēng)3也開始進(jìn)入廣闊的消費市場,包括手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)、個人計算機(jī)以及數(shù)碼相機(jī)等。

  本文將討論MEMS產(chǎn)品中所采用的一些關(guān)鍵技術(shù),并討論這些技術(shù)如何為傳感器帶來新。

  MEMS加速度計技術(shù)

  典型的MEMS加速度計的核心單元是一個由兩組指狀柵條組成的可移動條形結(jié)構(gòu):其中一組固定到基片上一個實體地平面上;而另一組則連接到一個安裝到一組彈簧上的質(zhì)量塊上,該彈簧能夠根據(jù)所施加的加速度產(chǎn)生移動。所施加的加速度(圖1)將改變固定和移動?xùn)艞l之間的電容。4

  

MEMS加速度計結(jié)構(gòu) www.elecfans.com


  圖1:MEMS加速度計結(jié)構(gòu)。

  

ADXL50 MEMS加速度計結(jié)構(gòu) www.elecfans.com

  圖2:ADXL50 MEMS加速度計結(jié)構(gòu)。

  這些MEMS結(jié)構(gòu)的尺寸為微米量級(圖2),故需要精度極高的半導(dǎo)體光刻和蝕刻工藝技術(shù)。MEMS結(jié)構(gòu)通常采用單晶硅形成,或者采用以極高的溫度沉積到單晶硅晶圓表面上的多晶硅。采用這一靈活的技術(shù)可以形成機(jī)械特性差異很大的結(jié)構(gòu)。其中一個可以控制和可改變的機(jī)械參數(shù)是彈簧剛度。設(shè)計中還可以改變傳感單元的質(zhì)量以及結(jié)構(gòu)阻尼。傳感器可以實現(xiàn)從零點幾個g到數(shù)百個g加速度的感應(yīng),其帶寬高達(dá)20kHz。

  

ADXL202 ±2 g加速度計 www.elecfans.com

  圖3:ADXL202 ±2 g加速度計。

  MEMS傳感單元可以被連接到位于同一芯片(圖3)或者不同芯片(圖4)上的信號調(diào)理電路。對于單芯片解決方案,傳感單元的電容可以低至每g 1-2毫微微法拉,這相當(dāng)于10-18F的測量分辨率! 而在雙芯片架構(gòu)中,MEMS單元的電容必須足夠高,以克服MEMS和ASIC調(diào)理電路之間連接線的寄生電容影響。5

  

  圖4:典型的雙芯片加速度計的截面圖。

加速度計相關(guān)文章:加速度計原理

上一頁 1 2 3 4 下一頁

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉